使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅工業(yè)變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級傳統(tǒng)IGBT工業(yè)變頻器，實現(xiàn)更高的通用變頻器高功率密度，通用變頻器高溫環(huán)境應用！通用變頻器低電機噪聲控制！取得通用變頻器能耗與性能的最優(yōu)權衡！

 

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于工業(yè)變頻器應用，比如通用變頻器、專用變頻器、電梯變頻器等。

 

雖然傳統(tǒng)IGBT器件在其低損耗，高開關頻率，高功率密度特征上持續(xù)提升，但是由于自身特點的限制，在部分溫度高，安裝體積緊湊，電機電磁噪聲敏感的工業(yè)傳動場合，已無法適應高功率密度、高溫環(huán)境、低電機噪聲控制的應用要求，在一定程度上IGBT進入發(fā)展瓶頸期。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流!

SiC碳化硅MOSFET工業(yè)變頻器支持開環(huán)矢量和閉環(huán)矢量兩種控制方式，載波頻率達到100kHz, 輸出頻率達到10kHz，采用電機諧波電流控制技術，優(yōu)化轉(zhuǎn)矩脈動控制，實現(xiàn)更低電機轉(zhuǎn)矩脈動及電機電磁噪聲，DPWM /CPWM智能切換動態(tài)載波調(diào)制，可以取得能耗與性能的最優(yōu)權衡。功率器件死區(qū)時間控制方面，偉創(chuàng)變頻器最小死區(qū)時間控制在300ns左右，大幅提升輸出電壓利用率提升10%。

SiC碳化硅MOSFET通用變頻器全功率段采用碳化硅單管及碳化硅單管并聯(lián)方案，以獨特軟/硬件配合動態(tài)控制方法，實現(xiàn)單管之間有效均流，在碳化硅MOSFET功率器件異常情況（過流，短路）下快速保護，通過對變頻器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驅(qū)動參數(shù)優(yōu)化，器件與結(jié)構布局優(yōu)化，解決變頻器實際使用過程中（由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt產(chǎn)生的變頻器自身及配套使用設計）的電磁干擾問題.

SiC碳化硅MOSFET變頻器可以通過提高運行載波，節(jié)省輸出濾波裝置或縮小電機體積等方式，有效改善現(xiàn)有高速電機驅(qū)動產(chǎn)品的痛點。隨著高速空浮、磁浮電機的應用普及，SiC碳化硅MOSFET變頻器憑借技術的優(yōu)勢將迅速占領該類產(chǎn)品應用市場。

 

VVVF變頻、矢量控制變頻、直接轉(zhuǎn)矩控制變頻都是交—直—交變頻中的一種。其共同缺點是輸入功率因數(shù)低，諧波電流大，直流電路需要大的儲能電容，再生能量又不能反饋回電網(wǎng)，即不能進行四象限運行。為此，矩陣式交—交變頻應運而生。由于矩陣式交—交變頻省去了中間直流環(huán)節(jié)，從而省去了體積大、價格貴的電解電容。它能實現(xiàn)功率因數(shù)為1，輸入電流為正弦且能四象限運行，系統(tǒng)的功率密度大。

矩陣變頻具有較大優(yōu)勢:一方面矩陣變換器沒有儲能元件,體積可以比同樣容量的兩級結(jié)構變流器小;另一方面矩陣變頻不需要電解電容器,也就不需要考慮電解電容壽命問題。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET開發(fā)高功率密度變頻器，除通用變頻器一般驅(qū)動功能外，同時具備通用變頻器高電力品質(zhì)、能量回生、高功率密度三個特性。

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器為了挑戰(zhàn)降低諧波、改善功因及提升功率密度，具有下列關鍵技術

1. 高頻SiC碳化硅MOSFET驅(qū)控電路技術，提升矩陣變頻器頻率由(8kHz-->50kHz)。

2. 改善電力品質(zhì)，采用DMCSVM換動態(tài)載波調(diào)制，降低諧波(33%-->7%)，減少電力損失。

3. 改善功率因數(shù)(0.75-->0.98)，提升電力線上所有設備的壽命。

4. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器具有雙向能量轉(zhuǎn)換特性，電機煞車時，可將能量直接回饋至電網(wǎng)，節(jié)能效果提升20%以上，采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器在電梯應用能量回生達65%。

5. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器小型化功率底座、散熱及一體化設計，整機功率密度可達4kW/L，充分響應節(jié)能減排。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率器件的高效、高可靠性變頻器，擺脫長期以來依賴于國外器件供應商的產(chǎn)業(yè)瓶頸，實現(xiàn)碳化硅MOSFET功率器件的國產(chǎn)化替代貢獻自己的行業(yè)力量。

 

IGBT芯片技術不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。

 

為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC™基本公司基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發(fā)推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產(chǎn)品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應用需求，BASiC™基本公司研發(fā)推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調(diào)壓縮機驅(qū)動中。

B3M040120Z是BASiC™基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發(fā)的最新產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產(chǎn)品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業(yè)級全碳化硅半橋功率模塊，產(chǎn)品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現(xiàn)出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術開發(fā)的頂部散熱內(nèi)絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調(diào)壓縮機和工業(yè)電源中。

BASiC™基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350系列，此驅(qū)動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅(qū)動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅(qū)動MOSFET、IGBT等功率器件。

 

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢場景下，融合數(shù)字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲能管理技術，以實現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術創(chuàng)新為導向，將不斷創(chuàng)新技術和產(chǎn)品，堅定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創(chuàng)新為導向的各類功率半導體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲，智能組串式儲能等行業(yè)應用，傾佳電子（Changer Tech）為實現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡、零碳家庭等新能源發(fā)展目標奮斗，從而為實現(xiàn)一個零碳地球做出貢獻，邁向數(shù)字能源新時代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!