關(guān)于聯(lián)盟組團(tuán)赴歐參加ICNS學(xué)術(shù)會(huì)議
暨歐洲GaN學(xué)術(shù)拓展精進(jìn)之旅的通知
各有關(guān)單位：
為響應(yīng)國家推進(jìn)新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，實(shí)施制造產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國戰(zhàn)略的號(hào)召，國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）將聯(lián)合北京大學(xué)于2017年7月20-30日組織中國代表團(tuán)赴法國斯特拉斯堡參加第十二屆氮化物半導(dǎo)體國際會(huì)議（ICNS-12），并借此機(jī)會(huì)參觀考察歐洲微電子研究中心（IMEC）、德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所 (Fraunhofer IAF)、比利時(shí)EpiGaN公司和德國AIXTRON等相關(guān)知名研究應(yīng)用機(jī)構(gòu)，以加強(qiáng)海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體的交流與合作，幫助國內(nèi)學(xué)者和企業(yè)家了解歐洲的行業(yè)先進(jìn)技術(shù)，具體內(nèi)容如下：
一、活動(dòng)介紹
此次活動(dòng)由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）共同主辦，主要目的是服務(wù)成員及國內(nèi)相關(guān)企業(yè)及科研院所等機(jī)構(gòu)。
ICNS國際學(xué)術(shù)顧問委員會(huì)中國區(qū)主席、科技部“第三代半導(dǎo)體材料”重點(diǎn)專項(xiàng)總體專家組組長、北京大學(xué)教授沈波將親自帶隊(duì)此次活動(dòng)。
根據(jù)活動(dòng)內(nèi)容，除參加ICNS討論會(huì)外，還將安排系列考察歐洲微電子研究中心（IMEC）、EpiGaN公司，AIXTRON總部研發(fā)中心、弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所 (Fraunhofer IAF)等相關(guān)機(jī)構(gòu)。
活動(dòng)時(shí)間為2017年7月20-30日。
二、主要考察內(nèi)容
1. 第十二屆氮化物半導(dǎo)體國際會(huì)議（ICNS-12）
ICNS會(huì)議是全球氮化物半導(dǎo)體研究最重要以及最有影響力的國際會(huì)議，每兩年在世界各國輪流舉辦一次。會(huì)議涵蓋了氮化物系列半導(dǎo)體材料的晶體生長與外延、器件制造與性能、新結(jié)構(gòu)與物理機(jī)理、仿真與分析、應(yīng)用等領(lǐng)域。該會(huì)議每年都有領(lǐng)先全球的技術(shù)特邀報(bào)告，在此會(huì)議上也更創(chuàng)下了數(shù)位諾貝爾物理獎(jiǎng)得主同時(shí)參加并做報(bào)告的記錄。
本屆大會(huì)由法國國家科學(xué)研究院承辦，諾貝爾獎(jiǎng)得主赤崎勇?lián)晤檰栁瘑T會(huì)主席。會(huì)議將聚焦于基于III族氮化物半導(dǎo)體的材料和器件的高度影響的最新科技進(jìn)展，作為LED發(fā)光芯片的核心材料，氮化鎵最新的技術(shù)研究進(jìn)展以及其未來更具潛力的應(yīng)用領(lǐng)域如：電力電子、通信及微波射頻技術(shù)等議題都將是本屆會(huì)議的重點(diǎn)方向。
今年的會(huì)議將吸引來自日本，美國，德國，比利時(shí)，韓國，中國等數(shù)十個(gè)世界半導(dǎo)體強(qiáng)國從事氮化鎵半導(dǎo)體研究的頂尖團(tuán)隊(duì)和研究人員參加，參會(huì)人員預(yù)計(jì)會(huì)達(dá)1000人。
此次會(huì)議，聯(lián)盟將組織國內(nèi)高校，研究院所，以及相關(guān)領(lǐng)域的科技創(chuàng)新企業(yè)組成中國代表團(tuán)參與相關(guān)研討，共同討論氮化鎵技術(shù)的最新進(jìn)展、全球氮化鎵半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)的研究成果，以及關(guān)鍵技術(shù)及創(chuàng)新解決方案的協(xié)作等。
2. 比利時(shí)歐洲微電子研究中心（IMEC）
IMEC成立于1984年，總部設(shè)在比利時(shí)魯汶，是一家世界級(jí)微電子技術(shù)研發(fā)機(jī)構(gòu)，與美國的Intel、IBM并稱為全球微電子領(lǐng)域“3I”。研究方向主要集中在微電子，納米技術(shù)，輔助設(shè)計(jì)方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術(shù)（ICT）等。
不同于大學(xué)里的研究機(jī)構(gòu)，IMEC更偏重于與工業(yè)界的結(jié)合，通過聯(lián)合研究等方式，與大量企業(yè)、高校合作開展了眾多研究，進(jìn)行技術(shù)轉(zhuǎn)讓，孵化公司等，探索出一條獨(dú)特的可持續(xù)發(fā)展道路，其自身也不斷發(fā)展壯大。除了微電子領(lǐng)域的技術(shù)積累，其發(fā)展過程中的成功經(jīng)驗(yàn)對(duì)我國微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有啟發(fā)意義。
3.德國弗勞恩霍夫協(xié)會(huì)應(yīng)用固體物理研究所 (Fraunhofer IAF)
弗勞恩霍夫協(xié)會(huì)成立于1949年3月26日，是德國也是歐洲最大的應(yīng)用科學(xué)研究機(jī)構(gòu)，其年度研究總經(jīng)費(fèi)超過20億歐元，2016全球最具創(chuàng)新力政府研究機(jī)構(gòu)排列第二位。
此次參觀的 Franlumhofer IAF研究所在III-V化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域中處于同行業(yè)領(lǐng)先地位。憑借對(duì)應(yīng)用于微電子、納米電子和光電子中的材料、元件和電路的研究，其開發(fā)民用和應(yīng)用于國防安全領(lǐng)域的無線電、光纖通訊、傳感和光學(xué)的技術(shù)基礎(chǔ)和技術(shù)元件。IAF的研究重點(diǎn)是高頻技術(shù)和紅外線技術(shù)，包括從設(shè)計(jì)到小規(guī)模加工的全部過程，處理技術(shù)涵蓋從半導(dǎo)體板到系統(tǒng)成型的模件。
4.比利時(shí)EpiGaN公司
EpiGaN于2010年注冊(cè)成立，位于比利時(shí)哈瑟爾特，是歐洲微電子研究中心（IMEC）衍生出的公司。該公司致力于為功率開關(guān)，射頻和傳感器電子產(chǎn)品的性能器件III族氮化物外延材料解決方案，服務(wù)于消費(fèi)類電子的電力供應(yīng)、混合動(dòng)力電動(dòng)汽車、太陽能逆變器、基站的射頻電源、智能電網(wǎng)等市場領(lǐng)域。其GaN-on-Si是清潔能源發(fā)電和更有效的電源轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵技術(shù)推動(dòng)者。
5.德國AIXTRON總部研發(fā)中心
AIXTRON成立于1983年，總部位于德國黑爾措根拉特(Herzogenrath)，是全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備生產(chǎn)廠商之一。其共有4個(gè)尖端的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，分別設(shè)于德國黑措根拉特、英國劍橋、美國桑尼維爾市和中國蘇州，與世界各地的卓越大學(xué)、研究中心和行業(yè)合作伙伴密切合作，其產(chǎn)品應(yīng)用于微波電路，藍(lán)光LED，功率電子器件，微波射頻等領(lǐng)域。
三、行程安排及報(bào)名方式
1．報(bào)名費(fèi)： 1500元/人（國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）和 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員單位1000 元/人）。注：含觀眾邀請(qǐng)函。
2．參團(tuán)人員費(fèi)：42000元/人（ 7月20 日- 7 月30日，共10 天）
注：人員費(fèi)用含ICNS 會(huì)議注冊(cè)費(fèi)6000RMB，往返經(jīng)濟(jì)艙機(jī)票，境外雙人間住宿，境外交通費(fèi)等；）
3．簽證費(fèi)：1500元/人（含保險(xiǎn)）
PS：報(bào)名單位由于自身原因退出，會(huì)退還參團(tuán)人員費(fèi)，已發(fā)生費(fèi)用和報(bào)名費(fèi)恕不退還。
賈先生 T：（86-10）82387430
E：jiaxl@china-led.net
張小姐 T：（86-10）82387380
E：zhangww@china-led.net
許先生 T：（86-10）82387600-505
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