以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前景廣闊。其中，以GaN、SiC為代表的半導體材料由于具備禁帶寬度大、臨界電場高、電子飽和速率高等優勢，被廣泛應用到汽車電力電子、5G射頻、光通信和探測器等領域。
隨著化合物半導體器件的日益普及和廣泛應用，化合物半導體封裝和模塊將向著低損耗、低感量、高功率密度、高散熱性能、高集成度、多功能等方向發展，未來將衍生出與硅基封裝技術和產品形式不同的發展路線，先進封裝材料、可靠性技術都在不斷的發展提升。
封裝是功率半導體產業鏈中不可或缺的一環，主要起著安放、固定、密封、保護芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。采用合理的封裝結構、合適的封裝材料，以及先進的封裝工藝技術，可以獲得良好的散熱性能，確保高電壓、大電流的功率器件的正常使用，并能在工作環境下穩定可靠地工作。此外，封裝對于功率器件乃至整個系統的小型化、高度集成化及多功能化起著關鍵的作用。為了提高功率半導體器件的性能，必然會對封裝提出更高的要求。
半導體產業網、第三代半導體產業聯合勵展博覽集團，在NEPCON ASIA 2022 期間舉辦為期兩天的“2022化合物半導體器件與封裝技術產業高峰論壇”。我們將依托強大背景及產業資源，致力于先進半導體技術推廣、創新應用及產業鏈間的合作，為科研機構、高校院所、芯片面板及終端制造，上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。大會將聚焦化合物半導體器件與封裝技術最新進展，針對SiC功率器件先進封裝材料及可靠性、硅基氮化鎵功率器件、VCSEL器件及封裝、車用GaAs激光雷達，化合物半導體可靠性測試及方法等等，邀請產學研用資多領域優勢力量，探討最新進展，促進化合物導體器件與封裝技術發展。
NEPCON ASIA 2022將以“跨界+芯+智造”為創新理念，展會將匯聚1,200個企業及品牌參展，展示電子元器件、PCBA制程、智能制造、 EMS服務、半導體封測等相關的國內外設備新品及先進技術解決方案。與同期多展聯動，超140,000㎡展示規模，帶來消費電子、家電、工控、通信通訊、汽車、觸控顯示、新能源、醫療器械、光電等領域跨界商機，綻放亞洲電子工業新活力。
此外，同期將舉辦超30場跨國、跨界活動，覆蓋PCBA制程、半導體封裝、工業機器人、智能倉儲與物流、機器視覺、智慧工廠、工業互聯網、激光、3C、家用電器、通信、汽車、5G、物聯網、人工智能、AR/VR、新能源、醫療器械、照明等熱門話題，創新打造多元化國內、外商務配對社交機會，一站式捕捉亞洲跨界商貿網絡。
會議主題：協同創新 產業共贏
會議時間：2022年12月1-2日
會議地點：深圳國際會展中心（寶安）
主辦單位：
中國國際貿易促進委員會電子信息行業分會
勵展博覽集團
半導體產業網
半導體照明網
承辦單位：
北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司
與會單位：
蘇州鍇威特、英諾賽科、基本半導體、泰科天潤、PI、長飛光纖、日月光、安靠、長電科技、瞻芯電子，華天、納維科技、蘇州晶湛、百識電子、三安集成、通富微、大族激光、紫光、力成科技、矽品、中微、上海微電子、陽光電源、北方華創、南京大學、復旦大學、中科院蘇州納米所、江蘇三代半研究院、東南大學、國星光電、京元電子、聯合科技、甬矽電子、無錫華潤安盛、頎邦、晶方半導體、紫光、環旭、蘇州固锝、ARM、Cadence、士蘭微、Mentor、Synopsys、Silicon Image、Ceva、eMemory、comsol、ansys、abaqus、Ansys 、富士康、浪潮華光、偉創力、捷普電子、和 碩、廣達上海、貝萊勝電子、恒諾微電子、華泰電子、環旭、TDG、中電科、杭州長川科技、ASM、海思、K&S、Disco、蘇州艾科瑞思、泰瑞達、科利登Xcerra、美國國家儀器NI、Chroma、北京華峰測控、精測電子、TRI、Hilevel、KingTiger、TEV、TELCO、是德科技、羅德施瓦茨、錸微半導體、利之達、老鷹半導體，米格實驗室，國星半導體，南方電網，國家電網，深圳大學，北大深圳研究院，南方科技大學、西安電子科技大學、華為和比亞迪等
日程安排（擬）：
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時間 |
議題 |
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12月1日 |
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09:00-09:55 |
簽到 |
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09:55-10:00 |
嘉賓致辭 |
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10:00-10:20 |
化合物半導體功率器件及封裝技術現在及應用分析 |
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10:20-10:40 |
內絕緣TO-220封裝碳化硅肖特基二級管技術 |
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10:40-11:00 |
氮化鎵微波功率器件的研究與應用 |
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11:00-11:20 |
單雙面銀燒結技術在SIC功率模塊封裝中的應用 |
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11:20-11:40 |
GaN高電子遷移率晶體管技術 |
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11:40-12:00 |
SiC MOSFET結溫檢測方法研究 |
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12:00-13:30 |
展區參觀、交流，午餐 |
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13:30-13:50 |
VCSEL器件技術進展及其在數據中心與汽車激光雷達中的應用 |
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13:50-14:10 |
高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調整 |
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14:10-14:30 |
萬伏級4H-SiC基IGBT器件技術 |
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14:30-14:50 |
第三代半導體裝備：從器件制造到性能表征 |
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14:50-15:10 |
高可靠性功率系統集成的發展和挑戰 |
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15:10-15:30 |
第三代半導體器件封裝用陶瓷基板技術研發與產業化 |
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15:30-15:50 |
車規級功率器件先進封裝材料及可靠性優化設計 |
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15:50-16:10 |
用于功率器件的關鍵設備技術/等離子去膠設備技術 |
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12月2日 |
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10:00-10:20 |
先進GaAs/InP半導體激光器及封裝（TBD） |
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10:20-10:40 |
半導體設備技術國產化 |
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10:40-11:00 |
用于新能源汽車的先進功率器件的挑戰與優化思路 博世/芯聚能/比亞迪/派恩杰 |
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11:00-11:20 |
面向寬禁帶半導體器件的高空間/時間分辨率晶圓級熱表征技術進展 |
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11:20-11:40 |
8寸硅基氮化鎵功率器件產業化進展 |
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11:40-12:00 |
第三代半導體功率器件可靠性測試方法和實現 |
備注：報告嘉賓正在陸續確認中，歡迎大家提交更多主題方向報告，共同促進第三代半導體產業的繁榮發展。提交報告、現場演講、參會參展、對接合作、進實名交流群等歡迎咨詢下方聯系人。
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