2013 LED應用技術及市場發展論壇

發布日期：2013-07-03 來源：中國半導體照明網瀏覽次數：11

同期：第十五屆中國國際光電博覽會(CIOE)LED展

(中國·深圳會展中心 2013年9月4日-7日)

　　主辦單位：

國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)

中國國際光電博覽會組委會(CIOE)

　　支持單位：

中國科學技術部

中國科學技術協會

中國科學院

中國科學院光電研究院

　　承辦單位:

國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)

中國國際光電高峰論壇辦公室(CIOEC)

香港應用科技研究院

　　協辦單位：

武漢光電國家實驗室(籌)

深圳半導體照明產業促進會(SSAL)

重慶市LED照明研發與產業聯盟

深圳市光學光電子行業協會

2013 LED應用技術及市場發展論壇以創新、發展、自主為主題。主要是為了提升產業的核心競爭力，提高自主創新能力，側重市場、應用技術交流、以實用化為主，更好的促進LED供應商和行業客戶之間的互動，搭建一個LED技術交流、資源分享、學術研究、難題攻關的產、學、研交流平臺。本次論壇將與國家半導體照明工程研發及產業聯盟(CSA)合作舉辦主題為“第三代半導體材料的應用與發展”專題分會、將與香港應用科技研究院合作舉辦LED與OLED創新技術與應用研討會。與CSA的合作無疑成為CIOE的又一重大亮點。

　　第三代半導體材料及應用發展國際研討會

　　時間：

　　一、會議背景

新型半導體材料的研究和突破，常常推動新的技術革命和產業變革，甚至催生新的產業群。以Si和GaAs為代表的傳統半導體材料的高速發展推動了微電子、光電子技術的迅猛發展。然而，受材料本身性能所限，用這些材料制成的器件大都只能在200℃以下的環境下工作，且抗輻射、耐高電壓性能以及發射可見光范圍都不能滿足現代電子技術發展對高溫、高頻、高壓以及抗輻射、能發射藍光等提出的新要求。而以GaN、SiC、金剛石為代表的寬禁帶半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小、抗輻射能力強、良好的化學穩定性等獨特的性能，使其在光電器件、高頻大功率、高溫電子器件等方面倍受青睞，近10年獲得了高速的發展。由于其在信息存儲、照明顯示、電力電子以及醫療和軍事等領域有著廣闊的應用前景，并將預示著光電信息乃至光子信息時代的來臨，因此，以半導體照明典型應用突破口的第三代半導體材料同時也被譽為光電子和微電子等產業新的發動機。

第三代半導體材料及器件不僅可形成上千億美元相關設備、系統的新產業的形成，還將在能源節約、電能利用率等方面具有重大意義。半導體照明是第三代半導體材料技術創新和市場應用的突破口之一，目前已在半導體照明領域顯現出了巨大的市場潛力。近幾年，世界各國政府有關機構、相關企業、以及投資公司紛紛加大了對第三代半導體材料及其器件的投入和支持，啟動了大規模的GaN基光電器件商用開發計劃。一些具有前瞻性的風險投資機構也密切關注該領域并加大了投資力度。我國政府也高度重視第三代半導體材料的研究與開發，從2004年開始對第三代半導體領域的研究進行了部署，啟動了一系列重大研究項目，2013年科技部在863計劃新材料技術領域項目征集指南中明確將第三代半導體材料及應用列為重要內容。

為了促進我國第三代半導體材料核心技術研發及在相關應用領域的產業化，開展創新應用技術研發和示范，提升我國第三代半導體材料及應用相關產業的國際競爭力，幫助企業把握新興產業發展的契機，實現創新驅動發展，引領中國光電產業發展，國家半導體照明工程研發及產業聯盟將于2013年9月5日第十五屆中國國際光電博覽會期間舉辦“首屆第三代半導體材料及應用發展國際研討會”，邀請研發機構、企業及用戶單位共聚一堂，互動交流，共同探討第三代半導體照明材料的發展現狀、趨勢及前景。

　　二、組織機構

　　主辦單位：

國家半導體照明工程研發及產業聯盟

中國國際光電博覽會組委會(CIOE)

　　三、論壇內容

研發機構、企業和應用單位共同交流探討：

1、第三代半導體材料國內外研究進展及重點方向;

2、第三代半導體材料的應用、需求及發展趨勢;

3、各國政府及跨國企業對于第三代半導體材料的發展部署;

4、第三代半導體材料的投資價值和機會分析。

　　四：日程安排（擬）