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LED材料、裝備技術(shù)取得新進(jìn)展

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2013-11-10 來源:中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):34

       LED材料、裝備技術(shù)取得新進(jìn)展

       ——CHINASSL2013材料與裝備技術(shù)會(huì)議召開

“硅襯底外延和熒光粉新材料的實(shí)驗(yàn)都取得了可以展示的成果,這對(duì)企業(yè)提高設(shè)備的優(yōu)良出品率以及國(guó)內(nèi)企業(yè)在新材料上突破國(guó)外專利封鎖均有積極意義。”

“Michael Heuken教授關(guān)于不同情況下對(duì)翹區(qū)的影響,對(duì)企業(yè)啟發(fā)很大,原來只是買來MOCVD,但并沒有考慮到監(jiān)控這方面的東西。實(shí)際上,隨著襯底片從2襯到4襯再到6襯,這個(gè)問題越來越嚴(yán)重,Michael Heuken教授的報(bào)告很及時(shí),正好解決了企業(yè)面臨的問題。”

10日下午,CHINASSL2013之分會(huì)——材料與裝備技術(shù)會(huì)議(1)在北京昆泰酒店8-9號(hào)會(huì)議室召開。七八十人的會(huì)議室座無(wú)虛席。來自產(chǎn)業(yè)各界的代表,前來聽取包括中科院半導(dǎo)體研究所照明中心、南京工業(yè)大學(xué)電光源材料科學(xué)研究所、飛利浦、愛思強(qiáng)、中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司、塞倫光電以及北京北方微電子和山東浪潮華光光電子等國(guó)際國(guó)內(nèi)知名材料和設(shè)備廠商代表關(guān)于材料和裝備技術(shù)的實(shí)驗(yàn)室新成果。南京大學(xué)電子學(xué)院博士生導(dǎo)師、南京大學(xué)揚(yáng)州光電研究院院長(zhǎng)陳鵬教授主持了本次會(huì)議。

中科院半導(dǎo)體研究所照明中心副研究員劉志強(qiáng)首先介紹了《低維結(jié)構(gòu)—GaN LED的潛在發(fā)展趨勢(shì)》,由于氮化物發(fā)光二極管主要基于平面InGaN/GaN多量子阱支撐,并且表現(xiàn)出了可喜的性能,但同時(shí)這種傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)也存在一些問題,使其進(jìn)一步發(fā)展受到制約,而通過利用商用MOCVD系統(tǒng)制備特別設(shè)計(jì)的多層InGaN量子點(diǎn),同時(shí)利用選取外延方法制備獨(dú)特的金字塔陣列InGaN/GaN核殼結(jié)構(gòu)LED,結(jié)果顯示,低維結(jié)構(gòu)是進(jìn)一步提高氮化物發(fā)光二極管的有力手段,并且,低維結(jié)構(gòu)在實(shí)現(xiàn)單芯片白光發(fā)射方面有其潛在優(yōu)勢(shì)。

飛利浦研究中心資深研究員徐庶帶來了《開發(fā)空氣中穩(wěn)定的量子點(diǎn)熒光粉用于LED照明》的相關(guān)技術(shù),由于本人因公出差不能到會(huì),又不愿錯(cuò)過此次交流的機(jī)會(huì),專門委派代表進(jìn)行了相關(guān)介紹。

愛思強(qiáng)研發(fā)副總裁Michael Heuken教授就《在耦合蓮蓬反應(yīng)室中現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量在干法刻蝕圖形化的藍(lán)寶石襯底上的LED MOCVD生長(zhǎng)》做了介紹和解讀。該項(xiàng)技術(shù)得到了與會(huì)企業(yè)的普遍關(guān)注和好評(píng)。主持人陳鵬教授和華延芯光(北京)科技有限公司林岳名博士給出了文中開始的高度評(píng)價(jià)。

隨后,塞倫光電有限公司的Bedwyr Humphreys介紹了《開發(fā)高質(zhì)量、低缺陷密度半極化和非極化氮化鎵模板》的做法,實(shí)驗(yàn)表明,利用納米柱技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)了非極性和半極性GaN FWHM的有效降低,同時(shí)隨著方法的成熟,GaN的性能將得到進(jìn)一步的改善。在高質(zhì)量a面GaN襯底上生長(zhǎng)的InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)現(xiàn)實(shí)了優(yōu)秀的光學(xué)性質(zhì)。

北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任在公司副總裁丁培軍介紹了《Sputter技術(shù)在LED芯片亮度提升中的應(yīng)用》,該技術(shù)現(xiàn)場(chǎng)引發(fā)劉志強(qiáng)副研究員的強(qiáng)烈興趣,雙方表示會(huì)后可進(jìn)一步進(jìn)行交流探討。

茶歇后,Michael Heuken教授就《MOCVD行星反應(yīng)室中的硅基LED的Tuning》再次上臺(tái)與聽眾分享,南京工業(yè)大學(xué)點(diǎn)光源材料科學(xué)研究所所長(zhǎng)王海波教授則介紹了《藍(lán)光激發(fā)的連續(xù)光譜熒光粉和遠(yuǎn)程技術(shù)的研究》,也是這項(xiàng)研究,陳鵬教授評(píng)價(jià)該技術(shù)若能進(jìn)一步提高轉(zhuǎn)換效率至市場(chǎng)通用平均水平,國(guó)內(nèi)企業(yè)在熒光粉新材料應(yīng)用方面取得突破可期,而從材料上突破國(guó)際企業(yè)的專利封鎖,是一個(gè)非常好的技術(shù)通道。

最后,山東浪潮華光光電子股份有限公司工程師沈燕介紹了《通過改變氧流量蒸發(fā)不同形貌ITO薄膜》技術(shù)的實(shí)驗(yàn)應(yīng)用。

針對(duì)本次會(huì)議展示的技術(shù)成果,陳鵬教授認(rèn)為,會(huì)議展示的技術(shù)其實(shí)都是原有材料和設(shè)備技術(shù)的進(jìn)一步優(yōu)化。LED技術(shù)發(fā)展多年以來,普通技術(shù)企業(yè)都掌握,但如何做的更好,各有看法。雖有看法,但又缺乏實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。這次會(huì)議當(dāng)中就給出了一些比較有意義的數(shù)據(jù)和一些明確的改進(jìn)方向,如在PS上面控制翹區(qū),芯片工藝?yán)锩嬗肐TO時(shí),注重它的折射率等,這些都是非常具體的優(yōu)化技術(shù),而這些畫龍點(diǎn)睛的技術(shù),有效提升了LED的產(chǎn)業(yè)技術(shù),“這可以說是這次技術(shù)會(huì)議最實(shí)質(zhì)的結(jié)果和最大價(jià)值。”

 
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