2013年11月11日，第十屆中國國際半導體照明論壇之“芯片、器件、封裝與模組技術分會(1)”在北京昆泰酒店召開。會上，華燦光電股份有限公司總裁劉榕做了題為“高壓LED關鍵技術開發和未來展望”的報告。
報告介紹了高壓LED中絕緣溝道的特性，比如側壁表面粗糙度，刻蝕深度，傾斜角度和表面圖案對器件性能的影響的實驗過程及結論，在研究結果的基礎上，華燦光電通過優化絕緣溝道的這些物理特性，制備了高性能18伏的20*45mil高壓LED芯片。該芯片的封裝后光效達到了130lm/w同時擁有優越的光發射均勻性。
據了解，目前高壓LED芯片的市場份額仍然落后于傳統LED芯片，劉榕表示，高壓LED是LED照明的技術分支，有助于減少封裝成本，降低工藝過程的成本，隨著研究的進行，高壓LED的可靠性以及良率也在提升。另外，倒裝芯片技術水平不斷提高，與倒裝技術相結合，高壓LED會成為LED很重要的技術方案。
