1.正向電壓下降 暗光
A:一種是電極與發光資料為歐姆觸摸,但觸摸電阻大,首要由資料襯底低濃度或電極殘缺所形成的。
B:一種是電極與資料為非歐姆觸摸,首要發生在芯片電極制備進程中蒸騰第一層電極時的擠壓印或夾印,散布方位。
別的封裝進程中也能夠形成正向壓下降,首要緣由有銀膠固化不充分,支架或芯片電極沾污等形成觸摸電阻大或觸摸電阻不穩定。
正向壓下降的芯片在固定電壓測驗時,經過芯片的電流小,然后體現暗點,還有一種暗光表象是芯片自身發光功率低,正向壓降正常。
2.難壓焊:(首要有打不粘,電極掉落,打穿電極)
A:打不粘:首要因為電極外表氧化或有膠
B:有與發光資料觸摸不牢和加厚焊線層不牢,其間以加厚層掉落為主。
C:打穿電極:通常與芯片資料有關,資料脆且強度不高的資料易打穿電極,通常GAALAS資料(如高紅,紅外芯片)較GAP資料易打穿電極,
D:壓焊調試應從焊接溫度,超聲波功率,超聲時刻,壓力,金球巨細,支架定位等進行調整。
3.發光色彩區別:
A:同一張芯片發光色彩有顯著區別首要是因為外延片資料疑問,ALGAINP四元素資料選用量子布局很薄,成長是很難確保各區域組分共同。(組分決議禁帶寬度,禁帶寬度決議波長)。
B:GAP黃綠芯片,發光波長不會有很大誤差,可是因為人眼對這個波段色彩靈敏,很簡單查出偏黃,偏綠。因為波長是外延片資料決議的,區域越小,呈現色彩誤差概念越小,故在M/T作業中有附近選取法。
C:GAP赤色芯片有的發光色彩是偏橙黃色,這是因為其發光機理為直接躍進。受雜質濃度影響,電流密度加大時,易發生雜質能級偏移和發光飽滿,發光是開端變為橙黃色。
4.閘流體效應:
A:是發光二極管在正常電壓下無法導通,當電壓加高到必定程度,電流發生驟變。
B:發生閘流體表象緣由是發光資料外延片成長時呈現了反向夾層,有此表象的LED在IF=20MA時測驗的正向壓降有躲藏性,在運用進程是出于南北極電壓不行大,體現為不亮,可用測驗信息儀器從晶體管圖示儀測驗曲線,也能夠經過小電流IF=10UA下的正向壓降來發現,小電流下的正向壓降顯著偏大,則能夠是該疑問所形成的。
5.反向漏電:
A:緣由:外延資料,芯片制造,器材封裝,測驗通常5V下反向漏電流為10UA,也能夠固定反向電流下測驗反向電壓。
B:不一樣類型的LED反向特性相差大:普綠,普黃芯片反向擊穿可到達一百多伏,而普芯片則在十幾二十伏之間。
C:外延形成的反向漏電首要由PN結內部布局缺點所形成的,芯片制造進程中旁邊面腐蝕不行或有銀膠絲沾附在測面,嚴禁用有機溶液分配銀膠。以避免銀膠經過毛細表象爬到結區