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美研究人員開發GaN LED新型涂層 提升LED亮度

放大字體  縮小字體 發布日期:2014-03-26 來源:中國半導體照明網瀏覽次數:21

       中國半導體照明網譯  美國北卡羅來納州立大學最新開發出了一種新技術,能夠在不增加耗電量的情況下大幅度提升LED的亮度,同時還能帶來更高的穩定性和適用性。這一技術相關的研究文章已發表在著名的化學期刊《朗繆爾》上。

       研究的第一作者為北卡羅來納州立大學的斯圖爾特·威爾金斯博士,他表示他們所采用的方法是在常用的GaN LED上添加膦酸組涂層。研究人員首先采用多層自組裝技術來生產GaN,然后添加含有磷酸分子的有機磷,最后將其涂到GaN材料的表面。GaN能夠改善LED的光效,膦酸組材料則能夠保障GaN的穩定性,使其不易與環境中的物質發生反應。

       “GaN的穩定性十分重要,”威爾金斯介紹說,“因為這將使其更有可能被應用到生物醫學當中,比如可植入型傳感器。”

       相關研究顯示,與普通硅材料LED相比,GaN能夠提高LED的光輸出量。在相同能耗的情況下,硅材料LED的光通量能夠達到1000流明,而GaN LED則能達到2000流明。此外,GaN LED體積和質量更小,也更容易實現不同類型的集成。

       原文鏈接:http://www.lednews.org/researchers-gan-led-technology-double-flux/

 
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關鍵詞: LED亮度 GaN LED
 
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