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盤點:國際社會通常大功率LED芯片的制造方法

放大字體  縮小字體 發布日期:2014-07-01 來源:新世紀LED網瀏覽次數:15

       中國半導體照明網訊 要獲得大功率LED器件,有必要準備一個合適的大功率LED面板燈芯片。國際社會通常是大功率LED芯片的制造方法歸納如下:

       ①增加發光的大小。單一的LED發光區域和有效地增加流動的電流量,通過均勻分布層TCL,以達到預期的磁通。但是,簡單地增大發光面積不解決這個問題,散熱問題,不能達到預期的效果和實際應用中的磁通量。

       ②硅底板倒裝法。共晶焊料首先,準備一個大的LED面板燈芯片,并準備一個合適的尺寸,在硅襯底和硅襯底,使用金的共晶釬料層和導電層導體(超聲波金絲球窩接頭),以及使用所述移動設備的被焊接在一起共晶焊料的LED芯片和大尺寸的硅襯底。這樣的結構更加合理,不僅要考慮這個問題,考慮到光與熱的問題,這是主流的大功率LED生產。 Lumileds公司,美國在2001年開發出了不同的倒裝芯片的電源的AlGaInN(FCLED)結構,制造過程:第一P型氮化鎵外延膜沉積在頂部的層厚度超過500A,并返回的反射Niau的歐姆接觸,然后選擇性地蝕刻,使用掩模,在P型層和多量子阱有源層,露出N型層淀積,蝕刻后形成的N型歐姆接觸層1的1mm×1mm的一側的P型歐姆接觸,N型歐姆接觸以梳狀插入其中,芯片尺寸,從而使當前的擴展距離可以縮短,以盡量減少支持和銦鎵鋁氮化物擴散阻力的ESD保護二極管(ESD)的硅芯片安裝顛倒焊錫凸塊。

       ③陶瓷板倒裝法。通用裝置的晶體結構的LED面板燈芯片的LED芯片的下一個大的,在陶瓷板和陶瓷基板的共晶釬料層和導電層,在該區域產生的相應的引線,焊接電極中使用水晶LED芯片和大規格陶瓷薄板焊接的焊接設備。這樣的結構是需要考慮的問題,也是需要考慮的問題,光,熱,使用高導熱陶瓷板,陶瓷板,散熱效果非常好,價格也比較低,更適合為當前的基本包裝材料和空間保留給將來的集成電路一體化。

       ④藍寶石襯底過渡方法。在藍寶石襯底除去后的PN結的制造商,在藍寶石襯底上生長InGaN芯片,然后再連接的傳統的四元材料,制造大型結構的藍色LED芯片的下部電極上,通過常規的方法。

       ⑤AlGaInN的碳化硅(SiC)背面光的方法。美國Cree公司是世界上唯一的碳化硅基板的AlGaInN超高亮度LED制造商,多年來生產的AlGaInN / SICA芯片的架構不斷完善和增加亮度。由于在P型和N型電極分別位于該芯片的頂部和底部,使用一個單一的引線鍵合,較好的相容性,易用性,因而成為主流產品的發展AlGaInNLED另一個。

 
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