11月6日，第十一屆中國國際半導體照明展覽會暨論壇(SSLCHINA2014)之“芯片、器件、封裝與模組技術(Ⅰ)”技術分會在廣州廣交會威斯汀酒店舉行，會上，中科院半導體所半導體照明研發中心副教授劉志強做了題為“固態照明的挑戰”的報告，分享了針對GaN LED Efficiency Droop和p型摻雜、低維結構的研究進展。
中科院半導體所半導體照明研發中心副教授 劉志強
經過十多年的發展，LED的發光效率已經取得了長足的進步，但是距離理論極限值還是比較遠，在很長一段時間高效率、低成本以及高可靠性都是半導體照明需要努力的方向，而這些方向背后又有幾大面臨的技術難題。包括droop效應(隨著電流密度的增加，LED的發光效率會逐步衰減)、p型摻雜等問題。其中從2010年開始，業內關于Droop效應的討論呈現了爆發式的增長。而研究發現，Droop效應和材料里面的缺陷密度相關。劉志強表示，在研究基礎，研究團隊提出了一些模型來解釋該現象。
從2004年開始，低維結構一直是氮化鎵LED和的研究熱點，而這主要是由于低維結構本身的特點來決定的。隨著材料維度的降低，LED更容易發光。此外，由于低維結構，可以大大減少材料中的曲線密度。相信隨著維度進一步降低，LED的發光效率會進一步增加。
