日前三安光電公告稱，有著三安光電員工股份背景的鑫眾1號集合計劃已購買5030.16萬股公司股票，金額共計74208.39萬元。為何有公司員工背景的集合理財計劃如此有底氣地增持公司股份?近年來的A股市場經驗顯示，凡是有員工、高管積極增持公司股票價格走勢均較為樂觀，那么，如此的增持信息是否意味著三安光電的未來股價走勢也值得期待呢?不妨從行業的發展趨勢以及公司目前的境況等方向尋找問題的答案。

LED芯片外包趨勢明顯

與IC芯片制造類似，LED芯片制造也是屬于持續高投入、規模經濟明顯的行業。因此，隨著LED芯片價格的下跌，國外LED芯片大廠擴產趨于謹慎，國外芯片供給增長有限。據國外研究機構估計，在2013至2014年間，國外主要LED芯片廠商MOCVD機的新增數量僅分別為27臺、55臺，占同期全球MOCVD新增數量的比重分別為13%、18%，與2010年左右相比已經大大降低。另據LEDinside估計，2013至2017年全球MOCVD機數量僅保持微弱增長，年均復合增速僅為3.7%，如此數據顯示國外LED芯片大廠在全球新一輪的擴產競爭中逐漸落于下風。

但與全球LED芯片產能增長放緩的趨勢相反，LED芯片需求仍保持快速增長的勢頭。據估計，到2016年，歐洲和北美地區LED照明市場規模占全球LED照明市場總規模的比例將分別達到19%、18%，合計占比為37%。因此，研究機構估計，全球LED芯片總需求量將由2013年的1815億顆增長到2017年的2979億顆，年均復合增速達到13%，比全球MOCVD機數量增速高出近10%。為滿足歐美地區不斷增長的LED需求，LED芯片廠商只能選擇將LED芯片制造環節外包。

我國漸成LED芯片“代工基地”

我國擁有極佳的LED芯片制造業基礎，不僅有強大的產業鏈協同能力，而且擁有強大的政策支撐力度。一方面是地方政府大力推行LED在公共照明領域的應用，以增加對上游芯片的需求。僅在2013年上半年，包括江西省、福建省在內的多個地區就明確提出，要在2015年之前實現公共機構普遍使用LED照明產品，如此就為LED芯片的大發展提供了極為旺盛的產業需求，有利于刺激LED芯片生產廠商拓展激情。另一方面是名目繁多的稅收優惠以及科研獎勵，鼓勵LED芯片產業的發展。

因此，在政府政策的支持下，國內LED芯片廠商在產能擴充上極具競爭力，導致與國際大廠謹慎擴產的態度相反，不少國內廠商都公布了大型的擴產計劃。如三安光電公布了其總規模達200臺MOCVD的擴產計劃等。如此就使得未來我國將成為全球LED芯片產能最為充足的地區。據統計，截至2013年底，我國MOCVD總數量已經達到1163臺，其中臺灣地區芯片廠商在國內設立相關生產基地中的MOCVD總數量為135臺。據LEDinside估計，到2017年我國MOCVD總保有量將達到1378臺，占全球主要LED芯片產地MOCVD總保有量的38%。在充足產能的支撐下，未來國外LED芯片廠商由于產能不足而不能自主生產的訂單將流向我國。我國也將成為世界LED芯片“代工基地”。

有望成為A股中的臺積電

如此背景下，LED芯片龍頭三安光電已屹立LED產業大發展的風口之上，有望成為A股中的“臺積電”。

一是在技術方面。從事LED芯片生產需要不斷的技術更新，技術要更新就必須要有研發投入。三安光電可以制作全色系LED芯片產品，其中包括技術要求較高的高亮度和大功率產品。近年來三安研發投入逐年增加，2013年研發費用達到1.7億元人民幣，占營收的比重將近8%，這是國內任何芯片企業都無法實現的。公司已于2013年末完成了180lm/W產品的研發生產，其技術達到國際領先水平，在國內芯片廠商中首屈一指。過去兩年的芯片競爭情況已經證明，目前國內能夠穩定給下游主流封裝客戶大批量出貨的實質上只有三安光電一家，這就彰顯出公司在技術方面的領先地位。

二是在規模方面。MOCVD機目前公司就有160多臺，遠超國內其他廠商。同時，三安光電已經公布了新的擴產計劃，其將在廈門設立子公司增加LED芯片產能，總規模為200臺MOCVD。項目完全投產后，其MOCVD機數量相比目前將實現超過翻倍的增長。值得指出的是，三安光電在產能利用率方面也具有一定的優勢，其有效產能更是大大高于其他廠商,產品毛利率也一直處于領先地位。充足的產能使得三安光電的營收和利潤不斷增長，其市場份額也穩步提升。2013年，三安光電在國內本土LED芯片市場的份額已經超過30%，已成為行業中的絕對的龍頭企業。

三是在產業鏈協同能力方面。根據公司近兩年來發布的一系列公告，公司正通過投資、收購、合資、合作等形式不斷打通產業鏈，獲取大量優質客戶。在客戶方面分為國內和國外，國外客戶是公司近年來開發的重點。國內，公司先后與兆馳股份、國星光電、聚飛光電等大型LED上市公司簽訂合作協議，據統計，僅上述三家客戶未來3年的訂單金額就達到近10億;國外，公司通過與國外公司合作，如首爾半導體等，布局LED芯片海外代工業務，該塊業務的量將會持續增加;應用品部分，公司與安信能源等客戶簽訂大額采購合作協議，已披露的金額達45億。同時公司全資子公司安瑞光電從事的應用產品業務已得到多款汽車廠商的認證，全資子公司Luminus的業務范圍也在逐步擴大，后續業務空間也將會逐步展現。

如此信息就意味著公司已經在產能擴張、海外市場開拓、核心專利授權網絡布局、下游出海口確認等方面進行戰略布局，初具國際大廠氣象，行業地位繼續加強。所以，三安光電是我國未來最有希望承接國外LED芯片代工需求的廠商。三安光電也將有能力抓住LED芯片代工的浪潮，成長為中國LED芯片代工界的臺積電。

LED產業的最佳投資標的

在價格不斷下跌，品質不斷提升雙重因素的推動下，LED行業已經到了大規模爆發的時點。路燈領域，LED路燈成為新建項目主流選擇，未來全面取代高壓鈉燈大勢所趨。商業照明領域LED滲透率快速提升，從近年來的發展來看，商用照明不僅已成為LED廠商積極搶攻的首要市場，更是未來幾年LED照明市場產值成長主要的動力來源之一。而在家庭照明領域，歐美市場滲透率已經達到了快速提升的區間，在CREE、飛利浦、歐司朗不斷推出平價產品的推動下，未來兩年市場將爆發性成長。在國內，隨著性價比及消費者節能環保意識提升，LED也成為了許多用戶住房裝修的第一選擇。隨著芯片光效、封裝方式進步、規模效應提升，LED燈具價格下跌仍將繼續，2015年國內家庭照明將迎來大規模爆發，也就是說，LED照明時代即將到來。作為全球LED芯片龍頭，公司將成為LED照明時代最受益標的，也將成為A股市場LED產業的最佳投資標的。

值得指出的是，公司未來的產業發展空間在不斷拓展。公司日前與成都亞光成立合資公司，進行寬禁帶半導體的研發和生產。寬禁帶半導體主要包括金剛石、SiC、GaN等。和第一代(Si)、第二代(GaAs)半導體材料相比，第三代半導體材料具有禁帶寬度大，電子漂移飽和速度高、介電常數小、導電性能好的特點，其本身具有的優越性質及其在微波功率器件領域應用中潛在的巨大前景，非常適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。

目前SiC和GaN最大的應用領域為LED行業，未來兩年將在功率器件及電力電子器件領域爆發性成長。首先，GaN適用于高頻大功率應用，是微波器件最為理想的材料，其功率密度是現有GaAs器件的10倍，將成為下一代雷達技術的標準。目前美軍干擾機和“宙斯盾”驅逐艦的相控陣雷達開始換裝GaN產品，軍用市場將在未來幾年推動GaN微波器件的快速發展;在電力電子領域，寬禁帶半導體能夠降低50%的電力損耗，SiC適用于1200V以上高壓應用，GaN適用于中低壓高頻應用。SiC單晶制備工藝相對成熟，同質外延易于制備縱向結構的器件提高耐壓性能，商業化的SiC器件耐壓在600至1200V，適用于風力發電、鐵路機車、電網等大功率應用。公司作為國內相關技術積累最深厚的公司之一，未來必將在寬禁帶半導體的藍海市場占據一席之地，從而打開公司未來更為樂觀的產業成長空間，這也是公司未來市值迅速提升的一個重要驅動力量。