芯片是LED最關鍵的原物料，其質量的好壞，直接決定了LED的性能。特別是用于汽車或固態照明設備的高端LED，絕對不容許出現缺陷，也就是說此類設備的可靠性必須非常高。然而，LED封裝廠由于缺乏芯片來料檢驗的經驗和設備，通常不對芯片進行來料檢驗，在購得不合格的芯片后，往往只能吃啞巴虧。LED芯片來料檢驗的業務通過運用高端分析儀器鑒定芯片的優劣情況。這一檢測服務能夠作為LED封裝廠/芯片代理廠來料檢驗的補充，防止不良品芯片入庫，避免因芯片質量問題造成燈珠的整體損失。

檢測項目：

一、芯片各項性能參數測試

Wd(主波長)、Iv(亮度)、Vf(順向電壓)、Ir(漏電)、ESD(抗靜電能力)等芯片的光電性能測試，鑒定供應商提供的產品數據是否達標。

二、芯片缺陷查找

檢測內容：

1. 芯片尺寸測量，芯片尺寸及電極大小是否符合要求，電極圖案是否完整。

2. 芯片是否存在焊點污染、焊點破損、晶粒破損、晶粒切割大小不一、晶粒切割傾斜等缺陷。

LED芯片的受損會直接導致LED失效，因此提高LED芯片的可靠性至關重要。蒸鍍過程中有時需用彈簧夾固定芯片，因此會產生夾痕。黃光作業若顯影不完全及光罩有破洞會使發光區有殘余多出的金屬。晶粒在前段制程中，各項制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨等作業都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會有晶粒電極刮傷的情況發生。

芯片電極對焊點的影響：芯片電極本身蒸鍍不牢靠，導致焊線后電極脫落或損傷;芯片電極本身可焊性差，會導致焊球虛焊;芯片存儲不當會導致電極表面氧化，表面玷污等等，鍵合表面的輕微污染都可能影響兩者間的金屬原子擴散，造成失效或虛焊。

3. 芯片外延區的缺陷查找

LED外延片在高溫長晶過程中，襯底、MOCVD反應腔內殘留的沉積物、外圍氣體和Mo源都會引入雜質，這些雜質會滲入磊晶層，阻止氮化鎵晶體成核，形成各種各樣的外延缺陷，最終在外延層表面形成微小坑洞，這些也會嚴重影響外延片薄膜材料的晶體質量和性能。快速鑒定芯片外延區缺陷的檢測方法能夠低成本、快速地檢測出芯片外延層80%的外延缺陷，幫助LED客戶選擇高質量的外延片、芯片。

4. 芯片工藝和清潔度觀察

電極加工是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨，會接觸到很多化學清洗劑，如果芯片清洗不夠干凈，會使有害化學物殘余。這些有害化學物會在LED通電時，與電極發生電化學反應，導致死燈、光衰、暗亮、發黑等現象出現。因此，鑒定芯片化學物殘留對LED封裝廠來說至關重要。

案例分析(一)：

某客戶紅光燈珠發現暗亮問題，但一直找不出原因，委托查找分析失效的原因。經過一系列儀器分析排除封裝原因后，對供應商提供的裸晶進行檢測，發現每一個芯片的發光區域均有面積不等的污染物，能譜分析結果顯示該污染物包含C、O兩種元素，表明污染物為有機物。我們建議客戶注重對芯片廠商的生產工藝規范和車間環境的考核，并加強對芯片的來料檢驗。

案例分析(二)：

某客戶生產的一批燈珠出現漏電問題，委托查找原因。通過掃描電鏡鑒定這批燈珠漏電原因為靜電擊穿，并對供應商提供的裸晶進行檢測，發現芯片外延層表面有大量黑色空洞，這些缺陷表明外延層晶體質量較差，PN結內部存在缺陷。空洞的發現，幫助客戶明確責任事故的負責方，替客戶挽回損失。

注：LED芯片的制造工藝流程

LED芯片的制造工藝流程圖

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

在生長成外延片后，下一步就開始對LED外延片做電極(P極，N極)，接著就開始用激光機或鉆石刀切割LED外延片，制造成芯片后，然后在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數測試。這主要是對電壓、波長、亮度進行測試，符合正常出貨標準參數的晶圓片繼續下一步的操作，不符合要求的，就放在一邊另行處理。晶圓切割成芯片后，需要100%的目檢(VI/VC)，操作者要在放大30倍數的顯微鏡下進行目測。接著使用全自動分類機根據不同的電壓、波長、亮度的預測參數對芯片進行全自動化挑選、測試和分類。最后對LED芯片進行檢查(VC)和貼標簽。芯片類型、批號、數量和光電測量統計數據記錄在標簽上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最后的目檢測試，目檢標準與第一次相同，確保芯片排列整齊和質量合格。這就是LED芯片的制造流程。