科銳(Nasdaq: CREE)近日宣布最新SiC功率器件技術突破，推出業界首款900V MOSFET平臺。新型900V平臺優化設計，適合包括可再生能源逆變器、電動汽車充電系統、三相工業電源在內的高頻電力電子應用，實現下一代更小尺寸、更高效率的電源轉換系統，而成本與Si基方案相當。新型器件令現有Si基方案黯然，在高頻化電力電子應用中，提供顯著系統級性能和成本優勢。

科銳功率與射頻事業部副總裁兼總經理Cengiz Balkas博士表示：“科銳作為SiC功率器件的技術領先者，我們致力于突破性能屏障，這對于電源轉換設計很重要。與同等Si基MOSFET相比較，這一突破性的900V SiC基平臺可以擴大在終端系統中的功率范圍，將為我們的產品開辟出一個新市場。我們先前推出了1200V MOSFET，比之高電壓IGBT，展現了卓越的性能。現在我們又推出900V SiC基平臺，將領先900V超結Si基MOSFET技術。這一平臺提供非常卓越的特性，從而為電源設計者們提供了更多的創新空間，以實現更小尺寸、更快速度、更低溫度、更高效率的電源方案。毋庸置疑，它將超越目前Si基方案所能達到的限制。”

基于科銳業界領先的SiC平面技術，這一新型900V MOSFET平臺擴展了產品組合，可應對新型且不斷演變的應用市場中的設計挑戰，適用更高直流母線電壓。主導產品C3M0065090J比之目前市面上任何一款900V MOSFET，可以實現最低的額定導通電阻，達到65mΩ。不僅如此，除業界標準TO247-3 / TO220-3封裝之外，這一新型器件還可以提供低阻抗D2Pak-7L表面貼封裝，采用開爾文(Kelvin)連接，幫助減小柵極振蕩。

由于非常高的開關損耗和較差的內部體二極管，現有900V Si基MOSFET在高頻率開關電路中有較多的局限性。Si基MOSFET的另一局限在于導通電阻Rds(on)，提高了超過3倍的溫度，這將導致散熱問題和顯著降額。與之不同的是，科銳新型900V MOSFET技術，可以在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，這將顯著減小熱管理系統的尺寸。

科銳 C3M0065090J 額定900V / 32A，在25°C條件下導通電阻Rds(ON)為65mΩ。在更高溫度(Tj = 150°C)工作時，導通電阻Rds(ON)也只有90mΩ。封裝器件將通過DigiKey與Mouser進行備貨。

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