科技部中期檢查現(xiàn)場
 

　　該課題針對(duì)直徑4、6英寸SiC單晶生長和加工技術(shù)以及SiC襯底上的高質(zhì)量GaN外延生長開展了研究，并通過制備器件驗(yàn)證襯底和外延層質(zhì)量，在提高4英寸和6英寸SiC晶體質(zhì)量、降低微管密度、改善表面質(zhì)量、SiC襯底上GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長、以及GaN基HEMT器件研制等方面取得了一系列進(jìn)展，4英寸導(dǎo)電和半絕緣4H型SiC晶體XRD搖擺曲線半高寬25和30arcsec，微管密度0.25和1.34個(gè)cm-2，晶片Warp、Bow、TTV、LTV檢測結(jié)果分別達(dá)到15μm、-8μm、3.5μm和1.5μm，表面粗糙度小于0.3nm，晶片加工質(zhì)量接近國際同類產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)，現(xiàn)有技術(shù)可以加工出低表面粗糙度、無劃傷、無亞損傷的4英寸4H晶片。已生長出6英寸導(dǎo)電型SiC晶體，并開展晶片加工技術(shù)研發(fā)。GaN外延層位錯(cuò)密度3x107cm-2，GaN基HEMT器件擊穿電壓700V。為最終完成課題任務(wù)指標(biāo)打下了良好基礎(chǔ)。

　　4英寸4H偏振光觀察無相變反饋6英寸4H導(dǎo)電型晶體