29日,在《北京技術創新行動計劃(2014—2017年)》系列成果發布之“先導與優勢材料創新發展”專場,北京市科委會同專項項目承擔單位發布了“12納米碳納米管集成電路CMOS器件研制”等10項先導與優勢材料領域國際國內領先成果。
2014年4月14日,北京市政府發布實施《北京技術創新行動計劃(2014—2017年)》,開展基礎性、戰略性、前沿性科學研究和共性技術研究,加大科技創新儲備,培育先導技術和戰略性新興產業等工作。“先導與優勢材料創新發展”專項部署了3項重點任務,即納米材料原始創新和集聚發展、先導材料國產化開發和高端產業培育、優勢材料產業競爭力提升和輻射帶動。到2017年,推進納米材料在信息、能源、環境、生物醫藥等領域的應用,實現80項以上納米重大科技成果的轉化,實現20項以上高溫合金、增材制造材料等先導材料及其應用產品的開發和批量生產,持續提升非晶帶材、高性能磁性材料等優勢材料的創新能力和市場競爭力。
北京市科委相關負責人介紹,專項實施以來,北京市科委圍繞納米技術原始創新、納米產業園建設、第三代半導體材料及器件研制內容重點布局,累計立項支持了59個項目(課題)。圍繞納米、第三代半導體材料等領域重點布局,在納米技術原始創新,搶占國際制高點、第三代半導體材料及器件在光電子、電力電子、微波射頻三大領域應用方面取得重大突破;圍繞產業鏈布局創新鏈,著力打造科技成果批量轉化通道;創新機制市科委與各區縣共建產業園,實現科技與產業對接。