中國制造要升級到中國創(chuàng)造,并走向國際市場,中國標(biāo)準(zhǔn)須先行。經(jīng)過近十年潛心研發(fā)培育,LED產(chǎn)業(yè)終于迎來中國標(biāo)準(zhǔn)。
最近獲悉, 2015年度國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)擬于2016年1月份在人民大會(huì)堂舉辦頒獎(jiǎng)典禮。據(jù)分析,備受矚目的技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)有望花落“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”項(xiàng)目(下稱“硅襯底項(xiàng)目”)。硅襯底項(xiàng)目的主要參與人員孫錢昨日對上證報(bào)記者表示,從國家戰(zhàn)略層面講,硅襯底技術(shù)是我國擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)路線,可以構(gòu)建中國完全自主的LED產(chǎn)業(yè)。
與硅襯底技術(shù)并列LED三大技術(shù)路線的藍(lán)寶石襯底技術(shù)曾獲2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。有產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)學(xué)家表示,在成本持續(xù)下降的背景下,硅襯底技術(shù)如若能獲得資本大力追捧,LED產(chǎn)業(yè)格局有望被重塑。
有望獲國家大獎(jiǎng)“加持”
16日國務(wù)院常務(wù)會(huì)議通過2015年度國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)評選結(jié)果,根據(jù)此前的初評公示及歷史經(jīng)驗(yàn)判斷,2015年國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)有望被 “硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”奪取,因?yàn)檫@是本年度唯一一個(gè)入選該獎(jiǎng)項(xiàng)初評一等獎(jiǎng)的項(xiàng)目。
“硅襯底高光效GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管”由江西省申報(bào),項(xiàng)目主要參與人員包括南昌大學(xué)的江風(fēng)益教授、晶能光電(江西)有限公司的孫錢等人。
項(xiàng)目資料顯示,該項(xiàng)目率先攻克硅基相關(guān)難題,所生產(chǎn)的硅襯底LED各項(xiàng)指標(biāo)在同類研究中均處于國際領(lǐng)先地位,并與碳化硅、藍(lán)寶石兩條技術(shù)路線水平持平;并從襯底加工、外延生長、芯片制造、器件封裝四大環(huán)節(jié)均發(fā)明了適合硅襯底高光效藍(lán)光LED生產(chǎn)的關(guān)鍵核心技術(shù),自成體系;該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)申請或擁有國際國內(nèi)專利232項(xiàng),其中已授權(quán)發(fā)明專利127項(xiàng),實(shí)現(xiàn)了外延芯片核心部件每一層都有專利保護(hù)。
據(jù)介紹,國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)判定標(biāo)準(zhǔn)為:屬國內(nèi)外首創(chuàng)的重大技術(shù)發(fā)明或創(chuàng)新,技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)達(dá)到了同類技術(shù)領(lǐng)先水平,且推動(dòng)相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步且已產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)或者社會(huì)效益。
“硅襯底技術(shù)確實(shí)應(yīng)該獲得這個(gè)大獎(jiǎng),他打破了日美國家在這個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)壟斷,這是國家大力支持科技發(fā)明的體現(xiàn)。”一位接近國務(wù)院高層的產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)學(xué)家如此評價(jià)。
LED芯片襯底主要有三條技術(shù)路線:碳化硅襯底、藍(lán)寶石襯底、硅襯底。其中,前者走的是“貴族路線”,成本高昂,其襯底及LED制備技術(shù)被美國公司壟斷。藍(lán)寶石襯底技術(shù)則主要掌握在日本公司手中,成本較低,這是目前市場上的主流路線;但藍(lán)寶石晶圓散熱較差,晶體垂直生長困難很難做到大尺寸、無法制作垂直結(jié)構(gòu)的器件,襯底也較難剝離。而第三條路線就是中國自主發(fā)展起來的硅襯底技術(shù),它彌補(bǔ)了前兩大技術(shù)路線之不足。
“藍(lán)寶石技術(shù)發(fā)明者曾獲2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng),從這個(gè)角度而言,硅襯底技術(shù)獲得中國國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)的可能性很大。”有LED產(chǎn)業(yè)人士如此表示。
中國標(biāo)準(zhǔn)將重塑產(chǎn)業(yè)鏈
上述業(yè)內(nèi)人士表示,硅襯底項(xiàng)目的重大創(chuàng)新意義在于:硅基氮化鎵技術(shù)是中國自主研發(fā)、擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)路線,將構(gòu)建中國LED產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn),凸顯產(chǎn)業(yè)后發(fā)優(yōu)勢;這一技術(shù)也將獲得國家的大力支持與推廣,對我國的LED產(chǎn)業(yè)格局有望產(chǎn)生革命性的影響。
硅基襯底具有良好的穩(wěn)定性和導(dǎo)熱性,且具有原材料成本低廉,晶圓尺寸大等優(yōu)點(diǎn)。某業(yè)內(nèi)資深人士表示,集成電路6寸和8寸生產(chǎn)線產(chǎn)能很多,如果硅基襯底技術(shù)成熟,LED產(chǎn)品價(jià)格降低一半是可期的。
孫錢在前人研究的基礎(chǔ)上,大膽創(chuàng)新并利用多層AlGaN(氮化鎵異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管) 緩沖層技術(shù),利用高溫外延生長時(shí)建立起來的壓應(yīng)力抵消降溫過程中應(yīng)熱膨脹系數(shù)的差異而引起的張應(yīng)力,從而避免了氮化鎵薄膜中龜裂的產(chǎn)生,實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量無裂紋的氮化鎵。這也為進(jìn)一步研發(fā)出適合硅基氮化鎵的多量子阱發(fā)光有源區(qū)和PN結(jié)摻雜等提供了優(yōu)異的材料基礎(chǔ),真正實(shí)現(xiàn)了硅襯底氮化鎵基LED的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)路線。
“中國已經(jīng)超越美國成為全世界最大的LED應(yīng)用市場,如果硅基氮化鎵技術(shù)獲得中國政府大力推廣,中國市場的變化最終也會(huì)牽引全球產(chǎn)業(yè)變遷。”有LED行業(yè)人士如此分析。
孫錢表示,從國家戰(zhàn)略層面講,硅基氮化鎵技術(shù)是我國擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)路線,可以構(gòu)建中國完全自主的LED產(chǎn)業(yè);從產(chǎn)業(yè)層面講,基于硅材料的價(jià)格低廉和易于獲取、硅基氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢,利用成熟的集成電路產(chǎn)能,可以推動(dòng)從設(shè)備到芯片、封裝等全產(chǎn)業(yè)鏈成本大為下降。“硅基氮化鎵技術(shù)接下來應(yīng)該會(huì)得到國家相關(guān)政策的進(jìn)一步扶持和支持,這對LED整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈都將會(huì)有巨大的影響,我們非常期待這些政策的落地。”孫錢如此說。
多家LED公司率先布局
盡管目前市場上主流技術(shù)還是藍(lán)寶石襯底技術(shù),但在江西省“十三五”規(guī)劃里,依托硅襯底技術(shù)大力發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)群是重頭戲之一。江西省當(dāng)?shù)豅ED企業(yè)已經(jīng)率先布局。
晶能光電是襯底技術(shù)的“扛旗”者。該公司不僅受讓了該項(xiàng)成果,而且在2008年5月實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化。目前已成為全球第一家量產(chǎn)高功率、高性能的硅襯底LED芯片公司。據(jù)公開資料顯示,晶能光電曾獲金沙江創(chuàng)投大力投資,在其推動(dòng)下,港股順風(fēng)清潔能源于2015年5月收購了晶能光電59%股權(quán)。根據(jù)雙方約定,晶能光電將在市值30億美元時(shí)獨(dú)立上市。“順風(fēng)清潔能源也是看中了公司的技術(shù)路線,看好其產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景。”孫錢表示,“晶能光電后續(xù)與順風(fēng)清潔能源還會(huì)有更多的產(chǎn)業(yè)、資本層面的合作。”
總部位于江西的A股上市公司聯(lián)創(chuàng)光電(22.68 +7.18%,買入)亦值得關(guān)注。據(jù)公司此前年報(bào)披露,早在2007年該公司開展的“基于硅襯底的光電子器件封裝及應(yīng)用”項(xiàng)目即獲重大突破,2008年公司與南昌大學(xué)合作的“半導(dǎo)體照明高亮度功率白光二極管芯片開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目驗(yàn)收。
聯(lián)創(chuàng)光電還在2014年年報(bào)中表示,公司積極參與江西省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)——半導(dǎo)體照明封裝與應(yīng)用協(xié)同創(chuàng)新平臺建設(shè),成為首批江西省5家協(xié)同創(chuàng)新體之一 ,申請到政府產(chǎn)業(yè)發(fā)展科研政策扶持約2000萬元配套資金,為推動(dòng)公司LED產(chǎn)業(yè)的持續(xù)升級和跨越發(fā)展創(chuàng)造了條件。
除此之外,A股真正涉及硅襯底技術(shù)的公司目前尚未發(fā)現(xiàn)有公開披露。不過有LED行業(yè)人士指出,硅襯底技術(shù)打破了發(fā)達(dá)國家的技術(shù)壁壘,打開了LED行業(yè)自主發(fā)展空間。江西省工信委主任曾提出建議,將硅襯底LED產(chǎn)業(yè)化上升為國家戰(zhàn)略。若技術(shù)路線得以逆襲,乾照光電(10.29 +10.05%,買入)、聚飛光電(11.81 +9.96%,買入)、雪萊特(18.45 +10.02%,買入)等小市值LED公司有望發(fā)揮“船小好掉頭”優(yōu)勢,向新技術(shù)轉(zhuǎn)型。
除LED照明領(lǐng)域外,接受采訪的業(yè)內(nèi)人士均看好硅基氮化鎵在集成電路(IC)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。某LED上市公司研發(fā)人員表示,雖然公司暫未涉及硅基發(fā)光領(lǐng)域的研究,但非常看好硅基氮化鎵與IC制程的結(jié)合,這可能將使得計(jì)算機(jī)CPU實(shí)現(xiàn)光子傳輸。某業(yè)內(nèi)致力于該領(lǐng)域的人士則表示硅基氮化鎵在硅光子、傳感器、功率器件、RF射頻等領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用需求。
“硅襯底技術(shù)如獲國家大獎(jiǎng),從側(cè)面說明其技術(shù)上已經(jīng)達(dá)到國際一流水平,但能否在產(chǎn)業(yè)上實(shí)現(xiàn)格局重構(gòu),還需看其成本優(yōu)勢有多大,因?yàn)檫@個(gè)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)很市場化,除了國家政策扶持外,資本力量的推動(dòng)也非常重要。如果該技術(shù)獲得包括風(fēng)投、A股市場資本的持續(xù)追捧,則有望闖出新天地。這還需要時(shí)間觀察。”上文接近國務(wù)院高層專家如此表示。