中國半導體照明網訊：1月8日，國家科學技術獎勵大會在北京人民大會堂隆重舉行，由南昌大學、晶能光電（江西）有限公司、中節能晶和照明有限公司共同完成的“硅襯底高光效氮化鎵基藍色發光二極管項目”榮獲國家技術發明一等獎。項目主要完成人包括晶能光電聯合創始人、南昌大學副校長江風益教授，晶能光電副總裁孫錢博士，晶能光電聯合創始人、CEO及晶和照明創始人王敏博士等人。
項目主要完成人之一--江風益教授
在半導體照明領域存在三條LED技術路線，分別是藍寶石襯底、碳化硅襯底和硅襯底LED技術路線。其中，前兩條技術路線分別是以日本和美國為主發展起來的，藍寶石襯底技術的三位主要發明人獲得了2014年度諾貝爾物理學獎；碳化硅襯底LED技術的發明人獲得了2003年美國總統技術發明獎。
據介紹，國家技術發明一等獎判定標準為：屬國內外首創的重大技術發明或創新，技術經濟指標達到了同類技術領先水平，且推動相關領域技術進步且已產生顯著的經濟或者社會效益。
硅襯底LED技術從南昌大學誕生，晶能光電投巨資持續研發并產業化，并經晶和照明等眾多企業應用推廣，已經從實驗室走向市場。此次硅襯底LED項目脫穎而出，成為2015年度唯一一個國家技術發明一等獎，這是國家層面對該技術創新和應用的高度肯定。
硅襯底具有良好的導熱性，且具有原材料成本低廉，晶圓尺寸大等優點。在硅襯底上制備氮化鎵基LED一直是業界夢寐以求的事情。然而由于硅和氮化鎵這兩種材料巨大的晶格失配和熱失配導致的外延膜龜裂、晶體質量差，以及襯底不透明導致的出光效率低等問題長期未能解決，致使業界普遍認為，在硅襯底上制備高光效氮化鎵基LED是不可能的。
以江風益教授為首的研發團隊率先攻克這些世界性難題，在南昌大學實驗室研發出具有原創知識產權的硅襯底LED技術。2006年，該技術獲得金沙江等知名創投的A輪投資，由江風益教授和王敏博士聯合創立晶能光電，專注于硅襯底LED技術的產業化。
歷經十年艱苦，后又陸續獲得新加坡淡馬錫牽頭的B輪融資、國際金融公司（IFC）牽頭的C輪融資以及亞太資源牽頭的D輪融資支持；又在金沙江等投資人的共同努力下，引進趙漢民博士、孫錢博士等多名優秀海歸共同奮斗，晶能光電率先于全球成功實現硅襯底LED技術大規模產業化。
2014年8月美國能源部《固態照明研究與發展制造藍圖 (Manufacturing Roadmap：Solid-State Lighting Research and Development)》報告中寫道：“晶能光電是硅襯底LED技術的最早實踐者，并在 2012 年 6 月開始量產硅襯底氮化鎵LED芯片”。這是國際上對晶能光電在硅襯底LED技術和產業化方面領跑的肯定。
作為全球硅襯底LED技術的領導者，晶能光電用短短十年時間將一項實驗室技術發展成為全球第三條藍光LED技術路線，完成全球硅襯底LED專利布局。目前，圍繞該項目已申請專利330多項，已授權專利147項，其中授權國際專利47項。這些專利將是構建中國LED產業知識產權池的基石，對我國的LED產業格局和產業安全將產生重大的影響。
據晶能光電孫錢博士介紹，硅襯底LED技術仍有巨大的發展空間，可望獲得大尺寸外延片，以便結合集成電路6寸和8寸的裝備以及成熟的產線組織和管理經驗，進行大規模自動化制造，從而提高生產效率，使LED產品綜合成本進一步大幅度降低，這或將影響全球LED行業，改變競爭格局。
項目主要完成人之一--孫錢博士（右一）
江風益教授進一步展望：“基于藍光LED加熒光粉的照明技術路線，還只是一種過渡性技術方案。我們正努力攻關硅襯底黃光、綠光LED技術，將使無需熒光粉的LED照明技術成為現實。”
目前晶能光電量產的硅襯底大功率LED發光效率已經超過160Lm/W，在同類產品中可與歐美日國際大廠水平相媲美，成功打破了國際大廠對高端大功率LED的壟斷。憑借可靠性好、指向性好、高品質出光、性價比好等特點，硅襯底LED在大功率照明領域已有廣泛的應用，在某些高端市場如車燈照明、移動照明等已經占據較大的份額；手機閃光燈已成功進入中興、華為、聯想等國內一線手機品牌，晶能光電現已成為國內出貨量最大的公司。
歷經十年發展，晶能光電已經探索出一條以技術引進資本，以資本撬動產業的發展模式，通過產業鏈上、中、下游垂直布局，已形成擁有12家企業的硅襯底LED產業集群雛形，輻射帶動效應明顯。
項目主要完成人之一--王敏博士
王敏博士說，硅襯底LED技術和晶能光電是國家創新戰略的受益者，得到了各級政府的大力扶持。晶能光電將以此次獲獎為契機，在投資人和政府的大力支持下，整合各方面資源，加快產業規模擴張的步伐。經過十年的發展，硅襯底LED技術和工藝已經成熟，公司在生產運營、銷售管理、資本運作等方面也有良好的積累，發展已經到了爆發的拐點。晶能光電將以更加開放的心態，希望越來越多的資本和企業加入到硅襯底LED產業鏈中來，共筑LED的“中國芯，中國夢”。
