日本田中貴金屬工業公司和S.E.I公司2016年4月4日宣布，使用含有金顆粒（0.1μm級）的低溫接合材料“AuRoFUSE”，開發出了可滿足高輸出功率要求的LED模塊。LED照明在亮燈時產生的熱量的影響下，輸出功率會下降，因此，LED模塊存在如何提高散熱性的問題。而此次的新產品解決了這一問題。
模塊示例。照片出自和光電研及S.E.I。
具體方法是，使用AuRoFUSE作為接合材料進行倒裝芯片鍵合，而不是目前的主流方式——引線鍵合。倒裝芯片鍵合是利用突起的端子（凸塊）以電氣方式將芯片連接到引線框架及基板上的方法，直接將LED芯片接合到基板上，作為熱源的發光面靠近基板，因此容易使熱量散發。另外，通過去掉引線，不僅可省去引線占用的空間，實現小型化，而且還可提高電氣特性。
新開發的模塊的構造。圖片出自田中貴金屬和S.E.I。
不過，以往在進行倒裝芯片鍵合時，必須在基板上使用昂貴的氮化鋁。這是因為價格低廉的金屬基板與LED芯片的熱膨脹系數存在很大差異，接合處容易破損。而在此次的技術中，作為接合材料的AuRoFUSE含有金顆粒，這些金顆粒可緩和熱膨脹時的變形，因此可使用價格低廉的金屬基板。憑借這一技術，便可實現LED模塊的高輸出功率化和小型化。
田中貴金屬將在2016年4月6日于東京有明國際會展中心舉行的“日本第3屆高功能金屬展”上，通過該公司的展臺展出此次的LED模塊。該公司今后的目標是，將該LED模塊的用途范圍擴展至進出口冷凍倉庫以及可利用小型化優點的車載照明等領域。
