5/21 早上

寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)應(yīng)用

Applications of WBG power electronics

1、 Power Semiconductor Devices for Energy Internet（應(yīng)用于能源互聯(lián)網(wǎng)的功率半導(dǎo)體）

Prof. Yufeng Qiu, Global Energy Interconnection Research Institute

（邱宇峰，國(guó)網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院）

2、 Is GaN a game-changing device （GaN器件能改變游戲規(guī)則嗎）

Prof. Qiang Li, Virginia Tech, USA （美國(guó)佛吉尼亞理工大學(xué)）

3、 Driving and characterization of wide bandgap semiconductors for voltage source converter applications （應(yīng)用于電壓源變換器的寬禁帶半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)和表征）

Prof. Fred Wang, University of Tennessee, USA（美國(guó)田納西大學(xué)）

4、 Installation of all-SiC invertor system to hybrid electric vehicle （全SiC逆變器應(yīng)用于混合動(dòng)力汽車(chē)）

Dr. Kimimori Hamada, Toyota Motor Corporation（日本豐田公司）

5、 寬禁帶半導(dǎo)體的電力電子應(yīng)用

Prof. Xu Yang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大學(xué)楊旭教授））

5/21 下午

寬禁帶半導(dǎo)體電力電子封裝技術(shù)

Packaging for WBG power electronics

1、 Development of Lead-free, Low-temperature Sintering Die-Attach Technique for High-performance and High-temperature Packaging （應(yīng)用于高效、高溫的無(wú)鉛低溫?zé)Y(jié)的粘片技術(shù)）

Prof. Guo-Quan Lu, Virginia Tech, USA（美國(guó)佛吉尼亞理工大學(xué)）

2、 Packaging technologies to exploit the attributes of WBG power electronics （充分發(fā)掘?qū)捊麕щ娏﹄娮犹匦缘姆庋b技術(shù)）

Dr. Zhenxian Liang, Oak Ridge National Lab, USA（美國(guó)橡樹(shù)嶺國(guó)家實(shí)驗(yàn)室）

3、 Status and challenges for high-voltage packaging（高壓封裝的現(xiàn)狀與挑戰(zhàn)）

Prof. Hongwei Zhang, CRRC（中車(chē)西安永電公司張紅衛(wèi)）

4、 寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)

Prof. Puqi Ning, Institute of Electrical Engineering, CAS （中科院電工所寧蒲齊教授））

5、 Packaging and integration of passive components（無(wú)源集成技術(shù)）

Prof. Laili Wang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大學(xué)王來(lái)利教授））

5/22 早上

寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件

WBG power devices

1、 Introduction to SiC devices : physics, working principles, architectures

Prof. James Cooper, Purdue University, USA（美國(guó)普度大學(xué)）

2、 GaN devices

Prof. Yue Hao，Xidian Univeristy（西安電子科技大學(xué)郝躍教授））

3、 GaN power devices

Kevin Chen, University of Science and Technology of Hong Kong

（香港科技大學(xué)陳敬教授）

4、 Progress in SiC MOSFET, IGBT and Thyristors

Prof. Anping Zhang, Xi’an Jiaotong University（西安交通大學(xué)張安平教授）

5、 SiC power devices

Prof. Kuang Sheng, Zhejiang University(浙江大學(xué)盛況教授))

5/22 下午

寬禁帶半導(dǎo)體材料

WBG semiconductor materials

1、 Epitaxial Growth of On-Axis 4H-SiC and Defect Characterization （SiC外延生長(zhǎng)與表征）

Prof. Peder Bergman, Likoping University, Sweden（瑞典林雪平大學(xué)）

2、 Developing technologies of SiC gas source growth Method（SiC襯底的氣相生長(zhǎng)技術(shù)）

Dr. Jun Kojima，Denso Corporation, Japan日本Denso公司

3、 SiC substrates （SiC襯底技術(shù)）

Prof. Xiangang Xu, Shandong University（山東大學(xué)徐現(xiàn)剛教授）

4、 GaN bulk substrate（GaN襯底技術(shù)）

Ke Xu, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, CAS

（中科院蘇州納米所徐科教授）

5、 Epitaxial growth of GaN materials （GaN的外延生長(zhǎng)）

Prof. May Lau, University of Science and Technology of Hong Kong

（香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授）