MOCVD技術是半導體超晶格、量子阱、量子線、量子點結構材料與器件研究的關鍵技術，并且已在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半導體材料及其量子結構的制備上得到廣泛應用，極大地推動了光電子器件和電子器件的發展和產業化，未來也將為化合物半導體科學技術和產業發展帶來更為廣闊的前景。
如今是變化飛速的時代，在新型學科，新材料不斷涌現；新技術、新產品不斷出現的背景下，MOCVD技術有何新的研究進展，呈現怎樣的發展趨勢？又將如何繼續發揮其應有的作用和巨大的發展潛力等，都是業界人士時刻關注的方向。
在新的形勢下，2016年8月16-19日，第十四屆全國MOCVD學術會議將在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市，素有“歌舞之鄉”美稱的延吉市舉行。本屆會議由中國有色金屬學會主辦，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所、國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、發光學及應用國家重點實驗室、應用光學國家重點實驗室和半導體照明聯合創新國家重點實驗室等單位承辦，吉林省科技廳和延邊市科技局也將予以大力協助和支持。
作為MOCVD生長技術和化合物半導體材料器件研發交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學術會議”已經成功舉辦了十三屆，規模和影響越來越大，已成為全國學術界和產業界廣泛關注的學術盛會。
此次大會將圍繞“新形勢下的MOCVD+”主題展開深入探討，來自大陸和臺港地區的與會學者、工程師和企業家，將圍繞MOCVD生長技術、MOCVD設備研發、材料結構與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發等領域展開深入交流，了解發展動態，促進相互合作，推動我國MOCVD學術研究、技術進步以及第三代半導體產業的大力發展。
目前分會組織積極推進，征文火熱進行中，歡迎優秀論文投稿，主要征文內容及要求如下：
會議征文內容：
1．外延生長機理和生長動力學
2．外延結構與物性
3．光電子材料與器件
4．電子材料與器件
5．其他材料與器件
6．封裝技術及封裝材料
7．設備研制與開發
8. 襯底、MO源、高純氣體等基礎材料
會議征文要求：
1．符合上述內容的論文摘要；
2．論文摘要主題突出，內容層次分明，數據準確，論述嚴謹，結論明確，采用法定計量單位；
3．論文摘要以WORD文檔形式準備，包含標題、作者及其單位地址、正文、參考文獻等在內不超過一頁A4紙，相關模板可登錄 http://www.mocvd14.org下載，于2016年6月15日前通過電子郵件方式提交給會議組委會秘書組（mocvd14 @ciomp.ac.cn）；
4．所有論文摘要將編入會議文集，優秀論文推薦到發光學報（EI）上發表。
論文征集熱線：
黎大兵 lidb@ciomp.ac.cn 18686638484；
孫曉娟 sunxj@ciomp.ac.cn
會議報名/商務贊助熱線：
賈欣龍 jiaxl@china-led.net 18310277858
張威威 zhangww@china-led.net 13681329411
唐林冬 tangld@china-led.net 13911869210
有關第十四屆全國MOCVD學術會議的詳情及最新動態請關注會議網站：www.mocvd14.org
