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第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子裝備國產(chǎn)化技術(shù)座談會在聯(lián)盟召開

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2016-05-18 來源:中國半導(dǎo)體照明網(wǎng)瀏覽次數(shù):1135
  5月12日,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟主辦,北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司承辦的“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電子裝備國產(chǎn)化技術(shù)座談會”在中科院半導(dǎo)體所4層會議室成功舉行。
  座談會現(xiàn)場
  出席座談會的領(lǐng)導(dǎo)及專家有,科技部原副部長曹健林,科技部高新司先進(jìn)制造和自動化處處長王靜,科技部高新司材料處副處長孟徽,中科院微電子所所長葉甜春,科技部第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目管理辦公室主任、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)秘書長吳玲,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟技術(shù)顧問、半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室外方主任張國旗,半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、中國科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任李晉閩以及科技部第三代半導(dǎo)體專家組專家中興通訊副總裁、電源研究院院長晏文德,中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副所長蔡樹軍,中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任柏松,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略副秘書長于坤山以及中車、中電科、泰科天潤、中晟光電、北方微電子等一大批裝備及相關(guān)領(lǐng)域的專家參與此次座談會。
  座談會現(xiàn)場
  首先,科技部第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目管理辦公室主任、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、CSA秘書長吳玲介紹與會領(lǐng)導(dǎo)及專家到會情況,并簡要介紹此次座談會背景。她表示:“自2011年起,科技部高新司就啟動了第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用“6+1”重點(diǎn)項(xiàng)目,在十二五末期,經(jīng)過論證,十三五首批國家重點(diǎn)專項(xiàng) “戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”板塊就是第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明。經(jīng)過三四年的時(shí)間,在重點(diǎn)項(xiàng)目的支持下,經(jīng)過產(chǎn)學(xué)研用多方的努力下,第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用的發(fā)展已經(jīng)看到了明確的目標(biāo),就是要搶占全球的話語權(quán)和制高點(diǎn)。”

科技部第三代半導(dǎo)體材料項(xiàng)目管理辦公室主任、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長、CSA秘書長吳玲
  吳玲還表示,第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用現(xiàn)在也越來越清晰,不僅僅是在支撐下一代信息技術(shù),在節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域,特別是在傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的提升方面,例如充電樁的示范、5G通訊的專項(xiàng)等等都做了全面的部署。除了第三代半導(dǎo)體材料背本身應(yīng)用機(jī)會來拉動以外,還有一個(gè)機(jī)會就是裝備的機(jī)會。所以,本次座談會以工藝與裝備一體化為出發(fā)點(diǎn),以第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)業(yè)及應(yīng)用方向、電子裝備國產(chǎn)化現(xiàn)狀與趨勢、碳化硅器件工藝對裝備的需求、氮化鎵器件工藝對裝備的需求、電子裝備國產(chǎn)化建議等內(nèi)容為主題,探討第三代半導(dǎo)體裝備的國產(chǎn)化之路,為國家第三代半導(dǎo)體裝備的國產(chǎn)化提出具體建議,來推動整個(gè)產(chǎn)業(yè)的健康可持續(xù)的發(fā)展。當(dāng)前,我國在微電子方面通過科技部“02專項(xiàng)“在裝備方面已經(jīng)取得了很大的進(jìn)展和成果,在第三代半導(dǎo)體又是一個(gè)機(jī)會,在全球來看第三代半導(dǎo)體裝備還不是很成熟,在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)化及規(guī)模化前夜召開此次座談會來謀劃這件事非常有必要。
  科技部原副部長曹健林為座談會致辭
  緊接著,科技部原副部長曹健林在致辭中指出,進(jìn)入21世紀(jì)以來,中國是世界上最大的發(fā)展中國家,我們在追趕發(fā)展中國家所用的時(shí)間在迅速的縮短。我們不僅要考慮全產(chǎn)業(yè)鏈,還要考慮全產(chǎn)業(yè)鏈的未來發(fā)展。其實(shí),我們作為發(fā)展中國家往往在追趕發(fā)達(dá)國家的過程中就是先生產(chǎn)終端產(chǎn)品,然后再生產(chǎn)這些產(chǎn)品的相關(guān)設(shè)備以及生產(chǎn)相關(guān)產(chǎn)品的所需的原材料和相關(guān)工藝。在趕超的過程也是一個(gè)逐步發(fā)展的過程。在終端產(chǎn)品方面,我國已經(jīng)是世界上最大的市場了,但是我們的裝備和生產(chǎn)這些高新技術(shù)產(chǎn)品所需要的相關(guān)材料和工藝,我們還需要相當(dāng)一段時(shí)間才能趕超。
 
  曹健林表示,通過在以往的實(shí)踐的過程中發(fā)現(xiàn),這種提供材料提供裝備的往往是拿走了第一桶金,讓他們都賺的盆滿缽滿的時(shí)候,那些產(chǎn)能過剩的痛苦都留給了我們,我想這一天不應(yīng)該在長久的繼續(xù)去。更何況我們的先輩曾將說過“工欲善其事,必先利其器。”所以,我們的裝備、材料和工藝決定了我們的制造水平,也決定了我們作為高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)、高新技術(shù)產(chǎn)品在國際上的地位。因此,我們第三代半導(dǎo)體還處在成長的初期狀態(tài),我們中國人也應(yīng)該考慮相關(guān)的裝備、材料和工藝。
 
  其二,我們對自己要有自信心。目前事實(shí)上我們在第三代半導(dǎo)體所涉及的一些裝備,它所需要的精度、所需要的產(chǎn)能的效率以及它目前產(chǎn)業(yè)規(guī)模,所引起國際大公司都還處在一個(gè)起步階段,所以給我們留下了更多的機(jī)會。目前,我們無論是在材料、還是封裝,都已經(jīng)打下了良好的基礎(chǔ),因此再結(jié)合我們擁有全球最大的市場,或許我們不講彎道超車、能夠后來居上,至少未來能成為我們的一個(gè)優(yōu)勢。所以希望通過今天的座談會,看到一些優(yōu)勢和一些突破口的話,立即投入行動,爭取用若干點(diǎn)上的突破,最后實(shí)現(xiàn)我們國家和民族整體的優(yōu)勢。
  中科院微電子所所長 葉甜春
  中科院微電子所所長葉甜春在致辭中表示,寬禁帶半導(dǎo)體除了照明之外,電力電子微波器件可能未來是非常大的突破,一旦做起來,市場會非常大。將來要涉及到新能源,甚至是我們節(jié)能降耗的使用,它可能形成一個(gè)組合方向,硅的、氮化鎵、碳化硅的可能會形成上下游配合起來使用。硅的可以做一些集成,射頻微波是軍用只是一塊,等到5G通訊起來以后一下子就起來了。一旦5G通訊起來以后,氮化鎵必然要往上走的。同時(shí),實(shí)際上我們在“02專項(xiàng)“的支持下,南車、株洲所、國網(wǎng)最近也都在著手和微電子合作,一些常規(guī)的制造設(shè)備,我們已經(jīng)看到國產(chǎn)設(shè)備已經(jīng)構(gòu)成了一個(gè)基礎(chǔ),第三代半導(dǎo)體也是和一二代半導(dǎo)體有相應(yīng)的聯(lián)系,希望能夠堅(jiān)持做下去。
  半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、中國科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任 李晉閩
  半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、中國科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心主任李晉閩表示,早在科技部02專項(xiàng)的時(shí)候就已經(jīng)提出對MOCVD大力支持,實(shí)際上國產(chǎn)的MOCVD48片機(jī)已經(jīng)研發(fā)出來,但是可能在政策上原因,進(jìn)口設(shè)備上是有補(bǔ)貼的,國產(chǎn)設(shè)備沒有補(bǔ)貼,反而在一些零部件上還要交稅,所以也是一個(gè)不公平的。所以跟發(fā)改委、科技部、財(cái)政部反應(yīng)過很多次,好在零部件免稅已經(jīng)放開,對引進(jìn)這方面也是很好的促進(jìn)國產(chǎn)重大裝備的發(fā)展。作為第三代半導(dǎo)體材料無論是碳化硅、氮化鎵,材料一定是最重要的。希望在半導(dǎo)體照明的很好的工業(yè)基礎(chǔ)上,能夠很好的梳理以后的國產(chǎn)化設(shè)備基礎(chǔ),能在未來發(fā)展過程中針對光電子LED的、針對微電子應(yīng)用的電子功率器件的在重大裝備的國產(chǎn)化上,一定要梳理出一條國產(chǎn)化思路,通過大家的共同努力促使我們國家第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用能再上一個(gè)新臺階。
  第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟技術(shù)委員會委員張國旗教授主持邀請報(bào)告環(huán)節(jié)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長 于坤山
  根據(jù)議程,在邀請報(bào)告環(huán)節(jié),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟技術(shù)委員會委員張國旗教授主持會議。首位邀請報(bào)告人是來自第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長于坤山帶來了《第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)業(yè)及應(yīng)用方向》主題報(bào)告,從機(jī)遇也許會稍縱即逝、市場已在敲門、正在形成的產(chǎn)業(yè)、聯(lián)盟能夠發(fā)揮的作用、尋找突破的機(jī)會五個(gè)方面展開介紹。于坤山表示,當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展處于窗口機(jī)遇期,會支撐智能化為特征的產(chǎn)業(yè)升級和高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,電力電子技術(shù)成為支撐未來能源互聯(lián)網(wǎng)、智能電網(wǎng)、電力傳動和智能用電等領(lǐng)域技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然選擇。
  中電科電子裝備有限公司董事 龔杰洪
  緊接著,中電科電子裝備有限公司董事龔杰洪分享了《緊抓寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇,大力推進(jìn)第三代半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化》主題報(bào)告。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所柏松分享了《SiC電力電子器件工藝設(shè)備需求分析》主題報(bào)告;中國電子科技集團(tuán)公司第13研究所副所長蔡樹軍分享了《氮化鎵器件工藝對設(shè)備的需求》主題報(bào)告;其中,龔杰洪表示,第三代半導(dǎo)體(SiC、GaN)引領(lǐng)新一代電子產(chǎn)業(yè),微波射頻、電力電子、半導(dǎo)體照明等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展為第三代半導(dǎo)體裝備國產(chǎn)化帶來了前所未有的機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體裝備的國產(chǎn)化有助于實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主可控發(fā)展,將進(jìn)一步推動我國電力電子、半導(dǎo)體照明等產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)低成本快速擴(kuò)張。

寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所 柏松
  柏松表示,目前,SiC外延爐、高能離子注入機(jī)、高溫退火爐、高溫氧化爐、歐姆退火設(shè)備、高壓動態(tài)測試系統(tǒng)等關(guān)鍵設(shè)備還是依賴進(jìn)口。并且,設(shè)備價(jià)格昂貴、配件采購周期長、工藝開發(fā)缺乏支撐、后服務(wù)難以保障等問題制約著國產(chǎn)設(shè)備的快速發(fā)展。

中國電子科技集團(tuán)公司第13研究所副所長 蔡樹軍
  對于GaN器件生產(chǎn)鏈硬件國產(chǎn)化現(xiàn)狀,蔡樹軍表示,設(shè)計(jì)的器件和軟件GaAs和GaN差異不大。個(gè)性特點(diǎn)(注入、磨片等)總體而言,射頻器件對設(shè)備的要求比電力電子的高。根據(jù)13所工藝線統(tǒng)計(jì),在工藝線設(shè)備總價(jià)值國別分布中,美國占比22%、荷蘭占比20%、英國占比17%、德國占比13%,而中國設(shè)備總價(jià)值僅占全部的10%。百萬元以上關(guān)鍵設(shè)備臺數(shù)國別分布中,國產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備數(shù)占總數(shù)7%;百萬元關(guān)鍵設(shè)備總價(jià)值國別分布中國產(chǎn)設(shè)備僅占4%。可想而知,我國在設(shè)備上虞發(fā)達(dá)國家仍存在明顯差距,設(shè)備國產(chǎn)化占比亟待提高。
  專題討論環(huán)節(jié)
  接下來,在專題討論環(huán)節(jié),與會的專家對“碳化硅器件工藝對裝備的需求”“氮化鎵器件工藝對裝備的需求”展開專題討論。并圍繞下一步的工作重點(diǎn),推動整個(gè)裝備國產(chǎn)化往下推進(jìn)和發(fā)展建議展開討論。

 
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