近年來方興未艾，新技術、新器件不斷涌現，其中以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導體電力電子器件因其工作電壓高，工作速度快、工作效率高，成為新一代半導體電力電子器件領域的寵兒受到追捧。為此，由西安交通大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟和IEEE西安分會主辦的2016年寬禁帶半導體電力電子技術國際研討會將于5月21日至22日在西安交通大學舉辦。

　　本次研討會，還得到西安電子科技大學、中國有色金屬學會寬禁帶半導體分會、中國電子學會電子材料分會、中國電工技術學會的大力協辦，由西安交通大學電力系統電氣絕緣國家重點實驗室全力承辦。作為寬禁帶半導體電力電子領域國內首次舉辦的高端論壇，邀請了美國、歐洲和日本的10位著名專家教授和10位國內的相關專家教授做報告，涉及寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶半導體電力電子器件和寬禁帶半導體材料生長等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。

 

　　屆時，研討會將聚集眾多國內外專家對“寬禁帶半導體電力電子技術應用”、“寬禁帶半導體電力電子封裝技術”、“寬禁帶半導體電力電子電子器件”和“寬禁帶半導體材料”四大主題進行專題研討，歡迎相關領域專家企業單位代表參與交流。