為了深入交流MOCVD技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)的新理論、新進(jìn)展及其在材料應(yīng)用領(lǐng)域的新動(dòng)態(tài)、新成果；探討現(xiàn)有問題和未來發(fā)展方向；促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研結(jié)合進(jìn)程，加快我國MOCVD技術(shù)創(chuàng)新及推廣應(yīng)用，2016年8月16-19日，第十四屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議將在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市，素有“歌舞之鄉(xiāng)”美稱的延吉市舉行。
本屆會(huì)議由中國有色金屬學(xué)會(huì)主辦，中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、發(fā)光學(xué)及應(yīng)用國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、應(yīng)用光學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等單位承辦，吉林省科技廳和延邊市科技局也將予以大力協(xié)助和支持。
全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議作為MOCVD生長技術(shù)和化合物半導(dǎo)體材料器件研發(fā)交流的平臺(tái)，自1989年第一屆會(huì)議舉辦以來，已經(jīng)成功舉辦了十三屆，28年的傳承與積淀使大會(huì)成為全國學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界廣泛關(guān)注的學(xué)術(shù)盛會(huì)，規(guī)模和影響不斷擴(kuò)大。2016年8月16-19日，全國MOCVD頂級(jí)專家將齊聚第十四屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議，圍繞“新形勢(shì)下的MOCVD+”主題，深入探討在新型學(xué)科，新材料不斷涌現(xiàn)；新技術(shù)、新產(chǎn)品不斷出現(xiàn)的背景下，MOCVD將如何繼續(xù)發(fā)揮其應(yīng)有的作用和巨大的發(fā)展?jié)摿Α?/div>
據(jù)大會(huì)組委會(huì)介紹，今年大會(huì)將在內(nèi)容與形式上嘗試創(chuàng)新與突破，屆時(shí)，來自大陸和臺(tái)港地區(qū)的與會(huì)學(xué)者、工程師和企業(yè)家將齊聚一堂，圍繞MOCVD生長技術(shù)、MOCVD設(shè)備研發(fā)、材料結(jié)構(gòu)與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，了解發(fā)展動(dòng)態(tài)，促進(jìn)相互合作，推動(dòng)我國MOCVD學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大力發(fā)展。
目前，大會(huì)各個(gè)分會(huì)正積極有序推進(jìn)，會(huì)議征文內(nèi)容也按照外延生長機(jī)理和生長動(dòng)力學(xué)；外延結(jié)構(gòu)與物性；光電子材料與器件；電子材料與器件；其他材料與器件；封裝技術(shù)及封裝材料；設(shè)備研制與開發(fā)和襯底、MO源、高純氣體等基礎(chǔ)材料廣泛征文。
據(jù)了解，目前組委會(huì)已陸續(xù)收到高質(zhì)量論文數(shù)篇。自論文征集活動(dòng)開始以來，受到各大科研院所、機(jī)構(gòu)及高校、企業(yè)等科研、技術(shù)人員的積極參與。組委會(huì)相關(guān)人士表示，“凡符合會(huì)議征文要求的所有征集到的論文摘要均被編入會(huì)議文集，優(yōu)秀論文將被推薦至發(fā)光學(xué)報(bào)（EI）發(fā)表，并有機(jī)會(huì)遴選為會(huì)議現(xiàn)場(chǎng)POSTER展示交流。“
目前，征文仍在火熱進(jìn)行，歡迎優(yōu)秀論文投稿。如有意投稿的作者，請(qǐng)于2016年6月15日前，通過電子郵件方式提交給會(huì)議組委會(huì)秘書組（mocvd14 @ciomp.ac.cn）。
征文內(nèi)容：
1．外延生長機(jī)理和生長動(dòng)力學(xué)
2．外延結(jié)構(gòu)與物性
3．光電子材料與器件
4．電子材料與器件
5．其他材料與器件
6．封裝技術(shù)及封裝材料
7．設(shè)備研制與開發(fā)
8. 襯底、MO源、高純氣體等基礎(chǔ)材料
征文要求：
1．符合上述征文內(nèi)容要求的論文摘要；
2．論文摘要主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，論述嚴(yán)謹(jǐn)，結(jié)論明確，采用法定計(jì)量單位；
3．論文摘要以WORD文檔形式準(zhǔn)備，包含標(biāo)題、作者及其單位地址、正文、參考文獻(xiàn)等在內(nèi)不超過一頁A4紙，相關(guān)模板可登錄 http://www.mocvd14.org下載；
4. 2016年6月15日前，通過電子郵件方式提交給會(huì)議組委會(huì)秘書組（mocvd14 @ciomp.ac.cn）；
論文征集熱線：
黎大兵 lidb@ciomp.ac.cn 18686638484；
孫曉娟 sunxj@ciomp.ac.cn
會(huì)議報(bào)名/商務(wù)贊助熱線：
賈欣龍 jiaxl@china-led.net 18310277858
張威威 zhangww@china-led.net 13681329411
唐林冬 tangld@china-led.net 13911869210
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