中國科學(xué)院院士鄭有炓院士致辭

 

　　中國科學(xué)院院士鄭有炓院士在致辭中表示，MOCVD技術(shù)作為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域在歷史上已經(jīng)做出很大貢獻(xiàn)，但是回顧近二十幾年來MOCVD技術(shù)最大的貢獻(xiàn)就是引領(lǐng)并支撐了化合物半導(dǎo)體的發(fā)展，也支撐了第三代半導(dǎo)體的發(fā)展。同時MOCVD技術(shù)在材料發(fā)展史上也是最真實最杰出的成就。今天看MOCVD技術(shù)的發(fā)展，已經(jīng)成為制造、控制、第三代半導(dǎo)體材料器件及結(jié)構(gòu)精準(zhǔn)控制生長技術(shù)。再者，在支撐材料發(fā)展過程中，MOCVD技術(shù)本身也在不斷發(fā)展。今天的MOCVD技術(shù)不是十年以前，更不是二十年以前的技術(shù)，是目前最先進(jìn)的化合物材料生產(chǎn)技術(shù)之一，可以認(rèn)為是精準(zhǔn)、生長、調(diào)控專業(yè)的材料生長技術(shù)。所以，生產(chǎn)者只要有新的思想、新的構(gòu)思、新的思維，就能利用MOCVD技術(shù)做出新材料、新器件，發(fā)展新產(chǎn)業(yè)。同時，國家第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展也是得益于MOCVD技術(shù)的支撐，MOCVD技術(shù)的發(fā)展也是隨著產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展帶動起來的，技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展是相互支撐，共同促進(jìn)。

 

　　MOCVD技術(shù)和第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展形勢喜人，前途繼續(xù)光明。我國擁有MOCVD設(shè)備占全世界總數(shù)70%以上，LED產(chǎn)能也占全世界產(chǎn)能的超過四分之一，中國LED產(chǎn)業(yè)和企業(yè)是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要力量。目前，中國LED已經(jīng)走上了創(chuàng)新發(fā)展的大道，從MO源的國產(chǎn)化，MOCVD設(shè)備也已經(jīng)開始走上國產(chǎn)化的道路，MOCVD技術(shù)開始走上技術(shù)創(chuàng)新的道路。我國的MOCVD技術(shù)相關(guān)的LED及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也正從大國邁向強國。而且，這個形式還會越來越好。今天的會議也為邁向強國，產(chǎn)生巨大的促進(jìn)作用。

 

　　此外，整個第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展，尤其是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)別的發(fā)展已經(jīng)步入新的發(fā)展時期。充分發(fā)揮戰(zhàn)略引領(lǐng)作用，產(chǎn)業(yè)并不是一個一個轉(zhuǎn)移，而是一個比一個擴(kuò)大。LED照明領(lǐng)域還是剛剛開始，比如工業(yè)電子、射頻電子等眾多領(lǐng)域?qū)㈤_始，但需要我們加以自主創(chuàng)新非常重要。尤其需要政產(chǎn)學(xué)研用結(jié)合，實行跨越式發(fā)展。

 

　　目前MOCVD設(shè)備如何在同樣的設(shè)備同樣的時間條件下實現(xiàn)產(chǎn)能效率提高，MOCVD面臨新的挑戰(zhàn)。在不增加成本投資、不增加時間條件下擴(kuò)大面積，怎樣從6英寸到8英寸再到12英寸怎樣實現(xiàn)突破。在產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展階段，MOCVD技術(shù)應(yīng)發(fā)揮著關(guān)鍵作用。未來如何實現(xiàn)跨越發(fā)展、跨界發(fā)展和創(chuàng)新應(yīng)用將是新的方向。

延邊州州長李景浩致辭

 

　　延邊州州長李景浩在致辭中表示，延邊是中國唯一的朝鮮族自治州，區(qū)位優(yōu)越，交通便利，地處中俄朝三國交界，高速鐵路、高速公路直接同內(nèi)地，海上航線聯(lián)通韓國多城市及我國東南沿海城市，已經(jīng)成為東北亞重要的交通樞紐。同時也是“一帶一路”向北開放重點城市，享有一系列國字號優(yōu)惠政策。當(dāng)前，吉林省上下正在實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級，推動老工業(yè)基地全面振興。延邊州也正在全面積極推進(jìn)科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)變革深度融合，著力改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，做強做大。培育新興產(chǎn)業(yè)，全力加快綠色轉(zhuǎn)型發(fā)展。我們真誠希望通過此次學(xué)術(shù)會議的召開，能為我州科技創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展等領(lǐng)域引入新理念，注入新活力，帶來新變化。同時也希望各位專家學(xué)者為我州發(fā)展把脈支招，助力延邊振興發(fā)展。

國家基金委信息學(xué)部常務(wù)副主任 秦玉文

 

　　國家基金委信息學(xué)部常務(wù)副主任秦玉文在致辭中表示，基金委一直關(guān)注著半導(dǎo)體相關(guān)的領(lǐng)域的科技發(fā)展，同時支持和發(fā)掘半導(dǎo)體領(lǐng)域探索性基礎(chǔ)研究，也希望在基金委的推動下能促進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

中國有色金屬學(xué)會常務(wù)副秘書長楊煥文致辭

 

　　中國有色金屬學(xué)會常務(wù)副秘書長楊煥文表示，作為MOCVD生長技術(shù)和化合物半導(dǎo)體材料器件研發(fā)交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學(xué)術(shù)會議”已經(jīng)成功舉辦了十三屆，規(guī)模和影響越來越大，已成為全國學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界廣泛關(guān)注的學(xué)術(shù)盛會。本次會議選擇在具有朝鮮族民族特色的邊疆開放城市，素有“歌舞之鄉(xiāng)”美稱的延吉市舉行，來自大陸和臺港地區(qū)的與會學(xué)者、工程師和企業(yè)家將在MOCVD生長技術(shù)、MOCVD設(shè)備研發(fā)、材料結(jié)構(gòu)與物性、以及光電子、電力電子器件、微波射頻器件研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，了解發(fā)展動態(tài)，促進(jìn)相互合作。這次會議必將對我國MOCVD學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所所長 賈平致辭

 

　　中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所所長賈平在致辭中表示，作為MOCVD生長技術(shù)和化合物半導(dǎo)體材料器件研發(fā)交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，“全國MOCVD學(xué)術(shù)會議”已經(jīng)成功舉辦了十三屆，已成為全國學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界廣泛關(guān)注的學(xué)術(shù)盛會。本屆盛會十分榮幸邀請到了國內(nèi)外知名專家學(xué)者開展廣泛交流和深入合作，必將對我國MOCVD學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所作為搖籃，肩負(fù)著國家科技創(chuàng)新使命，面向世界科技前沿，面向世界經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場，面向國家重大需求，高度重視并大力支持MOCVD技術(shù)的發(fā)展，構(gòu)建了先進(jìn)的MOCVD技術(shù)平臺，希望今后在國家政策的扶持下，本所與研究所，大學(xué)及產(chǎn)業(yè)界同仁，進(jìn)一步加強交流與合作，在MOCVD技術(shù)領(lǐng)域半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)跨越式發(fā)展。

科技部原副部長曹健林 致辭

 

　　科技部原副部長曹健林致辭并在主題為“我國第三代半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略思考”的報告中指出，MOCVD絕大多數(shù)是為LED或者說是第三代半導(dǎo)體生長服務(wù)。第三代半導(dǎo)體首先具有非常強的技術(shù)性，是以硅基為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的延伸和發(fā)展。對于，第三代半導(dǎo)體它有其特殊性，如何定義第三代半導(dǎo)體？曹建林認(rèn)為，一個從寬禁帶化合物，還有是從性能上的延伸，例如高功率高頻等等；這兩者的結(jié)合起來，用第三代半導(dǎo)體統(tǒng)稱感覺比較貼切。

 

　　他表示，作為發(fā)展中國家，我們中國從50年代后期典型的像半導(dǎo)體所等等，開展大量的半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的研發(fā)，迄今為止在硅基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的人才、技術(shù)、企業(yè)規(guī)模等方面還與西方發(fā)達(dá)國家存在巨大差距。其實，經(jīng)過多年的努力差距正在縮小。在正視差距，在努力縮小差距的同時，我們還要探索一下跨越式發(fā)展道路。因為我們正處在一個特殊的歷史時期，曾經(jīng)科技部做過很多重要調(diào)研，調(diào)研發(fā)現(xiàn)目前處在跟跑、并跑、領(lǐng)跑并存，大概有一半以上是跟跑，然后一半是并跑和領(lǐng)跑，其中有10%-15%以上中國是在領(lǐng)跑。同時，無論是并跑還是領(lǐng)跑，第三代半導(dǎo)體給我們提供了一個新的歷史發(fā)展機(jī)遇和可能性。

 

　　目前，中國已開始了全球最大、最復(fù)雜、發(fā)展最快的能源互聯(lián)網(wǎng)建設(shè)，其中包括特高壓遠(yuǎn)距離輸電、大規(guī)模新能源并網(wǎng)、電網(wǎng)控制等技術(shù)；中國已建和在建的全球最高運營速度、最長運營里程、最佳效益的高速軌道交通以及未來的“一帶一路”建設(shè)；全球增長最快和最大的新能源汽車市場；全球最大規(guī)模的4G和5G移動通信；全球產(chǎn)能最大、市場最大的半導(dǎo)體照明及超越照明；- 中國需要第三代半導(dǎo)體。中國的需求吸引了全球廠商的目光，促成了他們產(chǎn)品向中國的輸出；中國的科技和產(chǎn)業(yè)工作者有責(zé)任、有能力先于任何人滿足這種需求。

 

　　目前國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)模的壟斷，我國正處在啟動這一產(chǎn)業(yè)的窗口期。中國精密加工制造技術(shù)和配套能力的迅速進(jìn)步，特別是有01、02專項的基礎(chǔ)，具備促使這一產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的能力和條件；各地多年積累的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢和轉(zhuǎn)型升級的需要，為構(gòu)建新興產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新鏈提供了條件；中國市場的多元性和需求梯度為未來市場提供了機(jī)會；具有中國特色的“政產(chǎn)學(xué)研用”協(xié)同創(chuàng)新模式，為新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了可借鑒的經(jīng)驗和成功的可能性。

 

　　曹健林認(rèn)為，我國啟動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的時機(jī)已經(jīng)成熟，第三代半導(dǎo)體技術(shù)突破將帶來新一輪產(chǎn)業(yè)革命。在光電子、電力電子和微波射頻等領(lǐng)域，搶占技術(shù)和產(chǎn)業(yè)制高點，重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金有限公司總經(jīng)理丁文武

中國科學(xué)院 郝躍院士

山東大學(xué)校長 張榮

耶魯大學(xué)教授韓仲（HanJung）

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山

　　緊接著，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金有限公司總經(jīng)理丁文武分享了“關(guān)于MOCVD發(fā)展相關(guān)情況” 的主題報告；中國科學(xué)院郝躍院士分享了“GaN基半導(dǎo)體電子器件的研究進(jìn)展與趨勢”報告；山東大學(xué)校長張榮分享了“AlGaN日盲紫外探測技術(shù)研究”報告；耶魯大學(xué)教授韓仲（HanJung）帶來了“非極性和半極性GaN LED照明規(guī)模效益化的可能” 主題報告；第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山分享了“以需求帶動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展”主題報告。

　　此外，大會除了開閉幕式以外，還在會期內(nèi)四個分會場，分別以氮化物L(fēng)ED與LD，紫外材料與器件，外延生長與物性，其他光電子材料與器件，電子材料與器件，MOCVD設(shè)備、襯底與物性等主題展開學(xué)術(shù)報告分享和深度對話。