本屆大會，將從技術、產業、應用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應用峰會、合作論壇和創新大賽等多種形式，圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用設置，包括碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術、第三代半導體與固態紫外器件等多個專場重點討論。

　　其中，2016年11月16日召開的“氮化鎵及其他新型寬禁帶半導體電力電子器件技術”分會采用召集人+主席+分會團的模式，山東大學校長、教授張榮與北京大學物理學院教授，北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任、中國物理學會發光分會理事張國義領銜擔任召集人，匯聚全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導體電力電子器件的盛會。

       在16日上午的報告環節中，將邀請美國弗吉尼亞理工大學教授，美國工程院院士Fred C.LEE和中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所研究員孫錢作報告。

 

　　Fred C.LEE教授指出，在功率電子產品的生產中，必須考慮品質和可靠性，重點是實現高效率、高功率密度和低成本。這個領域未來的發展將會與功率器件、材料和制造技術的進展緊密相關。隨著寬帶隙功率器件的最新進展，交換器的產生將會在很大程度上影響以上三個方面。

 

　　對于任何設計，如果簡單地用WBG替換硅器件，將會獲得效率的提高。盡管這是一個很大的貢獻，但是僅僅停留于此對WBG不公平。WBG器件能夠在更高頻率下工作。因此，可以采用WBG將器件尺寸降低5-10倍，并且在一些應用中已經實現。設計與現有的硅器件相比，轉換頻率為10X，20X甚至50X的轉換器，是充滿挑戰性的。某些這種的設計不僅能夠提高性能，并且能夠在生產中減少勞動量。

 

　　孫錢博士將在會議上報告生產p-GaN gate HEMTs的器件特性。目前公認的CaN基功率器件最有前景的商業化方式是直接生長在低成本大直徑的硅片上。孫博士指出采用多層AlN/AlGaN來克服在Si上生長無縫的高品質Ga(Al)N時產生的晶格常數和熱膨脹系數的嚴重失配，對高阻抗的Ga(Al)N進行碳摻雜與其電擊穿特性的相關性。

 

　　對于GaN基功率器件的實際應用，增強模HEMT能夠有效地避免失效，并且簡化電路。由于技術手段的不足，p-GaN門的生產通常不采用HEMT。為有效控制閾值電壓，并且降低2DEG特性的退化，對p-GaN進行有效的Mg摻雜，并且減小擴散。在非門區域對p-GaN層進行刻蝕，有很好的一致性。

 

　　作為一種新型的寬禁帶半導體材料，碳化硅因其出色的物理及電特性，正越來越受到產業界的廣泛關注。超強的陣容組合，加上高質量的內容，本次分會將全方位呈現當前碳化硅電力電子器件的研究進展，有哪些趨勢？……相信你想知道的，都會有答案。請繼續關注論壇“精彩早知道”系列！

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　　參會報名、參會聯系人

 

　　張小姐 M：13681329411 T：010-82387380  E：zhangww@china-led.net

 

　　賈先生 M：18310277858 T：010-82387430  E：jiaxl@china-led.net

 

　　許先生 M：13466648667  T：010-82381680  E：xujh@china-led.net

 

　　第十三屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2016）活動官網：http://www.sslchina.org

 

　　2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際會議（IFWS）活動官網：http://www.ifws.org.cn