圍繞第三代半導(dǎo)體，今年跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會專門設(shè)置了多場分會，其中，11月16日下午舉行的“第三代半導(dǎo)體與新一代移動通信技術(shù)”分會，圍繞著第三代半導(dǎo)體與新一代移動通信技術(shù)展開多維度的探討，涉及高性能GaN開關(guān)電源，GaN、SiC材料外延及電子器件等眾多熱點。來自Plasma-Therm技術(shù)推廣總監(jiān)、主任研究員David Lishan出席分會并帶來“氮化鎵基器件采用等離子切割的生產(chǎn)效益”主題報告。

　　David Lishan畢業(yè)于加州大學(xué)圣克魯茲分校化學(xué)專業(yè)，取得加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校固態(tài)電子工程博士學(xué)位。他長期工作于光刻、光化學(xué)和等離子體處理領(lǐng)域的材料、半導(dǎo)體、以及化學(xué)研發(fā)項目并發(fā)表出版過大量相關(guān)文章。他在Plasma-Therm已工作18年，現(xiàn)在是Plasma-Therm技術(shù)推廣總監(jiān)兼主任研究員。他的主要研究領(lǐng)域為針對研發(fā)、微機電系統(tǒng)、光子學(xué)、數(shù)據(jù)存儲以及化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用程序的等離子體處理的應(yīng)用。他現(xiàn)在擁有兩個專利并已做過超過60篇出版文章和會議演講報告。

 

　　David Lishan表示，制造商正在尋找的方法，以降低成本，提高氮化鎵功率器件的采用率。模具切割工藝具有潛在的利益和改進空間。傳統(tǒng)的切割方法使用鋸片，但面臨很大限制：模具損壞（剝落和開裂），限定寬度鋸片的產(chǎn)量，鋸片負荷和磨損以及串行處理。激光切割解決了一些問題，但熱影響區(qū)，切割殘留，生產(chǎn)量和材料的不相容性限制了它的使用。在某些情況下，鋸和激光的結(jié)合已被用來克服一些技術(shù)障礙。

 

　　他表示，我們提出了一種新方法，采用進料側(cè)等離子切割，避免了這些問題，解決薄晶片（＜150µm），適應(yīng)GaN基層。我們的方法是利用狹窄的路寬（≤15µm）和采用低應(yīng)力、圓角的芯片/無裂紋邊緣。由于所有的路寬都是同時蝕刻，并由模具本身定義，可以實現(xiàn)的靈活的模具布局和模具形狀。

 

　　同時，它使更多優(yōu)良的芯片模組，更高的生產(chǎn)量和更好的芯片可靠性。例如，減少切割的路寬，從典型的75µm到15µm，為每個晶圓模組增加近11%的1mm2模組，減少裂止動環(huán)的附加成本。

 

　　David Lishan還表示，電力、內(nèi)存、物流、成像傳感器、LED、RFID、MEMS采用這種技術(shù)，需要解決一系列的變量，如材料的相容性、接合墊/凸起，過程控制/調(diào)整結(jié)構(gòu)和里襯金屬。并介紹了在特殊情況下的處理選項和方案，硅基氮化鎵改進加工和包裝進程。