11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術設置的專題分會，由山東大學校長、教授張榮，北京大學物理學院教授、北京大學寬禁帶半導體聯合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯合坐鎮，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導體電力電子器件的盛會。

北京市科委雙新處副處長 王紅梅
 

　　其中，北京市科委雙新處副處長王紅梅出席會議并致辭。她在致辭中表示，當前全球第三代半導體技術產業正處于快速發展的窗口期，它的發展受到了各國政府以及更大范圍產業的重視和支持。氮化鎵是第三代半導體材料的典型代表。在過去十年中，在半導體照明的拉動下，氮化鎵無論是材料和器件都得到了大幅的發展。未來氮化鎵需要跟更多的應用需求相結合，并將在電力電子、通訊等領域有更廣闊的發展空間。同時也將帶動更多的下游應用領域的發展。

 

　　北京高度重視第三代半導體技術和產業的發展，并把它作為新材料領域的重點發展板塊進行支持。“十三五”期間，北京第三代半導體技術和產業的發展，將根據一、二、三、四總體布局思路，圍繞下游產業的應用，開展中上游材料和器件的研發，全鏈條部署一體化實施。

 

　　前期在大家的共同努力下，我們圍繞下游產業應用需求，全產業鏈布局和推進一些重大技術的協同攻關，突破了6英寸碳化硅襯底材料關鍵化的產業技術。碳化硅二極管與三極管置備技術等一批產業化技術的研發和攻關。在國內率先實現了碳化硅器件的規模化生產和應用，初步建立起相對完善的碳化硅產業鏈。同時為國家第三代半導體產業技術創新產業聯盟等三家單位共同簽署協議，共建北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地，并共同出資注冊成立實體化運營的公司全力推進聯合創新基地的建設和產業集群的發展。

 

　　目前，聯合創新基地已成功引進了20家左右的國內外優勢機構入駐，其中包括荷蘭戴爾福特理工大學中國研究院等機構。此外，創新基地辦公大樓也在加緊施工中，預計明年年中左右投入使用。下一階段，我們將進一步加大推進工作力度，尤其是推進氮化鎵材料和器件的發展，整合更多的資源和力量，共同推動北京第三代半導體技術和產業的發展。