2016年11月15日至17日，中國科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際會議在北京國際會議中心舉行。其中，大會從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置多個專場重點討論。
11月16日，圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置的專題分會，由山東大學(xué)校長、教授張榮，北京大學(xué)物理學(xué)院教授、北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任張國義，美國弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國工程院院士Fred C. LEE聯(lián)合坐鎮(zhèn)，召集了全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會。會議現(xiàn)場十分火爆，受場地限制，很多與會代表都站著聽完會議，火爆程度可想而知！
會上，來自臺灣交通大學(xué)教授、副校長張翼介紹了La2O3/SiO2鈍化和銅金屬化的氮化鎵增強型HEMT 器件最新研究進展。
張翼校長本科畢業(yè)于臺灣清華大學(xué)獲得材料科學(xué)與工程系，并于美國明尼蘇達大學(xué)獲得材料科學(xué)與工程系博士學(xué)位。張校長于1985年~1988年期間在美國Unisys Corp的砷化鎵組件部門工作；1988~1990年間他在美國Comsat Labs微電子部門任職Senior MTS；1997~1999年他任職漢威光電公司總經(jīng)理。1999年2月，張博士加入臺灣交通大學(xué)任職教授。至今，他是臺灣交通大學(xué)副校長、教授兼國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)學(xué)院院長。
張校長是美國電機電子工程師學(xué)會會士和中國材料科學(xué)學(xué)會會士。他獲得過臺灣經(jīng)濟部授予的大學(xué)產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟貢獻獎“產(chǎn)業(yè)深耕獎”、臺灣經(jīng)濟部第一屆國家產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新獎“產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新學(xué)術(shù)獎”、2008和2012年度的臺灣科技部“杰出研究獎”、2011年度的臺灣科技部“杰出技術(shù)轉(zhuǎn)移貢獻獎”及2008年度中國電機工程學(xué)會頒發(fā)的“杰出電機工程教授獎”。
氮化鎵及其相關(guān)材料因其高帶隙性質(zhì)有望成為高功率和高頻應(yīng)用材料。生長在大型硅基底的氮化鎵高電子遷移率場效晶體管（ HEMT）被認為可以在保持應(yīng)有表現(xiàn)的情況下顯著減少功率切換器件的生產(chǎn)成本。為了達到高效率，低電流崩塌的氮化鎵 HEMT器件的功率開關(guān)應(yīng)用中，需要考慮不同的材料和工藝問題。
在報告中，用La2O3/SiO2 鈍化GaN HEMT。為了實現(xiàn)正常關(guān)閉裝置，展示了以下幾種方法，包括門槽，F(xiàn)等離子處理和高k隔層嵌入。為了降低生產(chǎn)成本，對全銅基金屬化GaN HEMT進行實驗。展示使用上述技術(shù)的GaN模塊的性能。
