可靠性與熱管理是影響LED照明高品質的重要因素，蔓延在產業鏈的各環節，一直備受關注。隨著半導體照明產業及市場的不斷成熟，進入新的發展階段，進一步提高LED的發光效率和降低LED的制備成本更為非常重要，絲毫不能放松。
11月15日，一年一度的行業盛會--第十三屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2016）在北京國際會議中心召開。11月17日上午，SSLCHINA的經典分會--“可靠性與熱管理技術”，隆重舉行。來自德國英戈爾施塔特應用技術大學的Alexander Hanss教授對LED瞬態熱阻測量的國際標準進行了介紹。
Alexander Hanss教授表示，LED的可靠性取決于結溫，進而取決于LED模塊的熱阻。用于測量LED封裝的實際熱阻的通用標準是JESD51-51。它基于MIL-STD-750D方法3101.3中描述的二極管的熱阻抗測量標準以及在JESD51-14標準中的瞬態測量。瞬態測量基于半導體器件的正向電壓的溫度的依賴性。
為了獲得熱阻，需要測量正向電壓、結溫度和熱負載之間的比例常數，即用于計算熱負荷的電功率和光功率。由于熱阻是基于三個主要測量：時間分辨電測量，光學測量和k常數測量。因此，LED的熱阻測量需要大量工作且容易出錯。由于技術挑戰，JESD51-51和JESD51-14是實際值和理論背景之間的擬合。在文件和解決方案中沒有定義瞬態熱分析的清晰工作流程，這是為了避免和濾除技術挑戰和測量誤差源不足以解釋的情況。由于電流開關之后結的電響應和寄生電子響應，早期不能測量熱瞬態，但是沒有解決如何標準化處理數據的方式的方式。此外，如何確保數據質量，即定義信噪比的最大值的過程沒有得到足夠的解釋。
Alexander Hanss教授介紹說，為了克服當前的情況，我們定義了執行瞬態熱阻測量的工作流程，并建立了熱循環。在本文中，首先解釋了瞬態熱阻測量中的典型誤差?；谒懻摰恼`差和JESD51-51 / 14a的瞬態熱電阻測量的實際工作流程定義了熱循環過程。循環的第一個結果是在中國（中國科學院半導體研究所）和德國（因戈爾施塔特技術大學）實驗室獲得的測量結果。
按計劃，將有更多的LED制造商，模塊裝配商和可靠性研究所的更多實驗室加入，促進實際工作流程的推廣，保證的瞬態熱電阻測量的質量。
