在今年一年一度的半導體照明國際盛會--第十三屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2016）期間。在 “材料與裝備技術分會”聚攏了該領域一大批國際專家和企業(yè)家，暢談產(chǎn)業(yè)核心材料及重大裝備新進展，聚焦國產(chǎn)化裝備及材料新進展。分會主持由中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發(fā)中心副主任王軍喜和佐治亞理工大學教授Russell Dupuis共同擔任。

　　會上，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所納米測試中心研究員、主任徐科分享了“氮化鎵襯底生長的最新進展”。他表示，如轉(zhuǎn)換器和逆變器一般用于電力轉(zhuǎn)換的電力電子設備是有效利用電能的核心技術。 SiC電子器件被認為是成為用于各種應用中的下一代低損耗功率轉(zhuǎn)換設備的關鍵部件。現(xiàn)有碳化硅晶體生長技術是依靠播種升華增長方法實行的。

 

　　徐科表示，現(xiàn)在市場上有幾乎微管密度為零的4和6英寸的的晶片。然而，在當前的技術中，晶體生長仍然容易出現(xiàn)高密度的擴展缺陷。因此減少這些缺陷是改善SiC器件性能的最優(yōu)先問題。液生長法被認為是產(chǎn)生高質(zhì)量SiC晶體的有力方法。

 

　　對于塊體晶體生長，通常執(zhí)行頂部晶種溶液生長（TSSG）方法。在該方法中，晶體由碳坩堝中的硅基溶劑生長而成，過程中碳元素從坩堝進入溶劑。然而缺陷修復的效果細節(jié)依然不清楚。最近，我們的X射線形貌實驗揭示了穿透脫臼的愈合機制。

 

　　同時，在演講中，徐科還回顧了脫位復位的機理、位錯密度的控制以及“超高質(zhì)量”的可能性。