據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道，松下試制了耐壓為1.7kV、導(dǎo)通電阻僅1.0mΩcm2的GaN功率晶體管，并在“IEDM 2016”上進(jìn)行了發(fā)表（演講序號(hào)：10.1）。這一導(dǎo)通電阻比相同耐壓的SiC MOSFET還要“低”。導(dǎo)通電阻越低，越能降低導(dǎo)通時(shí)的損失。閾值電壓為+2.5V，可常閉工作。該產(chǎn)品是在GaN基板上制作的立式元件。

左下為此次元件的結(jié)構(gòu)，左上為以往元件的結(jié)構(gòu)。右為閾值電壓的比較（圖：IEDM） 
 

　　此次主要采用了3項(xiàng)技術(shù)。第一，設(shè)置了利用GaN晶體“半極性面”的V字型柵極結(jié)構(gòu)。通過該結(jié)構(gòu)提高了閾值電壓，達(dá)到了+2.5V。

 

　　第二，設(shè)置了GaN/AlGaN的再生長(zhǎng)層。由此，將再生長(zhǎng)層的界面與溝道分開，與僅讓AlGaN層再生長(zhǎng)時(shí)相比，將電子遷移率提高至約5倍。因此，導(dǎo)通電阻大幅減小。由于再生長(zhǎng)層的界面容易出現(xiàn)晶體缺陷，僅讓AlGaN層再生長(zhǎng)時(shí)，因再生長(zhǎng)層的界面與溝道位于同一場(chǎng)所不容易提高遷移率。所以，此次將再生長(zhǎng)層的界面與溝道分開。

 

　　第三，為了抑制穿通現(xiàn)象，設(shè)置了摻雜碳的GaN層。由此，將未設(shè)置該層時(shí)約為600V的耐壓提高到了1.7kV。

 

　　在演講的最后，松下展示了利用試制的GaN功率晶體管在400V電壓和15A電流下的開關(guān)動(dòng)作。開關(guān)切換順利，未發(fā)生崩潰現(xiàn)象。