近年來行動裝置推陳出新，帶動高階制程技術之需求大增，致2013年起臺灣的集成電路業產值連年創下歷史新高，2013、2014年各呈二位數成長，分別年增16．2％及23．9 ％。
唯有2015年下半年至2016年上半年因全球經濟疲弱，手持行動裝置銷售滯緩，致104年產值僅年增6．2％，2016年下半年因終端電子產品需求回升，加上物聯網、車用電子、智慧自動化等新興應用發展，致2016年1至10月產值達1兆392億元，年增5．4％，預期2016年全年集成電路業產值將突破1兆2千億元，續創新高。
晶圓代工為集成電路業成長之主力
按產品觀察，晶圓代工產值占集成電路八成以上，由于先進制程技術持續精進，國際各大品牌行動裝置推陳出新，通訊晶片需求強勁，累計2016年1至10月產值達9，035億元（年增8．6％），為集成電路業成長之最主要貢獻來源；DRAM產值居次，因價格相對較104年為低而年減12．5％。
集成電路出口市場以中國大陸及香港居冠
臺灣的集成電路業直接外銷比率約八成，2016年1至11月集成電路出口總值達709億美元，較2015年同期成長11．1％，主要出口市場以中國大陸及香港（占54．8％）為首，年增22．5％最為顯著；新加坡（占14．1％）居次，年減6．5％，日本（占8．7％）及南韓（占8．5％）再次之。
臺灣業者為保持領先優勢提高資本支出
為提升競爭優勢，臺灣業者積極進行研發及投資，尤以晶圓代工廠投入資本支出最為可觀。依據證交所公開資訊觀測站公布之2016年前3季資料顯示，臺積電資本支出2，155億元（年增24．6％），聯電697億元（年增47．7％），有助于推升集成電路業之生產能量。
晶圓代工市占穩居全球第一
根據國際研調機構顧能（Gartner）統計，2015年全球晶圓代工銷售市場為489億美元，其中臺積電市占率高達54．3％，較2014年增加0．5個百分點，穩居全球晶圓代工市場之第一名寶座，聯電、力晶科技、世界先進等亦名列全球晶圓代工前十大廠商，市占率合占67．2％，與2014年相近。
崛起的中國大陸半導體，臺灣半導體好日子快到頭了？
近年來，中國大陸大力投入半導體建設中，在年底1500億美元規模的存儲產業開工以后，似乎給臺灣產業帶來的威脅日益巨大。
首先是設計產業；
大陸IC 設計廠商數量及規模皆快速成長，和臺灣差距不斷拉近，大陸海思2015 年的營收額已有約聯發科的一半，且已超過臺灣IC 設計二哥聯詠；而展訊與銳迪科正式合并后，同樣將超越聯詠的規模。大陸的IC設計業多是本土陸資，IC產品除傳統3C應用外，政策更扶持諸如車電、醫電MCU、智慧卡IC等產品，未來在IoT政策帶動需求下，IC設計公司將如雨后春筍般出頭。
近十年來大陸IC設計業者快速崛起，回顧2004年，全球前50大無晶圓廠半導體（Fabless）供應商還沒有大陸業者，2015年已有近700家Fabless廠商。2015年前50大Fabless名單中，美國Qualcomm和Broadcom仍保持第一和第二，聯發科從第六提升至第三，值得關注的是出現7家大陸業者，且排名多屬上升，海思已竄至第七名。
其次，晶圓廠的迅速崛起，這也是對臺灣的一大威脅。
根據SEMI（國際半導體產業協會）的全球晶圓廠預測（World Fab Forecast）報告指出，2015年晶圓代工業整體產能已超越存儲，成為半導體產業當中最大的部門，并且在未來幾年可望持續領先。預料晶圓代工產能每年將成長5％，超越業界整體表現，晶圓代工產能到2017年底預計將達到每月6百萬片（8吋約當晶圓）。
臺灣的晶圓代工產能居全球之冠，其中12吋的產能占全球晶圓代工產能比重55％以上。臺積電與聯電是臺灣晶圓代工產能的兩大主要推手。臺積電十二廠第七期、十五廠第五及第六期正積極準備迎接10納米以下制程產能。聯電則持續擴充28納米產能，十二A廠第五期也準備投入14納米制程。
另一方面，晶圓代工產能全球第二的中國大陸則是成長最快的市場。2015年整體晶圓代工產能為每月95萬片，預計到了2017年底將增至每月120萬片，占全球晶圓代工產能將近20％。大陸晶圓代工龍頭中芯國際（SMIC）目前正致力提升北京B1廠和上海八廠（兩者均為12吋廠）等既有廠房的產能。
同時該公司也正在提升新成立的北京B2廠（12吋）與深圳十五廠（8吋）產能。中芯的擴充計畫同時包含了先進的28納米／40納米產能，以及技術成熟的8吋晶圓制程。其他擴大產能的業者還包括武漢新芯（XMC），旗下A廠產能將持續投入NOR快閃存儲代工業務；上海華力（Huali）也即將成立第二座晶圓廠，預計明年動工， 2018下半年起可望開始投注產能。
未來幾年，臺灣的晶圓代工業者也將對晶圓代工產能有所貢獻。今年稍晚聯電位于廈門的12寸廠將開始投產，2017年有力晶合肥廠，臺積電南京廠則將在2018年上線。這三處廠房全面投產后，將帶來每月至少11萬片（12吋）晶圓的產能。
除了增加產能，先進制程的技術競賽也特別激烈。臺積電、三星（Samsung）與格羅方德（GLOBALFOUNDRIES）都想在10nm以下技術節點取得領先地位。技術的演進將帶動晶圓代工業者在未來幾年內持續投資，其中又以臺灣與中國大陸為最。
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存儲產業，大陸強勢崛起
中國大陸現在的三大存儲基地已經開工，這可能對臺灣來說，也是一個不大不小的挑戰。
據報道，近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導權大戰，長江存儲傳已評估到南京設立12吋廠，聯電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產，并在南科廠同步研發25、30納米制程，至于合肥市與北京兆易創新（GigaDevice）合作的合肥長鑫，由前中芯國際執行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰2018年，搶當大陸DRAM產業龍頭。
盡管大陸布局自制3DNANDFlash雛形漸現，長江存儲將與已購并飛索（Spansion）的賽普拉斯（Cypress）合作，切入32層和64層3DNAND技術，由于門檻較高，長江存儲仍有機會急起直追國際存儲器大廠，然值得注意的是，全球存儲器產業將率先上演大陸力爭DRAM主導權戲碼。
目前大陸DRAM勢力處于戰國時代，至少有三股DRAM勢力全面競逐版圖，除了長江存儲之外，還有聯電旗下福建晉華，其主要操盤手為前瑞晶總經理、現任聯電資深副總陳正坤，第三股DRAM勢力則是合肥市政府結合GigaDevice及王寧國人馬成立的合肥長芯。
長江存儲與旗下武漢新芯原本是扮演大陸存儲器中心角色，將統籌3D NAND和DRAM兩大存儲器技術發展，然大陸政府傳出針對長江存儲DRAM布局進行規范，若是自行研發DRAM技術必須先量產3D NAND，但若對外購買技術則無此限制，使得長江存儲積極與國際大廠合作，以加速DRAM量產，并獲得專利保護傘。
長江存儲除了積極與美光洽談DRAM技術專利授權，業界亦傳出正著手評估自建或購并現有晶圓廠的可能性，甚至有意跟隨臺積電腳步評估在南京設立12吋晶圓廠，長江存儲執行長楊士寧則表示，將以購并現有晶圓廠為第一考量。
近期武漢新芯12吋新廠已經動起來，單月產能規劃30萬片，涵蓋NAND Flash和DRAM芯片，然業界預期長江存儲兩大產品線的生產基地，最終仍會分開進行。至于大陸另外兩個DRAM陣營亦加快腳步展開研發自制，希望搶在長江存儲之前先量產DRAM技術，以爭取大陸DRAM產業寶座。
聯電與福建晉江地方政府合作成立的福建晉華新廠已經動工，預計2018年進入量產，業界傳出大陸注資近新臺幣100億元，讓聯電在南科廠同時進行25、30納米技術研發，預計2017年底完成技術開發，福建晉華則配合在2018年下半裝機，屆時聯電南科廠DRAM技術將快速轉到福建晉華量產。
盡管福建晉華至少要投入25納米以下制程技術，才有機會獲得大陸官方青睞，但聯電采取較謹慎作法，避免一下子投入25納米技術開發面臨失敗風險，遂同時研發30納米作為備案。
大陸第三股DRAM勢力系由王寧國操刀的合肥長鑫，原本合肥市政府和Giga Device投資的廠房，傳出主要投入DRAM相關存儲器IC設計，然近期業界傳出該陣營將豪擲逾新臺幣1，000億元，同時進行DRAM研發和制造。
目前大陸這三股DRAM勢力持續進行招兵買馬，并雙頭并進朝向技術專利授權及自主技術研發模式發展，希望趁著大陸DRAM主導權還未底定之前先卡好位，預期2018年這三大DRAM陣營將力拚量產并陷入激戰。
在此期間，大陸瘋狂挖角臺灣僅存的存儲產業人才，這對臺灣來說，是一個重大的打擊。現在臺灣業者和美光的合作，是否對大陸造成重大影響，這又是另一個話題了。
根據臺灣本地的半導體觀察家陸行之所說，目前看來，只要臺灣經濟部投審會能在未來12個月內，（1）有條件通過紫光25％參股力成和南茂案—或改由長江存儲申請參股或交換部分股權；或（2 ）有條件開放IC設計業讓長江存儲參／換股NAND flash控制器的群聯電子；或（3）批準南亞科進行技術合作來換取長江存儲的參股，這些臺灣存儲公司和員工，都還有機會參與中國大陸存儲產業5％到50％自給率一條龍式的全新布局，并與韓國大廠爭奪市場。
如果這些都無法完成，未來五到十年，臺灣存儲產業應會尋求機會與長江存儲設立合資企業，或尋求機會溢價賣給日本歐美大廠尋求下市。否則長江存儲必將大量從力成、南茂、群聯、南亞科高薪挖角以建立自己的供應鏈，并打擊僅存的臺灣存儲相關廠商。
華亞科溢價賣出，力成、南茂同意紫光參股，群聯潘健成董事長最近不斷呼吁政府有條件開放中資投資IC設計和為求企業經營彈性和生存而涉及子公司財報不實案，都在顯示，奄奄一息的臺灣存儲產業極需要政府更有策略思維的解救。
