早年，中村修二中村修二于1993年在日本日亞化學工業株式會社(Nichia Corporation)就職期間，基于GaN開發了高亮度藍色LED，從而廣為人知。當時，開發一種藍色LED被認為是無法實現的真空區，無法找到合適的光源材料來進行試驗，后來在1989年，中村教授開始研究基于三族氮材料的藍光LED，經過兩年時間的研發，在1991年獲得氮化鎵成長的關鍵技術。1993年，中村教授成功憑借物理手段在LED照明技術的基礎上研發了高亮度青色發光二極管。1995年，他開始專注于研發藍色極光二極管，InGaN/氮化鎵青色半導體激光的室溫脈沖振蕩的實現，又于1997年轉向紫外LED的研發。在美任教期間，中村教授與赤崎勇、天野浩同時研究“青色發光半導體設備的開發”，并在水提取氫的技術上有所突破。2006年5月，中村修二博士與加州大學巴巴拉分校(UCSB)研究小組制造出第一款無極性(non-polar)和半極性(semi-polar)GaN 襯底LED，革新了現行發光設備的設計開創理念。
中村修二教授的創舉使得LED生產商能夠生產三原色（紅、綠和藍）LED，從而使實現1600萬色成為可能。或許最為重要的是，LED行業利用這種新技術來開始白色LED（半導體生態光源）的商業化生產。在科學用光、綠色照明的應用領域上邁向了更光明的未來。在此次上虞國際先進照明論壇會議上，中村教授將根據自己近年的研究經驗和新型的照明光電成果，就LED行業的動態，展開光電領域內高效的交流與探討。相信此次會議一定會把先進的照明技術推向世界的各行各業，在國際上刮起一陣光源驅動之風。
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