2017年6月25日，第三代半導體創新戰略發布會在北京中國職工之家隆重召開。此次發布會由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（以下簡稱“聯盟”）主辦，來自部委、地方政府的30多位領導以及十多位院士、200多位行業同仁共同見證了第三代半導體研究院、第六屆中國創新創業大賽之第二屆國際第三代半導體創新創業大賽等對第三代半導體產業技術發展意義重大的創新戰略舉措的發布。

　　會議現場

 

　　國際半導體照明聯盟主席、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導委員會主任曹健林，國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任干勇院士，北京有色金屬研究總院名譽院長屠海令院士，中國科學院半導體研究所陳良惠院士，中國科學院半導體研究所夏建白院士，南京大學教授鄭有炓院士，中國科學院微電子器件與集成技術重點實驗室主任劉明院士,科技部高新司司長秦勇，科技部火炬中心主任張志宏，聯盟指導委員會副主任趙玉海，聯盟指導委員會副主任、國際半導體照明聯盟聯合秘書長靳曉明，聯盟指導委員會秘書長、中國科學學與科技政策研究會副理事長李新男，聯盟理事長吳玲以及來自廣東、廈門、蕪湖吉林、張家口、成都、常州等地方政府、科技部門的眾多領導及業內專家出席了會議。

 

　　曹建林主席在致詞中表示，看到這么多既有來自大學、科研院所的科研機構，也有來自產業界的企業和科技部及各地政府的官員一起來開會，感到大家對中國第三代半導體產業的重視。大家來這里不僅僅是為得到一些信息，更重要的是想通過獲取、交流信息真正的能夠聯合起來，一起把第三代半導體事業做大，做強。中國發展第三代半導體有一些獨到的優勢，我們有信心把第三代半導體做好。中國最重要的優勢是有全球最大的市場。其次，我們正在推進科技體制機制的創新，盡管有很多問題，但我們愿意不斷努力共同發展這份事業。像習總書記講的擼起袖子扎扎實實的干，相信我們一定會在第三代半導體上取得成功。

 

　　干勇院士在致辭中表示，中國第三代半導體在研發應用上和發達國家差距較小，甚至有些地方是領先的，以后將會是中國新材料非常值得驕傲的領域。第三代半導體將是下一代節能減排、高端制造重要的支撐材料，今天聯盟的創新發布會非常及時，把企業、院所、大學等各種力量集中在了一起。這兩天科技部正在牽頭制定新材料的國家重大專項方案，第三代半導體占有重要地位，目標很明確，實現到2030年通過應用第三代半導體實現節約標煤5.6億噸，二氧化碳減排12.6億噸，這個數據相當大，我們感到相當鼓舞。在5G上硅材料已經達到極限，所以氮化鎵射頻器件將全面應用在5G上，為我們國家微電子技術做出更大貢獻。希望大家一起推動第三代半導體為國家做出更大貢獻。

　　國際半導體照明聯盟主席、聯盟指導委員會主任  曹健林

　　中國工程院院士、國家新材料產業發展專家咨詢委員會主任  干 勇

 

　　吳玲理事長做了題為“第三代半導體發展戰略”的報告。吳玲在報告中指出,綠色低碳、萬物互聯、智能化已成為全球共識,第三代半導體是支撐國家重大戰略需求、實現引領發展、重朔全球半導體戰略格局的重大選擇。第三代半導體創新發展的時機已經成熟,目前正處于窗口期，一方面國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，中國精密加工制造技術和配套能力的進步迅速，具備開發并逐步主導該產業的能力和條件；另一方面，各地產業轉型升級的需要很強，具有中國特色的“政產學研用”協同創新模式，也為第三代半導體產業的發展提供了可借鑒的經驗和成功的可能性。第三代半導體需要創新來引領，改革來推動，依托聯盟建設小核心、大網絡、主平臺、全體系，形成產業創新體系和可持續發展的生態環境，從戰略高度，全面、深入整合和利用國際資源。我們的目標是到2030年，全產業鏈進入世界先進行列，部分核心關鍵技術國際引領，產業鏈核心環節形成1-3家世界龍頭企業，光電子、電力電子和微波射頻全面規模應用，市場滲透率超過70%，國產化率超過70%。

　　第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長  吳 玲

 

　　會上曹健林主席、趙玉海主任、吳玲理事長為聯盟新成立的京津冀協同創新委員會、軍民融合委員會、一帶一路委員會、投融資委員會等委員會主任和副主任頒發了聘書。其中，軍民融合委員會主任由中國工程院院士、中國運載火箭技術研究院航天材料及工藝研究所副所長李仲平，中國電子科技集團公司第十三研究所所長卜愛民共同擔任；一帶一路委員會由國際半導體照明聯盟聯合秘書長靳曉明，國家半導體照明工程研發及產業聯盟研發執行主席李晉閩共同擔任；京津冀協同創新委員會由中國科學研究院半導體所研究員陳弘達，中國電子科技集團公司第13研究所副所長蔡樹軍共同擔任；投融資委員會由中國科學學與科技政策研究會副理事長、聯盟指導委員會秘書長李新男，中軍金控董事長藏家順共同擔任。

　　新成立分委會聘書頒發

 

　　北京國科第三代半導體產業技術研究院聯合共建簽約

 

　　曹健林主席、張志宏主任與廣東省科技廳副廳長楊軍，廈門市科技局局長沈燦煌，北京市順義區副區長初軍威，吉林省科技廳調研員蔣有文，張家口市經開區黨工委副書記、管委會主任李正樸，江蘇常州武進高新區副主任李磊，成都高新區創新中心主任繆曉波，蕪湖國家高新技術產業開發區微電子產業辦公室主任王東升共同啟動了第六屆中國創新創業大賽之第二屆國際第三代半導體創新創業大賽。聯盟吳玲理事長為廣東、廈門、蕪湖、吉林、張家口、成都、常州7個地方賽組委會頒發了授權書。

　　聯盟為地方賽組委會頒發授權書

 

　　值第三代半導體創新戰略發布會召開之際，第六屆中國創新創業大賽之第二屆國際第三代半導體創新創業大賽正式啟動，并聯合大企業共同發布企業命題。國際第三代半導體創新創業大賽由聯盟發起，于2017年3月被納入中國創新創業大賽專業賽體系。第二屆國際第三代半導體創新創業大賽設立京津冀、南方、長三角、東北、西部、中部、廈門等分賽區，比賽地點分別為河北張家口、廣東東莞、江蘇常州、吉林長春、四川成都、安徽蕪湖、福建廈門。國際項目將在意大利、英國、荷蘭、芬蘭四國征集。大賽將在北京市順義區舉行的北京SSL國際論壇上進行全球總決賽、頒獎、項目對接和展示。

　　第六屆中國創新創業大賽之第二屆國際第三代半導體創新創業大賽啟動儀式

 

　　大賽創新性的引入大企業帶小項目參加比賽，將為獲獎項目落地提供超過2000萬元的資金支持。大企業應標成功項目，還可以獲得龍頭企業產業渠道對接及50億元產業基金支持。此外，大賽聯合國內知名投資機構設立100億元投融基金池，全面覆蓋參賽獲獎項目和行業內的創新創業項目。

 

　　大賽將通過賽事平臺選拔出一批優質的企業和創業團隊，全面整合國內外優秀的第三代半導體創新項目，加速科技成果轉移轉化與各地政府科技資源開放共享，通過北京輻射全國，形成第三代半導體上、中、下游完整的產業生態鏈。

 

　　之后，南京大學鄭有炓院士做了題為“第三代半導體發展現狀及趨勢”的報告，全球能源互聯網研究院邱宇峰書記做了“第三代半導體在電力電子領域的應用與需求”的報告，中國電子科技集團公司第十三研究所蔡樹軍副所長做了“GaN材料及應用技術進展”的報告。會議由聯盟秘書長于坤山主持。

　　南京大學教授、中科院院士  鄭有炓

　　全球能源互聯網研究院書記  邱宇峰

　　中國電子科技集團公司第十三研究所副所長  蔡樹軍

 

　　此次發布會對于第三代半導體產業發展意義重大，得到了科技部、工信部以及多個地方政府的支持和參與，形成了國家部委、地方政府從頂層規劃到落地實施的協同推進、共同創新的良好態勢，揭開了第三代半導體創新發展的新篇章。

 

　　目前，第三代半導體材料正處于產業應用起步階段，相比第一、第二代半導體，第三代半導體材料在大功率、高溫、高頻、抗輻射微電子領域，以及短波長光電子領域有明顯優勢，正在成為搶占下一代信息技術、節能減排技術及國防安全技術的戰略制高點。