近年來，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發全球矚目，成為全球半導體研究開發的前沿和熱點。該半導體材料可實現高壓、高溫、高頻、高抗輻射能力，被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，以及光電子和微電子等產業的“新發動機”。在半導體照明、新一代移動通信、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子領域擁有廣闊的應用前景。

 

　　中科院院士鄭有炓介紹，由于第三代半導體材料具有非常顯著的性能優勢和巨大的產業帶動作用，歐美等發達國家和地區已把發展第三代半導體材料技術列入國家戰略。我國在第三代半導體領域的研究工作一直緊跟世界前沿，并有機會實現超越。

 

　　此次投資合作論壇，由商務部投資促進局和北京大學東莞光電研究院共同發起，吳江汾湖高新區、江蘇華功第三代半導體產業技術研究院等協辦。目前，吳江總投資近2000億元的“555計劃”全面推進，尤其是被列入“五大平臺”建設的第三代新型半導體產業園區，已成功引進華功半導體、英諾賽科、有機光電研究所等一大批重點產業項目。

 

　　“在第三代半導體蓬勃發展、產業升級的重要時機，在吳江舉行第三代半導體新材料投資合作論壇適逢其時、意義重大。”吳江區相關負責人表示，此次投資合作論壇，院所眾多、精英云集、內容豐富，既有最前沿的產業介紹和政策解讀，又有面向金融資本的投資項目推介，更有投資聯盟籌建成立、業界翹楚對話沙龍。通過搭建交流互動平臺，謀求“創新鏈”“產業鏈”與“資本鏈”相融共進，共同打造第三代半導體產業創新生態體系。

 

　　同時，在吳江打造一個中國乃至世界有影響力的第三代半導體行業投資交流平臺，整合國際國內第三代半導體資源，吸引技術和資本，推動吳江和汾湖在第三代半導體材料產業快速崛起，促進中國第三代半導體材料產業長足發展。