“到2030年，第三代半導體產業力爭全產業鏈進入世界先進行業，部分核心關鍵技術國際引領，核心環節有1至3家世界龍頭企業，國產化率超過70％。”這是日前在京舉辦的第三代半導體戰略發布會上，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲所描述的我國半導體產業未來的發展前景。
據專家介紹，與第一代、第二代半導體材料及集成電路產業上的多年落后、很難追趕國際先進水平的形勢不同，我國在第三代半導體領域的研究工作一直緊跟世界前沿，工程技術水平和國際先進水平差距不大。當前，已經發展到了從跟蹤模仿到并駕齊驅、進而可能在部分領域獲得領先和比較優勢的階段，并且有機會實現超越。
因其有較好的應用前景和未來市場潛力巨大，第三代半導體產業也被我國決策層納入戰略發展的重要產業。例如，從2004年開始，我國政府就第三代半導體材料研究與開發進行了相應的部署，并啟動了一系列的重大研究項目。2013年，科技部在863計劃新材料技術領域項目征集指南中也特別指出了要將第三代半導體材料及應用列入重要內容。
技術水平并駕齊驅
據悉，第三代半導體具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、搞電子密度、高遷移率等特點，因此也被業內譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”以及光電子和微電子等產業的“新發動機”。
記者在采訪中獲悉，半導體產業發展至今經歷了三個階段，第一代半導體材料以硅（Si）為代表，以砷化鎵（GaAs）為代表的第二代半導體材料和以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等寬禁帶為代表的第三代半導體材料。相較前兩代產品，第三代半導體其性能優勢非常顯著且受到業內的廣泛好評。
對于第三代半導體發展，科技部高新司副司長曹國英曾表示，第三代半導體聯合創新基地的建設對促進產業的發展具有十分積極的作用，科技部高新司也將會持續支持第三代半導體的建設及基地的發展。
一些地方也將半導體產業的發展作為主要項目予以特別關注。例如，北京市科委主任閆傲霜就曾表示，建設第三代半導體材料及應用聯合創新基地，既是國家級的重要戰略部署，也是北京作為全球科技創新中心的一項重要的決策。
有專家舉例說，氮化鎵技術正助力5G移動通信在全球加速奔跑，5G移動通信將從人與人通信拓展到萬物互聯，預計2025年全球將產生1000億的連接。5G技術不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性以支持海量設備的互聯。
在專利方面，決策層對第三代半導體產業的知識產權問題也較為重視。在2015年，我國不僅成立了第三代半導體專利聯盟，而且還搭建了第三代半導體只是產權創新服務平臺。同年5月份，京津冀就聯合共建了第三代半導體材料及應用聯合創新基地，搶占第三代半導體戰略新高地。
市場份額從5％擴大50％
第三代半導體以氮化鎵毫米波器件可以提供更高的功率密度、更高效率和更低功耗也成為各地政府爭相推進的項目。近幾年，第三代半導體產業也在各級政府的支持下得到了快速發展，市場份額也實現了快速發展。
根據國際半導體設備與材料產業協會（SEMI）發布的報告，預計將于2017年—2020年間投產的半導體晶圓廠約為62座，其中26座將設于中國，占全球總數42％。這些建于我國的晶圓廠2017年預計將有6座上線投產。
中商產業研究院給記者提供的數據顯示，2000年~2015年之間，中國半導體市場增速領跑全球，達到21.4％，其中全球半導體年均增速是3.6％，美國將近5％，歐洲和日本都較低，亞太較高是13％。
就市場份額而言，目前中國半導體市場份額從5％提升到50％，成為全球的核心市場。2015年全球半導體市場銷售額為3352億美元，同比下降了0.2％。而相對應的是中國半導體市場依舊保持較高景氣度，半導體市場規模達到1649億美元，同比增長6.1％，成為全球為數不多的仍能保持增長的區域市場。
根據國際半導體產業協會（SEMI）公布最新出貨報告顯示，今年5月北美半導體設備制造商出貨金額為22.7億美元，環比增長6.4％，同比增長41.9％，創下自2001年3月以來歷史新高。SEMI預計，2017年全球設備出貨量將達到歷史新高490億美元。
在全球半導體市場火熱帶動下，我國與之相關的半導體企業其利潤也迎來了“開門紅”。截至6月21日，有13家半導體企業發布了2017年中報業績預告，在13家半導體企業中，有9家預增續盈，增長比例近七成。
記者統計顯示，康強電子、華天科技、潔美科技預計半年報凈利潤最大增幅超50％。據康強電子預計，上半年凈利潤為2700萬-3500萬元，同比增長53.59％-99.10％。對于業績增長的主要原因，公司表示，半導體行業持續回暖，預計公司制造業板塊主要產品產銷量及銷售收入較上年同期有較大幅度增長。公司推進管理轉型升級，提高運營效率和產品質量，降本增效。
中商產業研究院半導體研究員林寶宜在接受《中國產經新聞》記者采訪時說，半導體設備制造商出貨金額持續高速增長，主要驅動力來自于技術與市場兩方面。技術方面源于相關廠商對3D NAND及高階制程的持續投入。市場方面來自于近年來晶圓廠的建設浪潮，這兩方面驅動力未來兩年內將持續推動半導體產業不斷提升。
整體實力仍顯不足
近些年來，我國的第三代半導體產業發展相較以往可以說取得了不少的進步，其技術也逐步從第一代、第二代邁向了第三代。其產業規模也在不斷擴大，產業發展潛力巨大。
值得一提的是，第三代半導體材料在應用領域涉及到能源、交通、裝備、信息、家用電器等多個領域。然而，涉及面廣的第三代半導體材料因產業鏈長、應用覆蓋面廣，國內絕大多數的企業在獨立完成全產業技術創新方面仍不足。造成的結果就是，雖然我國第三代半導體在技術研發方面與發達國家相比差距較小，但仍然面臨不少技術難關。
而事實上，這一困境也成為不少企業在發展過程中所面臨的一大挑戰。“半導體產業發展十分火熱，但是從整體實力來看仍然存在不足”。林寶宜說，在IP核市場，中國依舊嚴重依賴外部供給，85％以上為國外供應商提供。
有數據顯示，2015年中國集成電路進口金額2307億美元，其進口額超過原油，成為我國第一大進口商品，出口集成電路金額693億美元，進出口逆差1613億美元。較大的逆差凸顯半導體市場供需不匹配，嚴重依賴進口的局面亟待改善。
華南智慧創新研究院院長曾海偉認為，國內的半導體產業需求已占到全球市場需求的30％，但產能只有10％，處于產業鏈的底部，更是缺乏大型的、有核心技術及話語權的龍頭公司。
曾海偉在接受記者采訪時表示，半導體的發展不是一朝一夕發展起來的，我國半導體發展還面臨著人才、技術和經驗的瓶頸。同時，創新鏈不通、缺乏體制機制創新也是阻礙其發展的原因。
“最大的瓶頸是原材料。”多位業內專家曾表示，我國原材料的質量、制備問題亟待破解。目前，我國對sic晶元的制備尚未空缺，大多數設備靠國外進口。
也有專家認為，國內開展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比較晚，與國外相比水平較低，阻礙國內第三代半導體研究進展的重要因素是原始創新問題。國內新材料領域的科研院所和相關生產企業大都急功近利，難以容忍長期“只投入，不產出”的現狀。因此，以第三代半導體材料為代表的新材料原始創新舉步維艱。
所謂的原始創新就是從無到有的創新過程，其特點是投入大、周期長。以SiC為例，其具有寬的禁帶寬度、高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，非常適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。
資料顯示， SiC生長晶體難度很大，雖然經過了數十年的研究發展，到目前為止只有美國的Cree公司、德國的SiCrystal公司和日本的新日鐵公司等少數幾家公司掌握了SiC的生長技術，能夠生產出較好的產品，但離真正的大規模產業化應用也還有較大的距離。因此，以第三代半導體材料為代表的新材料原始創新舉步維艱，是實現產業化的一大桎梏。
有業內人士認為，雖然半導體產業從來不是完全由市場決定的，都是以企業為主，我國的半導體產業還不具有很強競爭力，與中國的大國地位還不匹配，半導體企業還需要跟歐美、日韓的企業學習，還有很長的路要走。
