近年來，寬禁帶半導(dǎo)體已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導(dǎo)體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體照明已經(jīng)形成巨大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)，并在電子功率器件領(lǐng)域繼續(xù)深入發(fā)展。

 

　　第二屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議將圍繞寬禁帶半導(dǎo)體材料生長技術(shù)、材料結(jié)構(gòu)與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關(guān)設(shè)備研發(fā)等領(lǐng)域開展廣泛交流，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研的相互合作和交流。

 

　　強(qiáng)大的嘉賓團(tuán)加上高質(zhì)量的內(nèi)容，將帶來一場寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的一場別開生面的交流盛會，也為本屆會議凝聚了超高的人氣。值得一提的是，本屆嘉賓陣容星光熠熠，超高規(guī)格，其中原國家科學(xué)技術(shù)部副部長曹健林，中國科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授甘子釗，中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓將領(lǐng)銜擔(dān)任名譽(yù)主席。同時大會更是集結(jié)了來自中國科學(xué)院、中國工程院的多位院士，以及全國寬禁帶半導(dǎo)體照明領(lǐng)域的優(yōu)勢力量共同坐鎮(zhèn)，為大會提供強(qiáng)有力的支持。

 

　　大會也受到高度關(guān)注，不僅收到了大批高質(zhì)量的論文，而且各大科研機(jī)構(gòu)、高校、名企也積極派代表報名參會。據(jù)組委會介紹，截止日前，已有投稿170余篇，大會邀請報告10篇，分會邀請報告近40篇。

 

　　氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)及應(yīng)用正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地，被認(rèn)為或?qū)⒁l(fā)科技變革并重塑國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。從報告內(nèi)容來看，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展、技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等多個維度都將有重量級的報告呈現(xiàn)。既有寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展新動向，亦有碳化硅、氮化鎵材料，以及器件等的最新研究進(jìn)展及發(fā)展方向，將以開闊的視野展現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的現(xiàn)在與未來，非常令人期待。

 

　　實際上，為推動我國寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的發(fā)展，加強(qiáng)交流與協(xié)同創(chuàng)新，由中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會發(fā)起并主辦、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所承辦的第一屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議于2015年10月31日-11月2日在蘇州成功舉行，參會規(guī)模近500人。

 

　　2014年5月在揚(yáng)州召開的13屆全國MOCVD會議期間，會議主辦方中國有色金屬學(xué)會時任主要領(lǐng)導(dǎo)深刻感受到寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件蓬勃發(fā)展態(tài)勢，并意識到后續(xù)廣闊發(fā)展前景，決定推動依托中國有色金屬學(xué)會成立一個專業(yè)委員會，以搭建一個能持續(xù)穩(wěn)定推動我國寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展的平臺。經(jīng)過20個月的籌備,最后報中國科協(xié)備案，成立了全國性寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)組織--中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會,并于2015年12月11日在廣東省東莞市隆重舉行成立儀式暨首屆寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)研討會，來自國內(nèi)寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界的專家學(xué)者進(jìn)行了兩天的學(xué)術(shù)交流。

 

　　2016年在延吉召開的14屆全國MOCVD 會議期間，“寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會”與“電子材料學(xué)分會”聯(lián)合開會討論決定：全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議自第二屆開始將由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會和中國電子學(xué)會電子材料學(xué)分會共同舉辦；第二屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議定于2017年8月10日-8月12日在青海西寧市舉行。

 

　　當(dāng)前，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和裝備巨頭還未形成專利、標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)模的壟斷，被認(rèn)為是“換道超車”的重要發(fā)展窗口期，我國也在積極推進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展。深信這次會議必將對我國寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件的學(xué)術(shù)研究、技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。

 

　一、大會主要日程

 

　　二、大會邀請報告：

　　三、大會分會場主題：

 

　　1、材料生長（氮化物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體、SiC、金剛石等）
       2、材料物性和表征方法（光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等）
       3、光電子器件及其應(yīng)用（LED、LD、光電探測器等）
       4、電子器件及其應(yīng)用（射頻電子器件、功率電子器件等）
       5、新型寬禁帶材料與器件（超寬禁帶半導(dǎo)體、二維寬禁帶半導(dǎo)體、有機(jī)寬禁帶半導(dǎo)體等）
     
      四、會議注冊費：

 

　　1. 一般代表（A類票）：

 

　　2800元（含論文集、日程等會議資料及會議期間相關(guān)服務(wù)）

      2. 學(xué)生代表（B類票）：

 

　　2300元（與一般代表相同會議待遇，但須提交相關(guān)證件）

      五、注冊費繳費方式：

 

　　1．通過銀行匯款：

 

　　開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行

 

　　賬號：336356029261

 

　　名稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

      2．現(xiàn)場繳費（接受現(xiàn)金和刷卡）

 

　　六、會議信息及聯(lián)系人

 

　　1. 會議官網(wǎng)：

 

　　2. 會議酒店：青海西寧萬達(dá)嘉華酒店

 

　　組委會提供會議協(xié)議酒店，以滿足參會代表的不同需求。會議召開期間，正值旅游旺季，房源緊張，請您合理安排好時間，自行與酒店提前聯(lián)系預(yù)定，并聲明是參加“第二屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議”的代表，住宿費用自理。

 

　　備注：各酒店享有會議特別折扣的客房數(shù)量有限，請盡早預(yù)訂。享有會議折扣房價的客房售完時，一些酒店可能還保留部分原價客房以供預(yù)訂。

 

　　3. 會議聯(lián)系人：

 

　　論文征集：趙維  龔政

 

　　T：020-61086425-8004  M：18840341159  E：291318252@qq.com

 

　　參會咨詢：

 

　　劉輝   T：010-82381880     E：liuh@china-led.net

 

　　張亞芹 T：010-82387600轉(zhuǎn)655，zhangyq@china-led.net

 

　　商務(wù)合作：

 

　　張威威T：010-82387380   M：13681329411    E：zhangww@china-led.net

 

　　賈欣龍T：010-82387430   M：18310277858    E：jiaxl@china-led.net

 

　　許薊鴻 T：010-82387600轉(zhuǎn)505   M：13466648667     E：xujh@china-led.net

 

　　大會熱烈歡迎半導(dǎo)體專業(yè)領(lǐng)域的專家、學(xué)者及相關(guān)行業(yè)的企事業(yè)單位參會交流。

 

　　報名參會鏈接：http://www.wbschina.cn/wbs/guide.asp?id=78