大會主席、北京大學(xué)教授張國義, 廣東省科學(xué)院副院長劉敏, 大會主席、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長吳玲, 中國有色金屬學(xué)會理事長賈明星先后為大會致開幕詞。北京大學(xué)沈波教授主持開幕式，與來自全國各地各大科研機(jī)構(gòu)、高校、名企500余名參會代表出席本次會議。

　　在大會特邀報告環(huán)節(jié)，中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓分享了“寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展新動向”專題報告；中國電子科技集團(tuán)第十三研究所研究員蔡樹軍分享了“GaN微波器件最新進(jìn)展”主題報告；浙江大學(xué)教授盛況帶來了“碳化硅電力電子器件研究新進(jìn)展”報告；中科院物理所研究員陳小龍則帶來了“寬禁帶碳化硅半導(dǎo)體材料研究及產(chǎn)業(yè)化”主題報告；山東大學(xué)晶體材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任陶緒堂教授帶來了“寬禁帶半導(dǎo)體晶體材料與器件研究進(jìn)展”。

 

　　在為期三天的密集學(xué)術(shù)報告里，火熱的話題、強(qiáng)大的嘉賓團(tuán)加上高質(zhì)量的內(nèi)容，為本屆會議凝聚了超高的人氣，大會不僅收到了大批高質(zhì)量的論文。根據(jù)大會日程，開、閉幕大會特邀報告環(huán)節(jié)，各設(shè)置了五大特邀報告。期間，還安排了兩場深度對話討論，一是對深紫外光電材料與器件發(fā)展趨勢討論，二是對寬禁帶半導(dǎo)體電子器件發(fā)展趨勢進(jìn)行討論。

 

　　同時，還設(shè)置5個分會場，邀請了135個主題報告。圍繞材料生長、材料物性表征及仿真、LED及照明技術(shù)電力電子器件、激光器、深紫外器件、激光器、其它寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件等不同主題進(jìn)行前沿研究分享和深度交流。從大會報告內(nèi)容設(shè)置來看，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展、技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)業(yè)化等多個維度都有重量級的報告呈現(xiàn)。既有寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展新動向，亦有碳化硅、氮化鎵材料，以及器件等的最新研究進(jìn)展及發(fā)展方向，多維度呈現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的最新動態(tài)。并將以開闊的視野展現(xiàn)寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的現(xiàn)在與未來。