按照大會議程安排，閉幕儀式前是重要的特邀報告環(huán)節(jié)。該環(huán)節(jié)特邀中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓和中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍兩位院士坐鎮(zhèn)擔任閉幕大會特邀報告主持人。

中國科學(xué)院院士、南京大學(xué)教授鄭有炓和中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍擔任嘉賓主持人

浙江大學(xué)的葉志鎮(zhèn)教授

　　來自浙江大學(xué)的葉志鎮(zhèn)教授首先分享了“ZnO薄膜研究新進展與LED光效提升研究”特邀報告。他表示，ZnO直接寬帶發(fā)紫藍光，P型摻雜與電發(fā)光是行業(yè)難題，ZnO透明導(dǎo)電，光電調(diào)控理論與工程應(yīng)用是關(guān)鍵。ZnO多功能，材料可控制備與功能調(diào)控機制是基礎(chǔ)。對節(jié)能、信息與智能技術(shù)發(fā)展有重要意義。物豐價廉、環(huán)境友好、可持續(xù)發(fā)展，對固態(tài)照明、透明顯示和傳感領(lǐng)域應(yīng)用都值得期待。他認為， GaN、SiC研究潮水已來，是乘風揚帆的好時機。ZnO多功能，ZnO材料代表未來，就如停在海灘上一艘船，迎接潮水。

華南理工大學(xué)彭俊彪教授

 　　華南理工大學(xué)彭俊彪教授則分享了“高遷移率氧化物半導(dǎo)體顯示材料的科學(xué)與技術(shù)”特邀報告。報告中對OLED顯示發(fā)展趨勢、新型氧化物TFT材料研制、溶液法制備TFT陣列、基于新型TFT陣列的AMOLEDs和AMOLED顯示屏進行了詳細介紹。他表示，在高分子界面材料、高效率印刷器件和全印刷OLED顯示屏領(lǐng)域做出了一些創(chuàng)新工作。發(fā)明了水/醇溶界面修飾聚合物，為共軛性的主鏈提供電子通道，極性的側(cè)鏈兼具實現(xiàn)聚合物的水或醇溶特性以及與金屬形成良好的界面偶極相互作用。解決了電子從高功函數(shù)陰極注入效率低的問題，大幅提高器件性能。同時，早高效率印刷制備顯示屏方面，采用PFN/導(dǎo)電銀膠復(fù)合陰極，在國際上首次實現(xiàn)全溶液印刷RGB三基色OLED器件。也在國際上首次實現(xiàn)全溶液噴墨打印陰極制作的三基色OLED顯示屏。

廈門大學(xué)康俊勇教授

 

　　廈門大學(xué)康俊勇教授在“多場調(diào)控AlGaN量子結(jié)構(gòu)及其在紫外光源的應(yīng)用”特邀報告中表示，當前對尋找新型固態(tài)紫外光源非常緊迫，ALGaN半導(dǎo)體為不可替代的新型固態(tài)紫外光源材料。無汞污染、電壓低、體積小、效率高、壽命長和利于集成的特點，有著更為廣闊的應(yīng)用前景。

 

　　報告中提出了分層生長技術(shù)，實現(xiàn)了單分子層量子阱的外延；開發(fā)出調(diào)制表面工程技術(shù)，突破了寬帶隙半導(dǎo)體內(nèi)嚴格的雜質(zhì)溶解度制約。設(shè)計定位Mg和Siδ共摻合多維超晶格結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)高Al組分AlGaN的Mg高效摻雜。發(fā)現(xiàn)量子結(jié)構(gòu)中反常躍遷特性，掌握電流誘導(dǎo)應(yīng)力場調(diào)控量子能級躍遷規(guī)律。

中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員

 

　　中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所徐科研究員介紹了“AlN 在藍寶石襯底上的HVPE生長研究與缺陷表征”特邀報告。他表示，從半導(dǎo)體照明向“照明、顯示與通訊”融合發(fā)展，大電流和小芯片密度是基本特點，是信息與功率的融合。光化學(xué)腐蝕對位錯的選擇刻蝕，得到無位錯GaN納米柱圖形襯底，實現(xiàn)極低位錯密度GaN單晶HVPE生長。與國際GaN襯底供應(yīng)商對比，蘇州納維的位錯密度和曲率半徑均最好。

香港科技大學(xué)陳敬教授

 

　　香港科技大學(xué)陳敬教授帶來了“GaN-on-Si Power Devices and ICs”特邀報告。他表示，柵極技術(shù)是各項GaN-on-Si功率器件技術(shù)的分界嶺。此外，陳敬教授還從從柵極輸入端看GaN-on-Si橫向功率器件，從柵極驅(qū)動看GaN Power IC。

科技部科學(xué)技術(shù)部高技術(shù)研究發(fā)展中心項目主管楊斌

 

　　此外，科技部科學(xué)技術(shù)部高技術(shù)研究發(fā)展中心項目主管楊斌對國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項情況進行了簡要介紹。按照第三代半導(dǎo)體材料與半導(dǎo)體照明、新型顯示、大功率激光材料與器件、高端光電子與微電子材料4個技術(shù)方向，共部署35個研究任務(wù)。專項實施周期為5年（2016 - 2020年）。2016年重點專項在4個技術(shù)方向已啟動15個研究任務(wù)的27個項目。2017年擬在4個技術(shù)方向啟動15個研究任務(wù)的37-74個項目，擬安排國撥經(jīng)費總概算為8.38億元。凡企業(yè)牽頭的項目須自籌配套經(jīng)費，配套經(jīng)費總額與國撥經(jīng)費總額比例不低于1：1。其中包括面向新一代通用電源的GaN基電力電子關(guān)鍵技術(shù)，超高能效半導(dǎo)體光源核心材料、器件及全技術(shù)鏈綠色制造技術(shù)，新形態(tài)多功能智慧照明與可見光通信關(guān)鍵技術(shù)及系統(tǒng)集成，用于第三代半導(dǎo)體的襯底及同質(zhì)外延、核心配套材料與關(guān)鍵裝備，新型顯示產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)與產(chǎn)業(yè)化示范，高光束質(zhì)量、低閾值、長壽命、低成本紅綠藍LD材料及器件關(guān)鍵技術(shù)與工程化研究等要點作為重點闡述。

廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院陳志濤副院長

　　閉幕式上，廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院陳志濤副院長代表主辦方作了會議總結(jié)。他表示，本屆會議超預(yù)期，在參會人數(shù)和報告數(shù)量上均超預(yù)期。在為期兩天的緊張會議進程中，大會共計吸引了來自全國各地科研機構(gòu)、高校院所、知名企業(yè)代表500余人。會議收到投稿233篇，特邀報告10篇，分會邀請報告50篇，口頭報告65篇，張貼報告113篇。與《半導(dǎo)體學(xué)報》合作，在資源的基礎(chǔ)上，收到希望在學(xué)報發(fā)表的論文14篇，根據(jù)學(xué)報審稿標準擇優(yōu)推薦發(fā)表。本屆會議還嘗試創(chuàng)新設(shè)置了一場200余人的深度對話討論，眾多業(yè)界頂尖專家和代表參與對話，也是超預(yù)期成功。

　　在優(yōu)秀論文頒獎環(huán)節(jié)，經(jīng)過大會專家委員會的嚴格審定，評選出十名優(yōu)秀學(xué)術(shù)論文。鄭有炓院士和郝躍院士為獲獎代表頒獲獎證書和獎品。

 

　　本屆會議還得到合肥彩虹藍光科技有限公司、江蘇華功半導(dǎo)體有限公司、上海正帆科技有限公司、北京媯水科技有限公司、濟南力冠電子科技有限公司、徳儀國際貿(mào)易（上海）有限公司、蘇州納維科技有限公司、Ceramicroforum 株式會社、西安格美金屬材料有限公司和鉑悅儀器（上海）有限公司的鼎力支持。上述單位，還在現(xiàn)場設(shè)置了展臺展示，同與會代表展開廣泛交流與合作。

西安交通大學(xué)王宏興教授

　　與此同時，經(jīng)申請、組委會討論，西安交通大學(xué)獲得第三屆全國寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議承辦權(quán)。西安交通大學(xué)王宏興教授代表下一屆承辦單位介紹申辦單位學(xué)術(shù)背景、舉辦地點及城市特色。

閉幕式現(xiàn)場

中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍

　　最后，中國科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)教授郝躍作為顧問委員會專家為本屆大會做了簡要總結(jié)。他表示，本屆寬禁帶半導(dǎo)體學(xué)術(shù)會議參與人數(shù)之多，超過會前預(yù)期。會議設(shè)置緊湊，大會特邀報告和各分會專題報告都精彩紛呈，且含金量十足。寬禁帶半導(dǎo)體在學(xué)術(shù)上的前沿探討和學(xué)術(shù)引領(lǐng)，為研究人員帶來新技術(shù)、新領(lǐng)域、新思路和新方向，很大程度上為我國戰(zhàn)略性先進電子材料發(fā)展提供良好的支撐。希望，各參會代表能抓住良好機會，嚴謹治學(xué)，認真學(xué)習，專心做研究，把專業(yè)研究成果轉(zhuǎn)化為工業(yè)應(yīng)用，為實現(xiàn)科技強國偉大目標貢獻力量。

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