2017年11月1日-3日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2017）將在北京·順義·首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店隆重舉行。并與第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2017）同期舉行。本屆會(huì)議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)主辦，得到科技部、發(fā)改委、工信部、北京政府等相關(guān)部門大力支持。

 

　　作為全球性、高層次的綜合性論壇。論壇全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)。

 

　　其中，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會(huì)作為論壇六大技術(shù)分會(huì)之一，將重點(diǎn)關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢(shì)，積極推動(dòng)我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用，近年來(lái)不斷獲得技術(shù)的突破。分會(huì)著重研討超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用等內(nèi)容，旨在搭建產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、資本的高質(zhì)量交流平臺(tái)，共同探討超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新趨勢(shì)，積極推動(dòng)我國(guó)超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　分會(huì)邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加本次會(huì)議，呈現(xiàn)超寬帶半導(dǎo)體及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究應(yīng)用的最新迚展。其中，中科院微電子所教授、中國(guó)科學(xué)院院士劉明和廈門大學(xué)校長(zhǎng)，南京大學(xué)教授張榮將聯(lián)合坐鎮(zhèn)擔(dān)任分會(huì)主席。

 

　　其中，劉明院士長(zhǎng)期致力于微電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的研究，在存儲(chǔ)器模型機(jī)理、材料結(jié)構(gòu)、核心共性技術(shù)和集成電路的微納加工等方面做出了系統(tǒng)、創(chuàng)造性貢獻(xiàn)。代表性成果包括：建立了阻變存儲(chǔ)器（RRAM）物理模型，提出并實(shí)現(xiàn)高性能RRAM和集成的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)方法，產(chǎn)生重要國(guó)際影響。拓展了新型閃存材料和結(jié)構(gòu)體系，提出新的可靠性表征技術(shù)、失效模型和物理機(jī)理，為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供關(guān)鍵理論和技術(shù)基礎(chǔ)。她發(fā)表SCI收錄論文250多篇，SCI他引（劉明或合作者均視為自引）超過(guò)2800次，6篇論文入選ESI高被引論文榜，兩項(xiàng)工作列入2013年ITRS（國(guó)際半導(dǎo)體發(fā)展路線圖）、多項(xiàng)工作作為典型進(jìn)展被寫入15本著作和40篇綜述中。在本領(lǐng)域重要國(guó)際會(huì)議做邀請(qǐng)報(bào)告30多次。授權(quán)發(fā)明專利180件（含美國(guó)授權(quán)專利7件），主要專利轉(zhuǎn)讓/許可到多家重要集成電路企業(yè)。

 

　　同時(shí)，西安交通大學(xué)王宏興，山東大學(xué)教授、晶體材料研究所所長(zhǎng)、晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任陶緒堂，國(guó)家杰出青年基金和中科院“百人計(jì)劃”獲得者、同濟(jì)大學(xué)教授徐軍將擔(dān)任分會(huì)委員，共同為分會(huì)提供堅(jiān)持的支持。其中，王宏興教授在III-V族半導(dǎo)體薄膜外延生長(zhǎng)及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質(zhì)量金剛石薄膜外延生長(zhǎng)，碳納米場(chǎng)致發(fā)射陰極、場(chǎng)致發(fā)射光源及其他場(chǎng)致發(fā)射電子器件，MOCVD設(shè)計(jì)開發(fā)、特殊直流CVD設(shè)計(jì)開發(fā)、微波等離子體CVD的設(shè)計(jì)開發(fā)等領(lǐng)域做出了許多創(chuàng)新性工作。在Carbon、Applied Physics Letters、Scientific Reports、Applied Surface Science、Diam. Relat. Mater等期刊發(fā)表SCI論文70余篇，申請(qǐng)和獲授權(quán)的中國(guó)、日本、美國(guó)、PCT專利100余項(xiàng)。目前研究領(lǐng)域包括寬禁帶半導(dǎo)體高溫、高效、大功率微波器件、電力電子器件、發(fā)光器件的研究；大面積、高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體襯底的研究；電子器件級(jí)高質(zhì)量寬禁帶半導(dǎo)體單晶薄膜及摻雜方法的研究；基于寬禁帶半導(dǎo)體的傳感器和成像探測(cè)器的研究；新型化學(xué)氣相沉積（CVD）系統(tǒng)等關(guān)鍵設(shè)備的研制；金剛石MEMS結(jié)構(gòu)與器件等。

 

　　徐軍教授主要從事激光與光學(xué)晶體研究，包括激光晶體、超寬禁帶半導(dǎo)體晶體、晶體生長(zhǎng)科學(xué)與技術(shù)等。作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，先后主持國(guó)家級(jí)課題20余項(xiàng)，是國(guó)家“九五”、“十五”國(guó)家“863”新材料項(xiàng)目、中科院重大項(xiàng)目和國(guó)防重大專項(xiàng)的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。發(fā)表論文500余篇，申請(qǐng)發(fā)明專利數(shù)十項(xiàng)。出版了《激光材料科學(xué)與技術(shù)前沿》《摻鐿激光晶體材料》等6部著作，并先后獲得2003年國(guó)家科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)、2001年和2004年上海市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)等多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。

 

　　同時(shí)，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院杰出教授馮哲川、電子科技大學(xué)教授劉興釗及日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA等業(yè)界知名專家將做特邀報(bào)告，分享各自領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。其中，馮哲川教授從事于第三代半導(dǎo)體研發(fā)，碳化硅已33年和III族氮化物已21年，主要研究方向和領(lǐng)域著重于寬能隙半導(dǎo)體的多學(xué)科材料研究及奈米器件制程及研發(fā)，金屬氧化物化學(xué)氣相外延和其他技術(shù)長(zhǎng)晶及研究，表面科學(xué)，同步輻射，多學(xué)科檢測(cè)技術(shù)在光學(xué)/電子材料/結(jié)構(gòu)的應(yīng)用，計(jì)算機(jī)理論仿真寬能隙半導(dǎo)體及奈米結(jié)構(gòu)之光學(xué)和材料特性。

 

　　此外，還有來(lái)自電子科技大學(xué)等眾多國(guó)內(nèi)外高校、科研機(jī)構(gòu)的嘉賓將帶來(lái)更多的精彩紛呈的報(bào)告。

 

　　最新進(jìn)展，更多信息，論壇君將持續(xù)跟蹤“爆料”，敬請(qǐng)關(guān)注中國(guó)半導(dǎo)體照明網(wǎng)。

 

SSLCHINA詳情鏈接：http://www.sslchina.org/
IFWS詳情鏈接：http://ifws.sslchina.org/

 

張 女士

010-82387380

13681329411

zhangww@china-led.net

 

賈 先生

010-82387430

18310277858

jiaxl@china-led.net

 

許 先生

010-82387600 Ext 505

13466648667

xujh@china-led.net