第三代半導(dǎo)體材料主要包括以氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物，具備擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

 

　　為助力中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展提質(zhì)增效，更好地整合國內(nèi)外第三代半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢資源，實(shí)現(xiàn)中國半導(dǎo)體行業(yè)迅速崛起。在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦的2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）將于2017年11月1-3日與第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）同期在北京首都機(jī)場希爾頓酒店召開。

 

　　其中， “碳化硅材料與器件分會(huì)” 作為論壇的重要組成部分，特邀請浙江大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師盛況將領(lǐng)銜擔(dān)任分會(huì)程序委員會(huì)主席。山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛，中科院物理所教授陳小龍，西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院教授、院長張玉明，西安交通大學(xué)教授張安平，大連理工大學(xué)教授王德君，中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員柏松擔(dān)任程序委員會(huì)委員。其中，分會(huì)委員山東大學(xué)教授徐現(xiàn)剛將分享“SiC單晶生長技術(shù)的現(xiàn)狀與展望”深度報(bào)告，將帶來最新的技術(shù)進(jìn)展和前景趨勢分析。中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所研究員柏松還將帶來“1.2kV 4H-SiC DMOSFET器件的設(shè)計(jì)和制造”專題報(bào)告。

 

　　除此之外美國Wolfspeed 電力設(shè)備研究科學(xué)家Jon ZHANG教授將帶來“碳化硅功率器件的現(xiàn)狀與展望”主題報(bào)告；荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授、IEEE電力電子協(xié)會(huì)主席Braham FERREIRA，德國愛思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER，國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏，日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong，超凡數(shù)據(jù)與咨詢事業(yè)部檢索業(yè)務(wù)高級總監(jiān)馬志勇等專家及知名企業(yè)負(fù)責(zé)人，將分享各自專場研究進(jìn)展報(bào)告。

 

　　分會(huì)將涵蓋SiC襯底、同質(zhì)外延和電力電子器件技術(shù)，充分展示碳化硅材料及電力電子器件技術(shù)的最新進(jìn)展。國內(nèi)外專家報(bào)告匯聚該分會(huì)，報(bào)告內(nèi)容及質(zhì)量讓人十分期待。

 

　　碳化硅材料與器件分會(huì)會(huì)議日程

　（注：最終會(huì)議日程以現(xiàn)場為準(zhǔn)）