材料與裝備技術對于LED性價比的提升至關重要，也是LED照明市場獲得發展的關鍵推動力。隨著半導體照明進入新的發展階段，進一步提高LED的發光效率和降低LED的制備成本仍然非常重要。

2017年11月1-3日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦的第十四屆中國國際半導體照明論壇暨 2017 國際第三代半導體論壇開幕大會在北京順義隆重召開。

期間，SSLCHINA 2017的經典分會“材料與裝備技術”如期舉行。中微半導體設備（上海）有限公司、北京北方華創微電子裝備有限公司、德國愛思強股份有限公司、維易科精密儀器國際貿易（上海）有限公司為本次分會提供了協辦支持。

從內容來看，本屆分會兼顧內容的廣度與深度，前沿大勢與實用技術的搭配，重量級特邀報告陸續登場。美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU，挪威科學技術大學教授、挪威科學技術院院士Helge WEMAN，北京大學教授陳志忠、南昌大學教授劉軍林、中微(上海)有限公司首席技術員胡建正、北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕BU副總經理劉利堅，德國愛思強股份有限公司副總裁Michael HEUKEN  等來自中外的強勢力量聯袂帶來精彩報告。中科院半導體研究所研究員、中科院半導體照明研發中心副主任王軍喜，河北工業大學教授畢文剛共同主持了本次分會。

會上，美國密歇根大學教授Pei-Cheng KU 分享了照明和顯示應用GaN納米結構的局部應變工程技術。

經過多年的發展，我國已經成為半導體照明領域的制造和應用大國。高品質LED照明應具備低色溫、高顯色指數、高光效、對人眼安全與舒適等特點。目前LED依然不夠成熟，藍光和紅光LED的外量子效率已經分別超過70%和50%，而黃光效率顯著低于藍光和紅光光效，這個現象被稱為“黃光鴻溝”。 南昌大學教授劉軍林介紹了無熒光粉照明技術，分享了在解決“黃光鴻溝”方面取得的突破。

材料是技術發展的物質基礎。 挪威科技大學教授Helge WEMAN介紹了石墨烯/玻璃上AlGaN納米線倒裝紫外LED生長。

重大裝備及材料技術的進展，時刻牽動著產業快速發展命脈，MOCVD設備作為LED領域最為重要的裝備，其發展一直是業內關注的焦點，近些年中國設備廠商進步明顯。會上，中微半導體設備(上海)有限公司主任研究員胡建正介紹了基于高產率MOCVD平臺 - AMEC Prismo A7TM的氮鎵LED生長研究，分享了中微最新的設備，并分享了4寸、6寸LED在藍寶石襯底上的實驗結構。

北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕BU副總經理劉利堅分享了LED工業中的干法刻蝕工藝技術和關鍵設備。介紹了LED領域所用到的一些設備、干法刻蝕以及北方華創在LED領域最近所做的工作和一些進展。

Micro LED顯示應用近來很火， 德國愛思強股份有限公司全球副總裁、德國亞琛工業大學教授Michael HEUKEN  介紹了Micro LED顯示屏–高產率MOCVD工藝路徑，分享了市場的應用以及市場的增長，介紹了微型的LED還有微型LED的一些生產平臺等技術。

圖形化藍寶石襯底(PSS)已經被廣泛用于提高LED的晶體質量以及出光效率。不過，對于  納米PSS（NPSS）是否可以有效提高晶體質量還有不同的看法。此次會上，北京大學教授陳志忠分享了基于納米圖案藍寶石襯底通過MOCVD生長藍綠色LED的研究成果。