超寬帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應用領域具有顯著的優勢和巨大的發展潛力。

超寬帶隙半導體的研究契合國家發展戰略，對于我國搶占技術制高點、掌握國際競爭主導權具有重要意義，尤其是以金剛石為代表的超寬禁帶半導體材料具有獨特優點，是對第三代寬禁帶半導體產業的完善和堅強補充。

2017年11月1日-3日，第三代半導體產業在中國地區的年度盛會，2017國際第三代半導體論壇（IFWS2017）在北京·順義·首都機場希爾頓酒店隆重舉行。并與第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2017）同期舉行。本屆會議由北京市順義區人民政府、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，得到科技部、發改委、工信部、北京政府等相關部門大力支持。

作為全球性、高層次的綜合性論壇。論壇設置了“碳化硅材料與器件”、“氮化鎵功率電子器件”等六大專題技術分會。全面覆蓋行業基礎研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應用的創新發展，提供全球范圍的全產業鏈合作平臺。

其中，“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會作為論壇六大技術分會之一，重點關注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新應用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA、廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川， 西安交通大學教授王宏興，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學教授陶緒堂，鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新，河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學院院士劉明與廈門大學校長、南京大學教授張榮共同主持了本屆分會。

日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA做了用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的報告，分享了其最新研究成果。

廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川帶來了Ga2O3薄膜的光學和結構特性的報告，并重點介紹了兩種技術測量。

 西安交通大學教授王宏興做了關于微機電系統單晶金剛石微結構制備的報告。

中國科學院微電子研究所研究員龍世兵分享了基于(100) β-Ga2O3 單晶的肖特基二極管和MOS電容的研究成果。

山東大學教授陶緒堂做了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展的報告，分享了在氧化鎵晶體生長方面的研究實踐及成果。

鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新做了高質量金剛石的CVD生長的報告。

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶分享了金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價，并介紹了利用金剛石材料制作射頻器件方面的工作及成果。

山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術的介紹，分享了單晶金剛石生產技術方面的工作及成果。