2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時(shí)得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月3日上午IFWS 2017之第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件技術(shù)分會(huì)如期舉行。分會(huì)由中國電子科技集團(tuán)第十三研究所和專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦，分會(huì)重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測(cè)材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測(cè)器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會(huì)還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。面向全球廣泛征集優(yōu)秀研究成果，并將邀請(qǐng)多名國際知名與家參加本次會(huì)議，力圖全面呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體紫外發(fā)光和探測(cè)領(lǐng)域在材料、器件、封裝及應(yīng)用等各層面的國內(nèi)外最新進(jìn)展。

 

　 日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學(xué)教授三宅秀人、北京大學(xué)副教授許福軍、中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻、華中科技大學(xué)教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波和南京大學(xué)教授陸海共同主持了本屆分會(huì)。

　 會(huì)上，中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻分享了納米圖案AlN/藍(lán)寶石模板上AlGaN深紫外LED和AlGaN/AlN激光器光提取技術(shù)。深紫外LED的光提取增強(qiáng)、深紫外發(fā)光二極管濺射AlN模板、AlGaN／AlN激光納米圖案化的AlN模板。

 

　 張韻曾在美國高平（Kopin）半導(dǎo)體公司III-V部門從事研發(fā)工作。具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計(jì)、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗(yàn)。參與完成與美國國防部先進(jìn)研究項(xiàng)目局（DARPA）在深紫外光電探測(cè)器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領(lǐng)域的項(xiàng)目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時(shí)，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗(yàn)和世界領(lǐng)先的成果。