2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，IFWS 2017之“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會如期舉行。分會重點關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA、廣西大學(xué)杰出教授、臺灣大學(xué)榮退教授馮哲川， 西安交通大學(xué)教授王宏興，中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學(xué)教授陶緒堂，鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學(xué)/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學(xué)院院士劉明與廈門大學(xué)校長、南京大學(xué)教授張榮共同主持了本屆分會。

 

　　山東大學(xué)/濟南中烏新材料有限公司王希瑋介紹了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術(shù)，分享關(guān)于設(shè)備，晶體的生長、切割等研究成果。其中，王希瑋表示，晶體的生長，必須要有很高的溫度、壓力，而且很重要的是必須要有金屬催化劑，這也是重要前提條件。