2017年11月1日-3日，第十四屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)、北京半導(dǎo)體照明科技促進(jìn)中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。論壇同時(shí)得到了科技部、發(fā)改委、國(guó)標(biāo)委和北京市科委等主管部門的大力支持。

11月2日下午，IFWS 2017之第三代半導(dǎo)體與微波射頻技術(shù)分會(huì)如期舉行。分會(huì)由中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三研究所和專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室協(xié)辦，主題涵蓋氮化鎵微波器件及其單片集成電路材料外延、建模、設(shè)計(jì)與制造、可靠性技術(shù)及其在移動(dòng)通信中的應(yīng)用等各方面，邀請(qǐng)國(guó)內(nèi)外知名專家參加會(huì)議，呈現(xiàn)第三代半導(dǎo)體微波器件及其應(yīng)用的最新進(jìn)展。 

英國(guó)布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所研究員馮志紅、南京電子器件研究所高級(jí)工程師吳少兵、中興通訊股份有限公司射頻功放平臺(tái)總工劉建利、荷蘭Ampleon公司W(wǎng)LR可靠性專家陶國(guó)橋等國(guó)內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域?qū)＜曳窒砀髯缘难芯砍晒Ｖ袊?guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所副所長(zhǎng)、研究員級(jí)高工蔡樹軍，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)張乃千共同主持本次分會(huì)。

會(huì)上，英國(guó)布里斯托大學(xué)教授Martin KUBALL做了關(guān)于極限GaN射頻FETs - GaN-on-Diamond技術(shù)的報(bào)告，具體介紹了該技術(shù)的研究背景，并結(jié)合相關(guān)數(shù)據(jù)，介紹了該技術(shù)的研究成果，及未來的一些應(yīng)用領(lǐng)域。

其中，Martin KUBALL表示氮化鎵的發(fā)展勢(shì)頭很強(qiáng)勁，當(dāng)前，通訊、雷達(dá)等應(yīng)用依舊是建立在碳化硅襯底氮化鎵基礎(chǔ)上的，隨著數(shù)據(jù)化的發(fā)展，需要的能量越來越多，而碳化硅上的氮化鎵也會(huì)有局限，開發(fā)金剛石襯底是一個(gè)不錯(cuò)的嘗試。Martin KUBALL詳細(xì)分享了當(dāng)前開發(fā)GaN-on-Diamond的技術(shù)進(jìn)展，包括穩(wěn)定性、可靠性，以及以金剛石襯底的優(yōu)勢(shì)和挑戰(zhàn)。他表示，雖然目前尚沒有商用，但從一定角度來說，金剛石襯底氮化鎵不應(yīng)該比碳化硅基氮化鎵更貴。此外，可以有不同材料的集成，比如氮化鎵是很好的射頻材料，可以與其他材料進(jìn)行結(jié)合，目前其團(tuán)隊(duì)已經(jīng)在做相關(guān)的測(cè)試。