2017年11月1日-3日,由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦的2017 國際第三代半導體論壇在北京順義隆重召開。在2日上午,舉行“SiC/GaN電力電子封裝、模塊及可靠性”分會上,來自桂林電子科技大學機電工程學院院長楊道國介紹了納米銀漿料加壓燒結封裝功率器件研究報告。
他表示,燒結現在是非常流行的一種方式,商業上也是廣泛應用到了封裝方面,特別是一些比較高功率的封裝方面。當然我們的燒結技術是有比較好的優勢,比如導電和導熱性能非常好,燒結還能夠使得芯片有所縮減。所以,對于一些功率器件的封裝來說是非常的有效的。同時,這個燒結可以用在比較要規模的封裝之上。銀燒結可以用到我們的功率元件和一些LED方面,比如紫外線方面也會用燒結,還有一些其它的應用。
他在介紹納米銀漿料加壓燒結封裝功率器件研究進展時表示,我們也進行了熱力的衡量,通過設備的累計結構功能,它的性能是非常好,循環周期也會更多一些。數據顯示進行雙面燒結的時候,它的微觀結構,橫截面可以看到在15萬的循環之后,它的密度將會從87%上升到93%。
他表示,銀的燒結對于電力設備的封裝來說具有眾多的優勢,尤其是壓力是非常重要的,關鍵的因素。流程參數的控制也是非常重要的,實時的控制動力插入技術將會提供更加準確的燒結控制方法,功率輸入的可靠性,性能非常的好。
對于電力器件的封裝來說,可靠性是非常重要的,就可靠性來說,加壓和不加壓的燒結連接有什么區別?楊道國院長表示,我們就無壓的情況和加壓的情況進行的比較。不能夠使用不同納米材料,在使用同樣納米材料的情況下對比加壓和無壓的電力封裝可靠性之間的區別,有時候也需要進行一些模擬,可以通過模擬獲得一些理論上見解,可以去了解這些電力封裝的可靠性,實際上這是非常困難的,很久之前我們就讓人員去進行模擬,可能在座的各位也有參與到這樣的工作當中。(根據現場速記整理,如有出入敬請諒解!)