2017年11月1-3日，在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和北京順義區(qū)人民政府主辦的2017國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京·順義·首都機(jī)場希爾頓酒店隆重舉行。

 

　　大會圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用，設(shè)置了包括第三代半導(dǎo)體與固態(tài)紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)等多個(gè)專場分會重點(diǎn)討論。全面覆蓋行業(yè)基礎(chǔ)研究、襯底外延工藝、電力電子器件、電路與模塊、下游應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺。

 

　　11月3日上午， IFWS 2017之第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外器件技術(shù)分會如期召開。中國電子科技集團(tuán)第十三研究所、專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為本次分會提供了協(xié)辦支持。分會重點(diǎn)關(guān)注以氮化鋁鎵、氮化鎵為代表的紫外發(fā)光材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的紫外探測材料，高效量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及外延，以及發(fā)光二極管、激光器、光電探測器等核心器件的關(guān)鍵制備技術(shù)。分會還將涵蓋紫外器件的先迚封裝材料及技術(shù)，包括光提取、熱管理及器件可靠性的提升方法。

 

　　日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA、 日本三重大學(xué)教授三宅秀人、北京大學(xué)副教授許福軍、中科院半導(dǎo)體研究所研究員張韻、華中科技大學(xué)教授陳長清、南京電子器件所工程師LUO Weike、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒等中外同行專家，帶來精彩報(bào)告，并分享各自的最新研究成果。北京大學(xué)物理學(xué)院教授、理學(xué)部副主任沈波和南京大學(xué)教授陸海共同主持了本屆分會。

 日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA

　　會上，日本理化學(xué)研究所量子光電設(shè)備實(shí)驗(yàn)室主任兼首席科學(xué)家Hideki HIRAYAMA介紹了高效率AlGaN深紫外LED的研究進(jìn)展。紫外LED有非常大的市場需求，在除菌、消毒、3D打印等領(lǐng)域有很大的市場潛力。其中，UVCLED的效率是由相應(yīng)的一些因素所造成，Hideki HIRAYAMA結(jié)合具體的研究過程，重點(diǎn)介紹了關(guān)于UVCLED效率提升技術(shù)。此外，他分享了通過光晶體反射進(jìn)一步提升光提取效率的研究成果，通過比較，光晶體事實(shí)上反射率的表現(xiàn)是非常卓越的，如果在使用光晶體的同時(shí)，也加入高反射電極的話，那LED的表現(xiàn)就會進(jìn)一步的得到改善。最理想的狀況當(dāng)中，反射率可以超過90%。Hideki HIRAYAMA表示，高反射度的光晶體目前也被確定成為是可以進(jìn)一步提高光提取效率的一種器件，未來發(fā)展當(dāng)中， UVC達(dá)到40%是目標(biāo)，其中可以利用鏡片高反射度的光晶體等。