2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導體照明工程研發及產業聯盟、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京市順義區人民政府主辦，中關村科技園區順義園管理委員會、北京半導體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　  11月2日下午，“超寬禁帶半導體及其它新型半導體材料”分會如期舉行。分會重點關注超寬禁帶半導體材料的制備、工藝技術、關鍵設備及半導體器件應用，聚焦超寬禁帶半導體材料及器件應用發展的新技術、新應用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導體材料和器件應用的發展。

 

　   日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA、廣西大學杰出教授、臺灣大學榮退教授馮哲川， 西安交通大學教授王宏興，中國科學院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學教授陶緒堂，鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新，河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學院院士劉明與廈門大學校長、南京大學教授張榮共同主持了本屆分會。

 

　　會上， 日本Novel Crystal Technology公司總裁帶來了關于Akito KURAMATA用于功率器件的β-Ga2O3晶體塊體和外延生長的精彩報告。Novel Crystal Technology公司主要對氧化鎵相關產品進行商業化，并且進行襯底層以及外延晶圓等方面的研發工作。Akito KURAMATA分享了目前氧化鎵在電力器件領域發展中的現狀、晶體生長以及氣相外延生長方式的研究進展及研究成果。其中，對比了幾種氧化鎵晶體生長方式之后，Akito KURAMATA重點介紹了EFG的生長方式。