2017年11月1日-3日，第十四屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2017）暨 2017 國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2017）在北京順義隆重召開。論壇由國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、北京市順義區(qū)人民政府主辦，中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會、北京半導(dǎo)體照明科技促進中心和北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。論壇同時得到了科技部、發(fā)改委、國標委和北京市科委等主管部門的大力支持。

 

　　11月2日下午，“超寬禁帶半導(dǎo)體及其它新型半導(dǎo)體材料”分會如期舉行。分會重點關(guān)注超寬禁帶半導(dǎo)體材料的制備、工藝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備及半導(dǎo)體器件應(yīng)用，聚焦超寬禁帶半導(dǎo)體材料及器件應(yīng)用發(fā)展的新技術(shù)、新應(yīng)用和新趨勢，積極推動我國超寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件應(yīng)用的發(fā)展。

 

　　日本Novel Crystal Technology公司總裁Akito KURAMATA，廣西大學(xué)杰出教授、臺灣大學(xué)榮退教授馮哲川， 西安交通大學(xué)教授王宏興，中國科學(xué)院微電子研究所研究員龍世兵，山東大學(xué)教授陶緒堂，鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院院長、教授單崇新，河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶，山東大學(xué)/濟南中烏新材料有限公司王希瑋等來自國內(nèi)外的重量級嘉賓出席并帶來了精彩報告。中科院微電子所教授，中國科學(xué)院院士劉明與廈門大學(xué)校長、南京大學(xué)教授張榮共同主持了本屆分會。

 

 

　　會上， 山東大學(xué)教授陶緒堂介紹了晶體生長和β-Ga2O3表征的最新進展，分享了關(guān)于氧化鎵、以及氧化鎵晶體生長等方面的研究工作。氧化鎵的結(jié)構(gòu)是多形的，β型的氧化鎵是最穩(wěn)定的，屬于單晶體。結(jié)合國內(nèi)外的研究狀況，陶緒堂分享了當前氧化鎵的研究進展以及氧化鎵晶體生長方法等內(nèi)容。分析了多種方法后，他表示關(guān)于氧化鎵晶體的生長已經(jīng)有幾十年的時間了，方法也有很多，比如提拉法、導(dǎo)模法等。從晶體質(zhì)量、大小，以及導(dǎo)電性的控制來看，導(dǎo)模法是最好的。對于未來，他同時表示，氧化鎵在產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用沒有很大的問題。目前存在著熱導(dǎo)力稍微低一點，以及如何摻雜的問題。不過很多時候我們可以做到單極的器件，也不一定非要做雙極的器件，所以三極管的高壓硬度有它的用處。導(dǎo)模法非常有優(yōu)勢，隨著晶體生長技術(shù)的發(fā)展，器件加工的發(fā)展非常重要，氧化鎵器件發(fā)展很快，也需要大家共同的努力。

 

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